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1.
《商洛学院学报》2017,(2)
采用溶胶-凝胶法提拉镀膜制备Sn掺杂ZnO薄膜,研究了空气退火、高真空退火(10-2Pa)、低真空退火(1 Pa)和循环退火四种条件下Sn掺杂浓度对SZO薄膜光电性能的影响。结果表明:四种退火条件下不同Sn掺杂浓度时制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有C轴择优取向生长特性,当Sn掺杂浓度为5 at.%时SZO薄膜的结晶生长最好。高真空退火条件下Sn掺杂浓度为3 at.%时,电学性能最优,其电阻率可达到5.4×10(-2)Ω·cm。当Sn掺杂浓度小于3 at.%时,薄膜的可见光区平均透过率均大于85%,当掺杂浓度高于3 at.%时,薄膜的透过率随着掺杂浓度的增大而降低。 相似文献
2.
为了在低温衬底(＜ 500℃)上制备出高品质纳米金刚石薄膜,使用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法,用甲烷、高纯氢为源气体,P型Si (100)为衬底材料,在低温条件下合成了纳米金刚石薄膜,利用Langmuir探针对合成过程进行了实时原位诊断,研究了电子温度Te和电子密度ne的空间变化规律,探讨薄膜生长机理.对所合成的样品,利用扫描电子显微镜、Raman光谱仪、X射线衍射进行了分析.结果表明,实验所得样品为高品质、结晶完善、表面光滑的纳米金刚石薄膜,SEM形貌表明薄膜中晶粒的粒度为40～90 nm,Raman光谱在1331.5 cm-1处出现了金刚石的(111)特征声子峰.XRD谱在2θ =43.90、75.30处出现了金刚石的(111)、(220)特征衍射峰.实验得出了低温合成纳米金刚石薄膜的最佳工艺条件:①甲烷体积百分比浓度为0.6％;②反应室气压为5 kPa;③气体流量在1100～1300 mL/min范围内成核密度较高,并以(100)、(111)面为主,晶粒的平均粒度小于100 nm;在流量为1300 mL/min时,晶粒的生长表现为一定的定向生长. 相似文献
3.
利用第一性原理研究N掺杂后的金刚石(100)和(111)表面的形成能和电子结构,结果表明,无论是金刚石(100)表面还是(111)表面,替位式N在不同的成键情况、不同的掺杂深度时,既可以得到n型金刚石又可以得到p型金刚石,并且得到的施主能级相比较块体要浅.随着N掺杂深度的增加所需形成能越来越大,这表明不能无限度被掺杂.从空间结构上看,优化后的体系中N与C及N与H间的化学键长均变短,这可能是由于N比C具有更强的电负性,使得N与其周围原子间的相互作用更强. 相似文献
4.
用凝胶溶胶（sol—gel）法在普通截玻片和si上生长了稀土La掺杂ZnO薄膜,稀土La^3＋离子和Zn^2＋浓度摩尔比分别为1％,2％,3％．通过X射线衍射仪（XRD）、紫外可见分光光度计（UVS）、原子力显微镜（AFM）、光致发光（PL）等对薄膜的结构、光学特性、形貌进行表征,结果显示不同浓度La掺杂的ZnO薄膜均为六角纤锌矿结构,薄膜表面颗粒均匀平整,随着掺杂浓度的提高,La掺杂ZnO薄膜的紫外发光峰出现蓝移现象． 相似文献
5.
采用溶胶凝胶工艺,分别在普通载玻片和Si片上生长了不同浓度的Er掺杂ZnO薄膜,稀土Er3＋与Zn2＋的摩尔比分别为1%、2%、3%,所得薄膜采用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外可见分光光度计（UVS）、光致荧光光谱（PL）对样品的结构、形貌和发光进行表征.结果表明掺杂后的样品仍为六角纤锌矿结构,随着掺杂浓度提高,掺杂样品的XRD衍射峰向大角方向微移,透射边向短波方向微移,紫外发光峰的强度逐渐增强,表面均呈颗粒状且尺寸逐渐减小. 相似文献
6.
