共查询到17条相似文献，搜索用时 234 毫秒
1.
本文中采用TSMC 0．35μm CMOS工艺,设计了工作在2．4GHz、可应用于蓝牙的低噪声放大器。文中对设计过程有比较详细的叙述,并给出了优化仿真结果。最终的结果显示,该低噪声放大器的最大增益约为16dB,并且波动范围小于0．3dB,具有很好的平坦度。噪声系数约为0．8dB,IIP3为＋1．6dBm。在1．5V电源电压供电条件下,电路直流功耗为8mW,能很好地满足低功耗的要求。 相似文献
2.
介绍了一种应用于下一代移动通信系统的高性能宽带射频收发信机的实现.本射频收发信机工作在6～6.3GHz频段,信道带宽达到100MHz,工作在时分双工模式并支持IMT-advanced系统采用的多输入多输出(MIMO)技术.为了获得最佳的性能,采用了经典的超外差结构.详细介绍了系统关键部件如低噪声放大器、功率放大器以及本地振荡器的设计问题.测试结果表明,射频收发信机的最大线性输出功率大于23dBm,低噪声放大器的增益和噪声系数分别为大约24dB和小于1dB.此外,误差矢量幅度(EVM)的测试结果表明实现的射频收发信机的性能远超过LTE-advanced系统的要求.采用最大8×8的MIMO配置,本射频收发信机在现场试验中支持超过1Gbit/s的数据传输率. 相似文献
3.
4.
433MHz低功耗CMOS LNA的噪声优化与实现(英文) 总被引：1，自引：0，他引：1
采用0.18μm SMIC数模混合与射频(RF)CMOS工艺实现了一个应用于ISM(工业、科学和医疗)频段接收机的433 MHz低功耗低噪声放大器(LNA)的设计.电路通过调节源级反馈电感和在LNA输入晶体管上并联电容的方法实现了最优的噪声性能.测试结果表明,LNA在431 MHz处的噪声系数为2.4 dB,S21=16 dB,S11=-11 dB,S22=-9 dB,反向隔离度大于35 dB.测量的1-dB压缩点(P1dB)和输入三阶交调(ⅡP3)分别为-13dBm和-3 dBm.芯片面积为0.55 mm×1.2 mm,在1.8 V供电时整个电路功耗仅4 mW. 相似文献
5.
给出了一个应用于无线局域网WLAN802.11a的中低噪声、高增益的下变频器.该下变频器采用高中频的结构,输入的射频频率(RF)、本振(LO)频率和输出的中频频率(IF)分别为5.15 ～5.35,4.15 ～4.35和1GHz.为了提高混频器的线性度,电路采用了伪差分的吉尔伯特结构和源极电阻负反馈技术;为了获得低的噪声系数,混频器采用电流源注入技术和LC谐振电路作为负载.此外,采用了一种改进的源极跟随器输出缓冲电路,在不恶化其他性能的情况下混频器可以达到较高的增益.该芯片采用0.18μm RF CMOS工艺制作,包含所有焊盘在内的芯片尺寸为580μm×1 185μm.测试结果表明:在1.8V电源电压下,消耗电流为3.8mA,转换增益为10.1dB,输入1dB压缩点为-3.5dBm,输入三阶截点为5.3dBm,单边带(SSB)噪声系数(NF)为8.65dB. 相似文献
6.
7.
《东南大学学报》2017,(2)
提出了一种基于信号求和结构的新型可编程增益放大器.不同于传统的信号求和可变增益放大器,在本设计中,通过二进制开关的控制接入分流管的宽长比来实现分流管的跨导改变.二进制的设计可以实现精确的6 dB增益步长.恒跨导偏置技术保证了电路实现精确的增益,且不受工艺、电压和温度变化的影响.P-well NM OS技术消除了背栅效应对增益误差的影响.低增益采用源极退化技术实现,实现了信号强度较大时,电路具有高线性度.所设计的可编程增益放大器采用0.18μm CMOS工艺制造.测试结果显示,增益范围为0~24 dB,增益步长6 dB,最大增益误差为0.3 d B.在不同增益下,电路都能保证恒定210 MHz带宽.OIP3和最小噪声系数分别为20.9 d Bm和11.1 dB.电路版图紧凑,核心面积为0.068 mm~2.在1.8 V的电源电压下,消耗4.8 mW功率. 相似文献
8.
将利用分立器件设计的4通道神经信号再生电子系统成功地应用于大鼠和家兔的活体动物实验,再生了它们的神经信号．采用相同的原理,用CSMC0．6μm CMOS工艺设计实现了单通道神经信号再生集成电路．电路由增益可调的神经信号探测电路、缓冲器和神经功能电激励电路构成．电路采用±2．5V双电源电压供电．芯片尺寸为1．42mm×1．34mm．在片测试电路的静态功耗小于10mW,输出电阻为118mΩ,3dB带宽大于30kHz,增益在50～90dB可调．电路芯片与卡肤电极、针状双体电极一起,用于大鼠的神经信号再生的活体动物实验,成功地再生了大鼠的坐骨神经和脊髓神经信号． 相似文献
9.
