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1.
报道了用ECR离子源的高电荷态离子^40Ar^10 入射到P型Si表面的实验研究，通过实验测量到的Si原子和Si^2 离子的200nm-1000nm光谱，研究了谱线产生的机理，实验结果表明：低速高电荷态离子与固体表面相互作用中，可有效地激发原子和离子的特征谱线，分析了这一现象和相互作用过程的发光机理。 相似文献
2.
研究了高电荷态离子129Xe29 入射金属Au表面产生的X射线谱。分析结果表明,足够高的电荷态低速离子激发靶表面原子,无需很强的束流强度,便可有效地产生重原子的特征X谱线(Au-Mα),特征X射线的幅度和产额随入射离子的动能的增加而增加。 相似文献
3.
报道了用动能一定而电荷态不同的^40Ar^9 离子和动能不同的^40Ar^6 离子入射金属Ta表面，靶原子受激辐射发出的200—1000nm波段的特征光谱线的实验结果。实验结果表明：高电荷态离子所激发的靶原子的谱线强度与入射离子的电荷态密切相关，与靶原子的入射动能没有强的相关性。 相似文献
4.
综述了低能高电荷态Ar^q＋离子与不同金属表面相互作用时,入射粒子和靶原子发射的X射线谱研究。重点分析了q=16时,高电荷态Ar^16＋离子与金属表面相互作用过程中发射Ar的Kα特征X射线的机理,以及q=17,18时入射粒子单粒子X射线产额等问题。分析总结了核电荷数不同的金属靶原子受激发射X射线的机理,以及入射离子的动能跟靶原子X射线产额的关系。展望了预期的研究方向。 相似文献
5.
利用光谱技术研究了高电荷态离子40Ar 17离子入射金属Au表面产生的X射线谱。分析结果表明,特征X射线发射,与离子最初的电子组态有关,Ar的Kα-X射线是离子在与固体表面相互作用过程中在固体表面之下形成的空心原子发射的。 相似文献
6.
采用Stillinger-Weber势,利用分子动力学方法模拟了Si原子在Si(001)表面和该表面单层台阶附近扩散的动力学过程。(1)给出单个Si原子在Si(001)表面垂直于二聚体排方向扩散的扩散路径和扩散机制。Si原子在Si(001)表面垂直于二聚体排方向扩散能够减弱Si原子在Si(001)表面扩散的各向异性。(2)模拟不仅给出与以往文献中原子从SA台阶下台面扩散到上台面相同的扩散路径而且还给出原子从成键的SB台阶上台面扩散到下台面的一种新的扩散机制:增原子通过与表面原子之间的交换。从而解释实验上观察到的Si(001)表面双层原子台阶形成的机制。无论是单个Si原子在Si(001)表面垂直于二聚体排方向扩散还是在Si(001)表面的单层台阶附近扩散,增原子和表面原子之间的交换机制都起着重要的作用。 相似文献
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本文研究在大气中用 Nd:YAG 激光烧蚀固体 Si 表面的等离子体。用光学多道分析仪测量了等离子体的时间分辨发射光谱,用 N(Ⅱ)的两条谱线的相对强度计算了激光等离子体的电子温度,根据 N(Ⅱ)3995谱线的 Stark 展宽计算了等离子体的电子密度。 相似文献
8.
在无机化学中,尤其在过渡金属元素配合物中经常会遇到各种各样颜色的无机化合物。具有dx(x=1至9)结构的过渡金属配合物受到光照时,d轨道跃迁,发生d-d跃迁。化合物吸收可见光还可以发生电子从一个原子到另一个原子的跃迁而产生荷移吸收带发生电荷跃迁。酸根和固体化合物的颜色就与电荷跃迁有关。此外,离子极化作用也可以使物质具有颜色。对无机化合物显色规律、原因作了详细的总结,并对其显色机理做了深刻的探讨。 相似文献
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张登玉 《衡阳师范学院学报》2011,32(3):36-38
提出一种利用原子与腔场双光子相互作用制备原子W态的方案。在此方案中,初始时将一个制备在高能级的两能级原子注入处于真空态的腔场中,其余的两能级原子制备在低能级依次注入腔场中发生双光子相互作用。由于原子与腔场之间相互作用是共振的,因此耦合强度相对较大,这将缩短所需的相互作用时间,从而降低实验中退相干的影响。 相似文献
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李明 《初中生学习(中考新概念)》2003,(1)
问题1 具有相同核电荷数的微粒一定是同种元素的微粒吗? 答:不一定。解:微粒包括分子、原子、离子等。具有相同核电荷数的微粒可以是分子与原子,如核电荷数是10的原子是氖原子,分子有水分子(H2O)、氨分子(NH3)、甲烷 相似文献
11.
