| MOVPE法生长HgCdTe/CdZnTe结构薄膜研究 |
| |
| 引用本文： | 杨玉林,张宏伟,杨宇.MOVPE法生长HgCdTe/CdZnTe结构薄膜研究[J].蒙自师范高等专科学校学报,2004,2(4):1-3. |
| |
| 作者姓名： | 杨玉林 张宏伟 杨宇 |
| |
| 作者单位： | [1]云南大学材料系，昆明650031 [2]红河学院物理系，云南蒙自661100 |
| |
| 摘 要： | 碲锌镉(CdZnTe)衬底是生长红外焦平面列阵(IRFPAs)所用碲镉汞(HgCdTe)薄膜材料的首选衬底.本文讨论在单晶的碲锌镉衬底上,用MOVPE法生长一层碲锌镉过渡层,可以避免单晶碲锌镉衬底的一些杂质和缺陷延伸到碲镉汞薄膜材料中而影响到碲镉汞薄膜的结构质量.实验表明,有碲锌镉过渡层的碲镉汞薄膜的结构质量有了较大改善.
|
| 关 键 词： | 碲镉汞 碲锌镉 红外焦平面列阵 MOVPE |
| 文章编号： | 1008-9128(2004)04-0001-03 |
| 修稿时间： | 2004年5月8日 |
Study Of HgCdTe Film Growth on CdZnTe Buffer with MOVPE |
| |
| Yang Yu-lin,Zhang Hong-wei.Study Of HgCdTe Film Growth on CdZnTe Buffer with MOVPE[J].Journal of Mengzi Teachers' College,2004,2(4):1-3. |
| |
| Authors: | Yang Yu-lin Zhang Hong-wei |
| |
| Institution: | Yang Yu-lin~1,Zhang Hong-wei~ |
| |
| Abstract: | CdZnTe is the best substrate matched to HgCdTe film that is used to produce Infrared Focal Plane Arrays (IRFPAs). A thin film of CdZnTe buffer is grown on a single crystal CdZnTe substrate with MOVPE method, which is used to save some impurities and defects going into epitaxy layer which will influence the properties of HgCdTe film. In this way, as is proved, the structural quality of HgCdTe film grown on CdZnTe substrate with a thin CdZnTe buffer layer can be improved. |
| |
| Keywords: | HgCdTe CdZnTe IRFPAs MOVPE |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
