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1.
晶体二极管的主要内部结构为PN结,故晶体二极管具有单向导电性能,且其单向导电性能随PN结掺杂浓度和晶体二极管所处的环境温度的改变而改变。晶体二极管属于非线性元件,理论推导可知其伏安特性曲线为指数曲线。
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2.
文章采用磁控溅射的方法在n型硅基底上制备了CoN和SiN薄膜,再用薄膜测厚仪和四探针测试仪(EPP)测出样品的厚度及方块电阻,得到制备CoN和SiN薄膜的优化条件,然后由CoN和SiN薄膜制备出CoSiN薄膜。
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文章采用磁控溅射的方法在n型硅基底上制备了CoN和SiN薄膜,再用薄膜测厚仪和四探针测试仪(EPP)测出样品的厚度及方块电阻,得到制备CoN和SiN薄膜的优化条件,然后由CoN和SiN薄膜制备出CoSiN薄膜.
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4.
文章基于密度泛函理论讨论了（闪锌矿结构（B3）和氯化钠结构（B1））GaN的晶体结构、相变压强和弹性性质。并用等焓原理获得B3→B1的相变压强为44．6Gpa,与相关的理论结果吻合较好。根据弹性模量与弹性常数的关系,详细讨论了B3→B1弹性性质随着压强的变化关系。
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