采用直流反应溅射方法在N型Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜.薄膜的晶体结构采用X射线衍射技术来表征,测量结果表明制备的样品是沿c轴高度取向的六方纤锌矿结构的多晶薄膜.扫描电子显微镜测量显示薄膜的表面粗糙度较低,且ZnO与Si衬底的边界线清晰,结构致密.此外,利用室温光致发光谱研究了薄膜的光学性能,ZnO薄膜的室温光致发光谱(PL)只有位于377nm处的一个很强的紫外峰,这与材料内的激子复合有关.此外对薄膜进行了拉曼散射的研究,拉曼频移的计算结果表明溅射生长的薄膜中存在张应力(0.25Gpa). 相似文献
12.
Pt/Ti bottom electrodes were fabricated on SiO2/Si substrates by magnetron dual-facing-target sputtering system. Lead zirconate titanate(PZT) thin films were deposited on Pt/Ti/ SiO2/Si substrates by radio frequency (RF) magnetron sputtering system. The thickness of PZT thin films which were deposited for 5 h was about 800 nm. XRD spectra show that PZT thin films deposited in Ar ambience and rapid-thermal-annealed for 20 min at 700 ℃ have good crystallization behavior and perovskite structure. AFM micrographs show that mean diameter of crystallites is 70 nm and surface structures of PZT thin films are uniform and dense. Raw mean, root mean square roughness and mean roughness of PZT thin films are 34.357 nm, 2.479 nm and 1.954 nm respectively. As test frequency is 1 kHz, dielectric constant of PZT thin films is 327.6. Electric hysteresis loop shows that coercive field strength, residual polarization strength and spontaneous polarization strength of PZT thin films are 50 kV/cm, 10 μC/cm2 and 13 μC/cm2 respectively. 相似文献
13.
UHV／CVD生长SiGe／Si材料分析及应用研究 总被引：1，自引：1，他引：0
以Si2H6和GeH4为生长气源,采用UHV／CVD系统在Si（100）衬底上生长了Sil—xGex合金和Sil—xGex／Si多量子阱结构。采用X射线双晶衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜等仪器设备对样品的组份、界面和表面形貌等晶体质量进行了研究。SiGe合金中Si和Ge摩尔分数的比值随着Si2H6和GeH4流量比的增加按比例线性增加,比例因子为2．57。生长的Si0．88Ge0．12合金样品的界面清晰,表面平整,平均粗糙度仅为0．4nm,位错密度低于104／cm2。六周期Si0．88Ge0．12／Si多量子阱的X射线双晶衍射摇摆曲线中存在多级卫星峰和Pendellosung条纹。这些结果表明SiGe合金和SiGe／Si多量子阱均具有很好的晶体质量。 相似文献
14.
纳米KNbO3粉体的水热合成及表征 总被引：2，自引：0，他引：2
给出了一个在Nb-K-H2O三元体系中水热合成KNbO3的新的工艺条件；讨论了水热反应温度、溶液初始浓度及反应时间对合成产物的组分及形态等的影响；采用水热合成方法，在KOH浓度3M以上、反应温度为250℃、反应时间24h时，成功合成了钙钛矿结构KNbO3纳米陶瓷粉体；X射线衍射（XRD）、透射扫描电子（TEM）分析表明，水热合成的KNbO3晶粒发育完整，平均粒径为40nm；FT-IR、FT-Raman光谱等测试结果表明，纳米尺度KNbO3晶粒的Nb-O特征振动吸收带和拉曼位移分别出现了宽化和蓝移现象． 相似文献
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Ju Jianhua Mo Yaowu Huang Xiaoqin Xia Yiben 《上海大学学报(英文版)》1998,2(4):337-341
ｏｎ ａｎｄ Ｈｏｍｏｇｅｎｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｄｉａｍｏｎｄ Ｆｉｌｍ ｉｎ ｔｈｅ Ｍｕｌｔｉｆｉｌａｍｅｎｔ ＣＶＤ ＳｙｓｔｅｍTX１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅｈｏｔ－ｆｉｌａｍｅｎｔｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＨＦＣ... 相似文献
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凝胶注模成型是一种制备均匀性好、强度高和形状复杂的陶瓷部件的成型技术 ,目前已在各种精密陶瓷材料的近净尺寸成型制备中得到了广泛应用 .但已有研究工作主要针对微米和亚微米尺寸的陶瓷粉末的成型 ,而大多数高级耐火材料制品都属毫米级粗颗粒的高温材料 .本文研究了粒径为毫米级粗颗粒体系SiC/Si粉末的Zeta电位、分散性以及SiC/Si浓悬浮体的流变性 ,制备了固相体积分数高达 72 %的SiC/Si浓悬浮体并浇注出形状复杂的均一致密的SiC/Si坯体 相似文献
19.
周少敏 《湖南科技学院学报》2004,25(6):53-57
作者采用Zn+Cd粉,制得了大量阵列Cd掺杂ZnO纳米梳子.这些纳米梳子通过X-射线衍射仪(XRD)、X-射线光电子能谱仪(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、X-射线能量损失谱仪(EDS)、选区电子衍射仪(SAED)及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)来分析其形貌和宏、微观结构.结果显示这些纳米梳子的臂直径为15-50
nm、臂长为400nm,它们都有单晶的结构及相应的生长机制为传统的气固生长机制. 相似文献