金刚石薄膜的制备与热丝温度、衬底温度、工作室压强及反应气体浓度有关,氢原子具有抑制石墨生长的作用,衬底的表面处理对金刚石薄膜的生长有很大影响。本文还试图用晶体生长和相变理论解释金刚石薄膜的生长过程。 相似文献
7.
本文利用第一性原理赝势平面波方法计算分析了不同浓度稀土Y掺杂CdS的光电性质.计算结果表明:不同浓度的稀土Y掺杂后,CdS的晶体结构发生了改变,晶格常数及晶胞体积随掺杂浓度的增加而增大,能带明显增多、变密,价带和导带均明显向下移动,费米能级进入导带中,导电类型变为n型的直接带隙半导体且带隙有所展宽.随着稀土Y浓度的增加,CdS的静态介电常数、反射率峰值及能量损失函数峰值明显减小,吸收系数峰值明显增大.以上结果可为充分开发和利用稀土掺杂CdS材料调制其光电性质的研究提供理论依据. 相似文献
8.
《实验室研究与探索》2017,(6):13-17
采用直流磁控溅射技术,在Si表面沉积了Pd掺杂MoS_2(Pd:MoS_2)薄膜,形成了Pd:MoS_2/Si异质薄膜太阳能电池器件,并综合利用拉曼光谱、紫外-可见光谱、紫外光电子能谱和伏安曲线测量等技术分析了Pd掺杂浓度(x%)对MoS_2薄膜微结构及Pd:MoS_2/Si异质薄膜器件光伏性能的影响。拉曼光谱结果表明,Pd掺杂明显改变了MoS_2薄膜中A_(1g) 晶格振动,而几乎不影响E_(2g)~1晶格振动。在模拟太阳光照射条件下,伏安性能测试结果显示:随着Pd掺杂浓度的增加,Pd:MoS_2/Si异质薄膜器件的光伏性能显著增强;当x=1时,器件表现出最佳的光伏效果,转化效率达到4.6%;继续增加Pd掺杂浓度,器件的光伏性能则逐渐减弱。进一步通过紫外-可见光光谱和紫外光电子能谱分析,构建了Pd:MoS_2/Si界面能带结构,阐释了Pd掺杂对器件光伏性能的影响机制。 相似文献
9.
采用溶胶凝胶的化学溶液沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了不同浓度(0,0.05,0.1 at.%)的Mn掺杂铁酸铋薄膜.薄膜晶体结构的X射线衍射结果显示不同浓度掺杂的薄膜平均晶粒尺寸相差并不大,而薄膜的漏电流分析则表明5%Mn掺杂的铁酸铋薄膜比未掺杂和10%Mn掺杂的薄膜漏电流要小.此外,通过薄膜的铁电性能测试发现5%Mn掺杂的铁酸铋薄膜比未掺杂和10%Mn掺杂的薄膜的铁电性能也要好.根据缺陷化学理论,由氧空位的电荷补偿引起的Fe离子和Mn离子价态变化是产生这一结果的主要原因. 相似文献
10.