10.
设计了一种用于逐次逼近型ADC中的电容自校准电路.通过增加一个校准周期,该电容自校准结构即可与原电路并行工作,并可校准电路工作时产生的误差.采用该电路设计了一个用于多通道逐次逼近型结构的10bit32Msample/s模数转换器单元,该芯片在Chart0.25μm2.5V工艺上实现,总的芯片面积为1.4mm×1.3mm.在32MHz工作时,通过校准后的信噪比仿真结果为59.5861dB,无杂散动态范围为70.246dB.芯片实测,输入频率5.8MHz时,信噪失真比为44.82dB,无杂散动态范围为63.7604dB. 相似文献
11.
为了放大微弱的高频信号,需要使用LC谐振放大器。以三极管等分立元件构建的单调谐放大器,具有功耗小,噪声低等优点。三级谐振放大器级联实现较大的增益,级间通过高频变压器互感耦合,便于调整谐振频率,并减少损耗。经测试,本LC谐振放大器放大中心谐振频率15．1MHz,偏差100kHz,-3dB带宽300kHz,实现80dB的放大倍数,功耗324mW。输入50μV微弱信号时,输出无明显失真。结果表明,该LC谐振放大器具有低噪声、低功耗、高增益等优点。 相似文献
12.
以STC89c52单片机设计主控模块,以TI公司的ccll00芯片设计无线发射和接收模块,工作于915MHzISM频段,空中波特率为lOOKbps,利用HFSS仿真软件设计微带天线并进行仿真,得到S参数、驻波比、场强、三维远场辐射方向图等。同时利用smartRFstudio软件可测得天线场强,实际效果好于仿真结果,实现了915MHz无线通信,通信距离在10米以上。 相似文献
13.
首先对分布式放大器中L型和T型网络的频率特性进行了研究.分析表明,L型网络比T型网络在设计中具有更好的频率特性.基于稳懋半导体的2-μm GaAs HBT工艺实现了一种L型网络的分布式放大器.测试结果表明,在3～18GHz频率范围内其增益为5.5dB,增益平坦度为±1dB,体现了很好的带宽性能.此外,在设计的频率范围内反射损耗S11,S22均低于-10dB.在5GHz时的1dB压缩点处输出功率为13.3dBm.芯片面积为0.95mm2,在3.5V电源下功耗为95mW. 相似文献
14.
实现了一种基于CMOS工艺的用于DRM与DAB数字广播射频调谐器的具有低相位噪声与低功耗的工作在37.5MHz的差分结构晶体振荡器.在晶体振荡器的核心部分采用了PMOS晶体管来代替传统的NMOS晶体管以降低相位噪声.采用了对称结构的电流镜以提高直流稳定度.采用了由一阶CMOS运算跨导放大器和简单的幅度探测器构成的幅度探测电路以提高输出信号的电流精确度.芯片采用0.18-μmCMOS工艺实现,芯片面积为0.35mm×0.3mm.芯片包含用于驱动50Ω测试的负载接口电路,在1.8V供电电压下,所测得的芯片功耗仅为3.6mW.晶体振荡器的工作输出信号在距离其中心频率37.5MHz频偏1kHz处的相位噪声为-134.7dBc/Hz. 相似文献
15.
李舒晨 《渭南师范学院学报》2001,16(5):40-41
用滞后的一阶阻容网络与运放构成负反馈闭环连接时，若电路中使用的运算放大器在零分贝增益以上频段存在第二极点频率，则电路可能产生自激振荡，自激振荡的频率与运放的第二极点频率及反馈网络参数三者之间有内在关系，基于这种关系，可以根据电路的振频和反馈环节电路参数估求运算放大器的第二极点频率。 相似文献
16.
Neural microelectrode has been used by neuro-physiologists to explore the neural system for over ahalf century. In 1950, the metal thread, called thefirst microelectrode, was invented[1]. The progresshas been strongly dependent on the technologies avail-able for providing microelectrode assembly for high-quality, long-term stable neural recording and forstimulation of specific populations of neural cells. In1965, Moll suggested that the lithographic techniquesand silicon etching technology tha… 相似文献
17.
设计了一种电平移位CMOS轨对轨（Rail—to—Rail）运算放大器,并采用旺宏电子股份有限公司的0．5μmN阱CMOS工艺进行了版图设计。Hspice仿真显示：运放的电源电压为土1．5V,输出可以达到全摆幅,输入失调电压仅为35μV,差模增益达85dB以上,其中82dB的带宽为8K。 相似文献