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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 328 毫秒
1.
介绍采用巨磁电阻传感器与配对小磁钢设计组成新型位移传感器,测量材料的磁致伸缩系数,并对自旋阀巨磁电阻(NVEAA002-02)位移传感器以及多层膜巨磁电阻(SS501A)位移传感器的测量结果进行分析比较,得出用多层膜巨磁电阻(SS501A)位移传感器测量磁致伸缩系数时灵敏度较高,结果较准确,对磁致伸缩系数的传统测量方法有明显的改进。  相似文献   

2.
介绍了巨磁电阻效应的概念以及巨磁电阻材料在磁传感器、高密度读出磁头、磁性随机存储器等领域的应用.  相似文献   

3.
以巨磁电阻效应的发现为标志的自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息科学的交叉学科.本文对几种磁电阻效应及其应用进行了综述,详细介绍了几种常见的磁电阻效应体系,并对磁电阻效应的发展前景进行了展望.  相似文献   

4.
介绍了自旋阀巨磁电阻器件的结构和工作原理,设计了一种基于巨磁电阻的液位测量和控制的新型传感器装置,并对液位传感器装置进行了定标.该装置具有灵敏度高、体积小、稳定性好和成本低的优点,用该液位传感器装置测量液位高度的不确定度一般小于3%.  相似文献   

5.
巨磁电阻效应及在物理实验中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
阐述巨磁电阻效应的作用机理,对AA系列巨磁阻(GMR)传感器的阻值与磁感应强度的关系进行了测量,研究巨磁电阻效应特性,设计了巨磁电阻效应在物理应用方面系列实验.  相似文献   

6.
巨磁电阻在测量微弱磁场的变化较其他传感器具有体积小、灵敏度高等优点.比较了多层膜巨磁电阻和自旋阀巨磁电阻的区别,按其特性设计一个采用自旋阀巨磁电阻的位移传感器,并用此位移传感器精确测量金属的线膨胀系数.与各大高校在此实验中用普通方法测金属线膨胀系数的方法相比,该自旋阀巨磁电阻位移传感器测量金属线膨胀系数的方法有操作简便、测量精确,以及将力学量用电学量测量,并将物理数字化,便于电脑采集等优点.  相似文献   

7.
基于LabVIEW的磁电阻测试系统的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
由于在基本理论研究和实际应用中的巨大意义与潜力,材料的磁电输运性质近20年来倍受材料物理和凝聚态物理的关注,特别是巨磁电阻(GMR)、隧穿电阻(TMR)的广泛研究更促进了自旋电子学(Spintronics)的兴起和飞速发展.随着实验的深人,提高磁电阻测试效率和自动化程度已成为研究与自旋相关的电磁输运效应的迫切要求.该文给出了一种基于LabVIEW平台下磁电阻测试系统的设计,使磁电阻测试效率有明显的提高.  相似文献   

8.
<正>以硅为主的半导体工业和以磁性材料为主的磁传感器和磁存储工业是信息工业的两大独立支柱。磁传感器广泛应用于磁头、电子罗盘、GPS导航、车辆探测系统等,其核心技术就是巨磁阻效应。1988年巨磁电阻(简称巨磁阻)效应(GMR)在科学和信息工业两方  相似文献   

9.
近十年来国内多层膜巨磁电阻效应研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
近十年来国内对多层膜巨磁电阻效应的研究主要从金属多层膜、纳米颗粒膜、磁隧道结、氧化物薄膜四个方面展开,侧重研究了多层膜巨磁电阻效应产生的机理、各种膜的结构、影响巨磁电阻大小的因素,同时还引发了多层膜材料在温度大小、磁性(或合金)成份多少和种类、颗粒膜尺寸大小何种情况为最佳的思考。  相似文献   

10.
巨磁阻效应的简单应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
巨磁电阻效应是指物质在磁场作用下电阻发生巨大变化的现象,或称为巨磁阻(Giant MagnetoResistance。简称GMR)效应.1988年M.N.Baibich首先报导了在Fe/Cr金属多层膜中发现了具有50%的巨磁电阻效应,受到了各国科学家的重视.IBM公司在1997年宣称巨磁阻效应可被用于制作硬盘驱动器的读出磁头,并预计仅仅采用新的GMR材料就可以使原来每张磁盘的容量由1G提高到20G.巨磁阻效应的另外的重大应用是永久磁存储器和GMR传感器.  相似文献   