我们知道,在众多的CVD金刚石薄膜的合成方法中,热丝CVD法具有研制设备简单,实验参数易于控制,生长面积大等优点,是距产业化应用较近的一种制备技术。但该方法存在着生长速度低、质量差、制备成本较高的不足。而光—电子复合CVD法制备金刚石薄膜则可以大幅度地提高膜的生长速度和质量,并降低制备成本。光—电子复合CVD法使CVD法金刚石薄膜具有实用价值,形成产业技术,但同时需要解决生长厚薄、生长速度、冷却、密封、质量等一系列问题。 相似文献
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1 Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ Ｂｅｃａｕｓｅｏｆｔｈｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｏｆａｎｕｍｂｅｒｏｆｆａｖｏｒａｂｌｅｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ,ｓｕｃｈａｓｈｉｇｈｈａｒｄｎｅｓｓ,ｈｉｇｈｃａｒｒｉｅｒｍｏｂｉｌｉｔｙａｎｄｂｒｅａｋｄｏｗｎｖｏｌｔａｇｅ,ｌａｒｇｅｂａｎｄｇａｐ ,ｌｏｗｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｃｏｎｓｔａｎｔ,ａｎｄｔｒａｎｓｐａｒｅｎｃｙｔｏｖｉｓｉｂｌｅｌｉｇｈｔ,ＩＲｌｉｇｈｔａｎｄｍｉｃｒｏｗａｖｅｓ,ｅｔｃ.[1] ,ｄｉａｍｏｎｄｆｉｌｍｈａｓｂｅｅｎｃｏｎｓｉｄｅｒ ａｂｌｙｐｒｏｍ… 相似文献
12.
王万录 《重庆大学学报(英文版)》2003,2(2)
1. Introduction Recently, carbon nanotubes have attracted a lot of interest because of their outstanding electrical properties and their potential application as a possible material for fabrication of cold cathodes [1-3]. It was found that the field enhancement from carbon nano-tubes exhibited large local field enhancement and considerable field emission currents at relatively low applied voltage. Carbon nanotube-based field emission displays have been fabricated using well-aligned nano-tubes … 相似文献
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单源超声雾化室实验系统在制备掺杂薄膜时,由于制备前驱源溶液与掺杂溶液混合在同一个雾化室,几种不同的溶液之间相互影响,对制备高质量的掺杂薄膜非常不利;同时单源超声雾化室的沉积速度较慢,不利于向工业化方向转化;双源超声雾化室避免了在制备掺杂薄膜时掺杂溶液和源溶液混合而互相污染的弊病,从根本上解决了单源超声雾化热喷涂法制备掺杂薄膜存在的问题;同时衬底取向朝下,采用竖直向上的供料方式沉积薄膜,利用重力直接筛选大雾滴,沉积薄膜的雾滴粒径分布更加集中。 相似文献
14.
采用微波等离子体CVD法,在其它生长条件和参数不变情况下,研究温度对制备金刚石膜的影响.通过扫描电镜、X射线衍射分析仪和拉曼光谱对样本的形貌和金刚石膜的质量进行了表征. 相似文献
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文章采用磁控溅射的方法在n型硅基底上制备了CoN和SiN薄膜,再用薄膜测厚仪和四探针测试仪(EPP)测出样品的厚度及方块电阻,得到制备CoN和SiN薄膜的优化条件,然后由CoN和SiN薄膜制备出CoSiN薄膜. 相似文献
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研究了利用RFCVD技术,在铝片等基体表面沉积类金刚石膜。对膜的硬度、电阻率、附着力进行分析发现,在合适的气体流量比和射频功率密度下,这些性能可显著提高。 相似文献
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简单介绍了金刚石膜的化学气相沉积的主要方法、应用及其最新进展,并对各种方法的优缺点作了简要说明。 相似文献
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High resistance thin film chip resistors(0603 type) were studied,and the specifications are as follows:1 k? with tolerance about ±0.1% after laser trimming and temperature coefficient of resistance(TCR) less than ±15×10-6/℃.Cr-Si-Ta-Al films were prepared with Ar flow rate and sputtering power fixed at 20 standard-state cubic centimeter per minute(sccm) and 100 W,respectively.The experiment shows that the electrical properties of Cr-SiTa-Al deposition films can meet the specification requirements of 0603 type thin film chip resistors when the deposition time was about 11 min and deposition films were annealed at 500 ℃ for 120 min.The morphologies of Cr-Si-TaAl film surfaces were examined by scanning electron microscopy(SEM).The analysis suggests that Ta and Al may be distributed in CrSi2 film with mixed form of several structures(e.g.,bridge-like,capillary-like or island-like structures),and such a structure distribution is responsible for high film resistance and low TCR of Cr-Si-Ta-Al film. 相似文献