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1.
陶永梅 《常熟理工学院学报》2007,21(2):27-30
应用朗道——德文希尔理论研究了生长在(001)SrTiO3上的BaTiO3/SrTiO3超晶格的热力学性质。计算结果表明:通过改变生长在(001)SrTiO3上的BT/ST双层超晶格的层比例,可以得到不同的热电响应和电滞回线。 相似文献
2.
超晶格的研究起始于70年代的初期,它是一种人工生长的具有非常奇特的电子学和光学性质的新型微电子材料,超晶格生长主要是用分子束外延(Molecular Beam Epitary)的方法,在特定的基片上形成。国际上目前已经能够成功地制成二种类型的超晶格,一种是把两种不同的半导体材料,用分子束外延法交替地沉积在一个基片上形成交替变化的超薄多层结构,即所谓的组份超晶格,如选用三、五族的化合物 GaAs,Gasb,InAs,Alsb 等,生长速度控制到每秒一个原子层,在超高真空(10~(-10)Tour)中进行,每层厚度为几十到几百。另一种是用分子束外延法把一种本征半导体交替地进行,n 型和 P 型掺杂形成 n—i—p—i 结构(这里 n 表示电子型掺杂,P 表示空穴型掺杂,i 表示本征型),即所谓掺杂超晶 相似文献
3.
改进了一种从头计算方法—共轭梯度方法 ,研究了超晶格 Ga As/ A lx Ga1 - x A s的电子结构 .根据超晶格的基本方程 ,在固定电子密度 n(z)下 ,求解了基本方程的本征值和本征函数 ,并由它们组成新的 n(z) ,重复此过程直到得自洽解 .另按超晶格基本方程的具体情况 ,对每个 kz独立地应用了共轭梯度方法 ,此可大大节省与 Gram-Schm it正交化有关的时间 .计算了超晶格的两个最低子能带之间的能量差和 F ermi能量 ,其模拟计算的结果与对应的实验数值一致 相似文献
4.
文军 《渭南师范学院学报》2012,(2):48-51
超晶格由两种不同晶体材料交替生长的具有周期性结构的多层薄膜构成,两种材料的"势垒—势阱"结构就是量子阱.通过理想的无限深势阱模型,讨论了施加磁场作用的超晶格中单量子阱束缚态的能级结构和态密度,得到了体系的本征能量与本征函数.分析表明,沿超晶格生长方向能级不受外加磁场影响,垂直于超晶格生长方向以ωc为回旋频率的谐振运动,超晶格量子阱量子化能级高度简并,简并度和外加磁场成正比. 相似文献
5.
用横场伊辛模型研究了钛酸钡钛酸锶(BaTiO3/SrTiO3)超晶格的热力学性质,并考虑了界面效应.计算结果表明:内应力对BT/ST双层超晶格的热电响应和电滞回线影响很大. 相似文献
6.
研究非线性超晶格的能带结构随非线性系数的变化和多稳态现象。将非线性Kronig—Penney超晶格的定态非线性薛定额方程,化为一个二维实映射,进行数值分析得到非线性超晶格的能带结构与非线性系数及波强度有关,给出了不同非线性系数情况下的能带结构以及透射波强度对于入射波强度呈现的多稳态结构。 相似文献
7.
层状型的金属硫化物(SnS)1.2TiS2是一种新型的热电材料,其结构是由SnS层和TiS2层(一种自然超晶格)相叠加而形成.在这些热电材料中,发现了不同化合物的纳米化叠加态,由于这些沿层面叠加的超晶格的特殊性质,在不影响电子输运的情况下,可使声子的输运减小到最小,从而提升了材料的热电性能.计算了(SnS)1.2TiS2的电子结构与声子结构,通过对纯TiS2体材料与(SnS)1.2TiS2中的TiS2层的电子、声子结构的对比,证实了SnS插层对TiS2层的电子结构及电学输运性质影响很小.这些发现有利于提高层状材料的热电性能. 相似文献
8.
于兴君 《辽宁教育行政学院学报》1995,(5)
本文分析了应变层超晶格晶体材料的结构特征，得到在平行于超晶格生长方向的内平面上，每个应变层的晶格常数都是相同的结论，并利用错配度的概念推导了晶格常数的表达式。 相似文献
9.
以弛豫时间近似下的玻尔兹曼方程为基础,研究了超晶格在外加直流和双模交流场中电子的输运行为,同时计算了几种特定情况下超晶格中电流随频率和场强幅值的变化关系,发现超晶格在外加直流和双模交流电场时内部电流随频率的变化是稳定的,而电流随场强幅值的变化是振荡衰减的. 相似文献
10.
本文在相关有效场理论的框架内，对横场中的自旋Ｓ＝１的铁磁超晶格的临界性质做了研究，并通过数值解考察了横场对临界界面交换耦合的影响，得到了各种参数条件下的超晶格的相图。 相似文献
11.
利用较普遍的固体物理方法研究了平面正三角形晶格和平面正六边形晶格的各种物理特性 ,并引入相对位矢概念来处理复式格子的紧束缚能带 .通过研究我们发现 :( 1) .平面正六边形晶格是由两个平面正三角形晶格作为子晶格套构而成 .( 2 ) .所有复式晶格的布里渊区与其子晶格所对应的布里渊区相同 相似文献
12.