11.
介绍了巨磁电阻材料及器件在计算机高密度读出磁头、随机存取存储器领域的应用,描述了其工作原理、性能特点,并对今后应开展的研究和应用作了展望。  相似文献   

12.
提出一种唯象的量子模型研究纳米磁颗粒膜在外磁场下的磁学性质 .用玻恩近似方法计算了两类不同磁相的颗粒膜的磁电阻 .结果表明 ,磁颗粒的平均散射截面随着原子数的增加而减少 ;巨磁电阻来源于传导电子与磁颗粒之间的与自旋有关的散射 .磁电阻随外磁场和磁矩的变化与已报道过的实验符合  相似文献   

13.
本文通过热力学函数半定量地讨论了磁性材料的磁力效应、磁热效应,并定性地介绍了磁电阻效应和磁光效应及其应用.  相似文献   

14.
基于电阻探针腐蚀监测的原理,研制了适合气田环境的ER400电阻探针腐蚀监测仪,其仪器电阻分辨率可达到0.5(腐蚀速率灵敏度达到了0.1m/a)。用其所研制的电阻探针腐蚀监测设备与实验室的电化学极化测试和靖边气田现场磁阻探针、挂杆失重试验相比,发现其测量的腐蚀速率与室内和现场测试结果十分接近。说明ER400电阻探针腐蚀监测仪器的可靠性,达到了国内外同等仪器的先进水平。  相似文献   

15.
In this paper,the sensors array technique is applied to the quality detection of aluminum alloy spot welding.The sensors array has three forms,i.e.,linear magnetic sensors array,annular magnetic sensors array and cross magnetic sensors array.An algorithm based on principal component analysis is proposed to extract the signal eigenvalues.The three types of magnetic sensors array are used in the experiment of monitoring the signal.After the eigenvalues are extracted,they are used to build a relationship with ...  相似文献   

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The 2007 Nobel Prize in Physics was awarded to Albert Fert and Peter Grünberg for the discovery of giant magnetoresistance (GMR). GMR is achieved in metallic multilayers, where the resistance of the multilayer changes considerably by the application of a magnetic field. This has paved the way for high density data storage in magnetic media. (left) Debakanata Samal is a research scholar at the Deaprtment of Physics at IISc, Bangalore. His research interests are in magnetotransport in oxide multilayers, spintronics. (right) P S Anil Kumar is an Asst. Professor at the Department of Physics, IISc Bangalore. His research interests are in spintronics, magnetic nano-structures, surface-and thin-film magnetism, magnetotransport in metallic multilayers and oxides, and spin-polarized electron scattering.  相似文献   

17.
含有纳米晶带的电感线圈与电容组成LC串联电路有固有谐振频率。通过实验研究了含有Fe基纳米晶带的电感线圈与电容串联电路谐振频率随外磁场变化的关系,讨论了磁致频移现象的原因。通过实验还研究了含有Fe基纳米晶带的电感线圈与电容串联电路在谐振频率的交变电流驱动下的巨磁阻抗效应。  相似文献   

18.
该文介绍光学脉冲磁场传感器的特点及实用化进程中存在的问题,理论分析了尺度因子对光学传感器测量精度的影响.通过对传统的尺度因子的计算算法进行改进,导出一般情况下尺度因子的理论表达式;提出提高光学脉冲磁场传感器尺度因子的方法:通过合理设置偏振角可以改变尺度因子进而提高光学脉冲磁场传感器的性能;实验测量出尺度因子的值,结果表明尺度因子理论值和实验测试数据可以保持一致.  相似文献   

19.
通过对进入电阻和电容器内的能流的计算,分析了电源能量的传输问题.结果表明,电源的能量是通过电磁场传输出去的,通电电线的作用是提供所需的电磁场.  相似文献   

20.
通过射频磁控溅射的方法制备了Ta掺杂SnO2薄膜,研究了薄膜的结构和低温下电阻率随磁场的变化规律.测量表明低温下呈现出负的磁电阻,但是,二维、三维弱局域理论均不能解释样品中出现的负的磁电阻现象.综合考虑了三阶微绕近似的s-d交换哈密顿的半经验公式Δρ/ρ=-B12ln(1+B22H2))和双能带模型的相关公式Δρ/ρ=B32H/(1+B42H2)拟合了样品在5 T以下的磁电阻的数据,理论和实验符合得很好.结果表明Ta掺杂SnO2薄膜中的磁电阻源于局域磁矩的传导电子散射.  相似文献   

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