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采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了具有ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层的单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ． 相似文献
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无机半导体材料量子点由于其特有的发光性能,近几年来得到了长足发展,红绿蓝三色发光器件的外量子效率都能接近于理论值。然而,要实现工业化生产,如何实现大面积、高分辨率的红绿蓝三色显示屏的制备有待进一步探索。对量子点显示的发展到量子点器件的加工方法进行了回顾;从材料到制造技术,讨论了量子点的研究现状以及研究方向,综述量子点在显示领域应用前景。 相似文献
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美首次制造出不使用半导体的晶体管科技日报讯据美国每日科学网站6月21日报道,美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点,实现量子隧穿效应,制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。 相似文献
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在当今Si基光电子研究中,SiGe材料系自组织Ge量子点是最有希望对Si材料运用能带工程实现人工改性的途径之一。Ge在Si上 4.2 %的晶格失配可以制造大小尺寸不同的纳米结构,还可适应其他多种器件需要。对自组织Ge量子点的形成过程、形貌演化、光学和电学性质,以及提高量子点平面排布有序性的方法进行了系统的分析和研究,并着重介绍了实验中发现的新现象、新模型和新方法,其中包括量子点的反常形状跃迁、自覆盖效应、Ge/Si量子点的II型能带结构、Ge/Si量子点的载流子热弛豫模型和纳米尺寸的周期性图形衬底的全息制备方法 相似文献
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研究了平行耦合四量子点体系的自旋相关的Fano效应。量子点1、3和量子点2、4之间的耦合强度取定值,当量子点1、2之间的耦合强度很小时,对其输运性质基本不产生影响。量子点1、2间的耦合强度增大时,多通道间的量子相干会导致电导谱中出现Fano峰。 相似文献
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本文提出了一个GaAs/AlxGa1-xAs量子点量子阱的理论模型,并采用二能级模型对其尺寸相关的三阶极化率进行了计算.计算结果表明:对一个GaAs/AlxGa1-xAs盘状量子点量子阱,其三阶极化率的变化规律与量子点的径向尺寸的变化有密切关系. 相似文献
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本文使用了紧致密度矩阵的方法,在有效质量近似下,对CdSe/ZnS核-壳结构的球型量子点中的光学克尔效应进行了研究.我们得到了不同核层半径R1和壳层厚度R2与量子点光学克尔效应三阶极化率x3ate谈施工的函数曲线,计算结果表明,在3nm-10nm的范围内,量子点的光学克尔效应强度和该量子点的尺寸密切相关. 相似文献
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刘振宇 《科技成果管理与研究》2022,(2):19-25
目前,量子点敏化太阳能电池因其较高的理论转换效率成为太阳能电池的研究热点,已然成为第三代光伏器件.分析量子点敏化太阳能电池专利可为产业技术的发展提供参考.本文从全球授权发明专利角度,对量子点敏化太阳能电池发展趋势、创新力量、主要研究热点领域、前沿研究领域等方面进行研究,并对各主要技术领域的技术进行介绍.研究结果表明:量... 相似文献
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我国第一台激光分子束外延设备研制成功 总被引：2，自引：0，他引：2
激光分子束外延是近几年才出现的一种新型高精密制膜技术,它集普通脉冲激光沉积(PLD)的特点和传统分子束外延(MBE)的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体,不仅可以生长通常的半导体超晶格材料,尤其适于制备多元素、高熔点、复杂层状结构,如超导体、光学晶体、铁电体、压电体、铁磁体以及有机高分子材料等薄膜,同时还能进行其相应的激光与物质相互作用和成膜过程的物理、化学等方面的基础研究。因此,激光分子束外延具有重要的学术意义和广泛的应用前景。 相似文献
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量子点在生命科学的应用已成为人们研究的热点,量子点荧光探针是近几年发展起来的一种新型荧光标记物。该文主要就量子点的荧光性能,基于量子点标记的生物荧光探针的制备及其在生物医学领域中的应用研究进展作一概述及展望。 相似文献
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量子点是发光材料的最佳解决方案,将是新一代显示技术最有利的替代者,是先进电子材料未来发展方向之一.以ORBIT平台为数据源,从专利角度对全球量子点发光材料专利进行产业技术分析,研究内容主要包括发展趋势、全球市场布局、热点技术、前沿技术、合作团队、发明人、重要专利等.全球量子点发光材料产业技术处在快速发展时期,中国是最大... 相似文献
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本文就量子阱超晶格的基本物理,量子阱光电子器件对光通信发展的贡献和量子光电子器件对发展计算技术和信息处理技术的贡献等问题进行了较详细的讨论,指出:半导体量子光电子学的内涵既包含了崭新一代光电子器件的诞生,同时也拓展了以信息的传输、运算和处理为代表的新一代信息技术的发展.半导体量子光电子学将与微电子技术并举成为未来信息社会的两大支柱. 相似文献
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随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级厚度和原子级平整的优质异质结构外延材料。以此为基础,研制成功多种新一代半导体光电子和微电子器件,如:量子阱激光器、高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶晶体管(HBT)等。这些器件不仅大大促进了国防电子工程技术的发展(如雷达、导弹),而且在超高速计算机、卫星通讯和电视接收等方面也有重要应用。超薄层外延材料具有许多新颖的物理特性,已成为凝聚态物理研究前沿领域之一。随着器件尺寸的减小,表面和界面效应越来越突出,并严重影响器件性能。因此,利用现代表面分析技术,从原子尺度上了解超薄层材料生长机理,及器件表面和界面的物理特性,有利于新型材料和器件的发展。三年来,我们在此领域做了许多深入研究,取得了一批具有较高学术价值和应用价值的研究成果。 相似文献
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半导体固态照明采用InGaN基量子阱发光二极管(LED),不仅可以节省能源、减少污染,还具有体积小、寿命长等优点.但是LED外量子效率一直较低,文章介绍了LED芯片表面加工的各种微结构.如表面粗糙化结构,二维光子晶体结构,在p-GaN上生长纳米杆等.从而有效提高了LED外量子效率. 相似文献
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在分析了经典比特和量子比特的异同点之后,阐述了量子逻辑门的特点;然后具体介绍了几种常见的量子逻辑门：基本量子逻辑门,量子异或门,量子与门。最后又给出了更复杂的量子逻辑门的构建方法。 相似文献