对InGaAsP/InGaAs组成的超晶格,基底为InP的固体微制冷器进行了初步研究,发现热电和热电子转换同时存在于超晶格微制冷器中。提出了简化后的物理模型,具体分析了影响热电转换效率的热阻和电阻、制冷影响因素和误差等因素,计算结果与实际器件接近。 相似文献
13.
《宜宾学院学报》2016,(12):93-98
基于密度泛函理论,运用广义梯度近似超软赝势平面波方法,对六方二硼化铪(Hf B2)晶体的结构进行几何优化,得到与实验值相符的晶格参数,然后对其能带和态密度进行了计算,得出Hf B2具有一定的金属性,其内部存在着金属键和共价键,晶体中的所有价态电子对导带都有贡献,但Hf原子的5d和5p电子占主要部分.在0~200 GPa范围内,随着压强的增大其晶格参数减小.在零压下,对Hf B2晶体在入射光偏振方向的导电性、介电函数、损失函数、折射率、反射率和吸收率等光学性质进行计算,最后讨论了0~200 GPa压强下的吸收系数和反射率随压强的变化关系. 相似文献
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１９９９年恰逢半导体超晶格的概念问世３０年．１９６９年，当时还在美国ＩＢＭ研究中心工作的日本科学家江崎玲玉奈和华裔美国科学家朱肇祥一道提出了半导体超晶格的概念．当时以半导体材料为基础的电子器件的发展经过了一段蓬蓬勃勃的发展之后步伐正渐渐放缓．他们分析了当时提高器件性能的困难，认为主要原因是周期结构的晶体材料的性能达到了极限，而周期材料的性能与晶体的晶格常数有关．用简单的话讲．周期材料的周期太小了，而天然材料的这个周期是无法改变的．他们因此萌发了制造人工晶体，即人工周期材料的设想．把两种不同材料交… 相似文献
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南京大学固体微结构物理国家重点实验室闵乃本院士研究组的“介电体超晶格材料的设计、制备、性能和应用”成果获得了2006年度的国家自然科学奖一等奖。到底什么是介电体超晶格呢？它是怎么做出来，又有什么用呢？想必，这是许多人感兴趣的问题。 相似文献
16.
利用重整化群方法,讨论了一种特殊钻石型等级晶格上BEG(Blume-Emery-Grif-fith)模型的相变和临界行为。结果表明,在哈密顿量中有无晶体场强度时的结果是有差别的,而且与一般钻石型等级晶格的结果不同,所计算临界指数的值也不一样,它们并不属于同一个普适类。 相似文献
17.
采用溶胶-凝胶法制备了不同掺杂浓度的Mn-Al共掺杂Zn O粉末。用XRD分析了粉末的晶格结构。表明所有样品都具有纤锌矿结构。当Mn(1wt%)掺入纯Zn O时晶格常数明显变大,这表明Mn已经进入了Zn O晶格,且Mn离子处于正二价态。随着粉末中Al浓度的增加,发现晶胞参数a,c开始略有减小,而后随Al离子浓度增大而变大。确定了在Mn(1wt%)掺杂的前提下,Al对Zn O掺杂的最佳浓度为2wt%。 相似文献
18.
《宜宾学院学报》2017,(6):80-84
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法,结合广义梯度近似(GGA+U)研究锶铁氧体SrFe_(12)O_(19)、SmSrFe_(23)CoO_(38)、Sm_2Fe_(23)CoO_(38)、SrNdFe_(23)CoO_(38)和Nd_2Fe_(23)CoO_(38)的晶体结构、电子性质及磁性性质.结果表明:SrNdFe_(23)CoO_(38)和Nd_2Fe_(23)CoO_(38)晶格常数a,b均比未掺杂时的晶格常数略大,晶格常数c均比未掺杂时的晶格常数c略小;SmSrFe_(23)CoO_(38)和Sm_2Fe_(23)CoO_(38)晶格常数a,b,c均比未掺杂时的晶格常数略小.Sm掺杂对体系的磁矩几乎没有影响,掺杂后形成的SmSrFe_(23)CoO_(38)、Sm_2Fe_(23)CoO_(38)晶体磁矩分为37.981 9μB和38.973 4μB.掺杂后形成Nd_2Fe_(23)CoO_(38)的磁矩明显小于未掺杂时SrFe_(12)O_(19)的磁矩,其值为31.962 4μB,掺杂前后Nd磁矩均为0;而Nd掺杂后形成SrNdFe_(23)Co_(38)的磁矩为51μB,掺杂后体系磁性明显增强,其中Fe表现为高自旋态,磁矩为4.1μB,Co也表现为高自旋态,磁矩为3.9μB,Nd掺杂前没有磁矩,掺杂后被局域为高自旋态,磁矩高达4.95μB. 相似文献
19.
利用多重尺度和准离散近似法研究了双原子链(相邻两原子质量不同，作用力常数交替变化)中的孤子激发。该模型模拟了闪锌矿结构晶格沿<111>方向的振动.考虑二次方和四次方作用势，得到了特殊波矢下定态孤子解的表达式.由于该晶格模型的弱对称性，其原子位移分布与文献中广泛研究的一维单原子、双原子和金刚石晶格有所不同. 相似文献