| 用于X荧光分析的半导体探测器 |
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| 引用本文： | 徐慧超,张金洲,沈浩元.用于X荧光分析的半导体探测器[J].常熟理工学院学报,2006,20(2):91-93. |
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| 作者姓名： | 徐慧超 张金洲 沈浩元 |
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| 作者单位： | 中国科学院,上海应用物理研究所仪器中心,上海,201800 |
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| 摘 要： | 随着X荧光检测方法的广泛应用,作为核心的探测器性能显得尤其重要。国内研制的Si(Li)X射线探测器,部分性能指标达到并超过了国外水平,为我国X荧光仪整体性能的提升,打下了良好基础。另外,碲锌镉(CZT)晶体作为一种新型半导体材料,由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到相当好的能量分辨率,且有相当高的探测效率。因此近年来发展迅速。我们实验室已制成Φ8×1.7mm3灵敏体积的CZT探测器,室温22℃下对241Am放射源、59.54keV能量的γ射线能量分辨率可以达到/2.06keV(FWHM)(未使用准直器),连续测量没有极化效应,并且具有很好的长期稳定性。
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| 关 键 词： | Si(Li)探测器 碲锌镉(CZT) 室温探测器 性能 X射线 元素分析 |
| 文章编号： | 1008-2794（2006）02-0091-03 |
| 收稿时间： | 2005-10-15 |
| 修稿时间： | 2005年10月15 |
The semiconductor detectors for x- ray fluorescence analyse |
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| XU Hui-chao,ZHANG Jin-zhou,SHEN Hao-yuan.The semiconductor detectors for x- ray fluorescence analyse[J].Journal of Changshu Institute of Technology,2006,20(2):91-93. |
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| Authors: | XU Hui-chao ZHANG Jin-zhou SHEN Hao-yuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si(Li) CZT(CdZnTe) Room temperature detector Performance Element analyse |
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