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相似文献
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1.
采用气相流动吸附法制备了TiO2/SiO2复合载体,用浸渍法制备了WO3/(TiO2/SiO2)催化剂,应用,XRD和LRS等技术研究了TiO2在SiO2表面及WO3在TiO2/SiO2复合载体表面上的分散状态.结果表明,TiO2在复合载体中的载量低于其分散阈值时,它在SiO2表面呈单层但非密置单层分散;WO3在催化剂中的载量低于其分散阈值时,它在复合载体表面亦呈单层但非密置单层分散.TiO2在SiO2表面上的分散可改善WO3的分散状态,提高WO3在SiO2表面上的分散阈值.  相似文献   

2.
采用六水硝酸铈和氢氧化钠为反应物,用水熟合成法制备了纳米Ce02.并以不同合成条件下得到的CeO2为栽体,担载了相同含量的贵金属Au,制备了具有高活性的Au/CeO2催化荆.实验结果发现,以CeO1-2h为载体的催化剂在高温区易展现出较好的活性,而以CeO2-10h为载体的催化剂在低温区易展现出较好的活性.说明载体结构对催化荆的CO催化氧化活性有决定性的作用.  相似文献   

3.
用共沉淀法制备TiZrO4复合氧化物,并作为载体。采用等体积浸渍法担载CuO制成CuO/TiZrO。催化剂,考察其在富氧条件下以CH4作还原剂催化还原NO的性能,研究了CuO负载量、反应温度对NO转化率的影响。结果表明CuO负载量为20%时催化活性最好,反应温度为200℃时,NO转化率可达65%。  相似文献   

4.
本文研究了Cu—Cr—Mo/SiO2三元复合加氢催化剂的制备工艺和寿命。结果表Cu—Cr—Mo/SiO2三元复合加氢催化剂的制备工艺稳定可靠,切实可行,各元素含量可社控制.在芳香旋硝基化合物加氢还原的反应中,本催化剂性能较现在工业上所采用的改性单铜催化剂有较大提高,一次寿命负荷超过单铜50%以上,最高达176%.  相似文献   

5.
以Mo-K2O-CuO/Fe2O3催化乙苯脱氢制苯乙烯,考察了催化荆的制备条件和反应过程条件对乙苯脱氢反应活性和苯乙烯选择性的影响.结果表明,催化荆的焙烧温度为800℃,焙烧时间为4h,苯乙烯脱氢反应的温度为580~600℃,压力为0.1Mpa,以及乙苯液空速为0.6h^-1水蒸气与乙苯的质量比为1.6时,乙苯脱氢反应活性和苯乙烯选择性最好,  相似文献   

6.
采用原位合成法以碳纳米管(cNTs)为载体制备了Cu2O/CNTs复合催化剂。初步考察了复合催化剂对X-3B溶液的光催化降解性能,并对光催化降解动力学进行了研究。  相似文献   

7.
量子尺寸TiO/SiO2复合微粒的制备与光催化性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用改进的溶液-凝胶方法,制备出TiO2及不同配比的TiO2/SiO2粉末,利用XRD,BET,UV-vis等手段研究了微粒的表面结构形态变化,以及对污染物NO2^-光催化降解的影响。研究表明,TiO2/SiO2复合微粒的光催化活性明显高于TiO2微粒,并且质量比m(Ti):m(si)=2:1时催化降解NO2^-最佳。制得TiO2微粒以锐钛型高度分散在TiO2网络中,粒径约12nm,并与TiO2形成Si-O-Ti桥氧结构,提高了TiO2微晶的热稳定性,UV-vis吸收光谱显示复合微粒的光谱吸收发生蓝移,极利于吸附降解NO2^-。  相似文献   

8.
固体磷酸催化剂的催化性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用浸溃法制备了固体磷酸催化剂,并将其用于催化乙酸乙酯合成。考察了固体磷酸催化剂制备过程及酯化反应过程中各因素对反应的影响。研究结果表明,当催化剂用量为冰醋酸质量的30%,醇酸摩尔比为3/1,反应时间为2.0h时,酯化率可达70.3%。  相似文献   

9.
采用溶胶-凝胶法制备了复合型Fe2O3-TiO2-SiO2光催化荆利用FTIR、XRD等测试手段对其结构进行了表征。通过研究Fe“掺入量、催化荆用量、光催化降解时间及催化剂吸附实验、催化反应动力学实验,探讨了光催化剂降解头孢氨苄的条件。实验结果表明:在自然光照的条件下。该催化荆对试液中头孢氨苄的吸附率达48%。120min紫外光照射可使头孢氨苄降解率达90%,降解率随着催化剂用量增加而增加。Fe^3+掺杂量为2.5%的催化荆催化活性最好。头孢氨苄光催化降解反应中。速率常数(K)与头孢氨苄的初始浓度Cod呈0.40级的动力学关系。  相似文献   

10.
在无溶剂、无相转移催化荆条件下,以过渡金属离子作为催化剂,碳酸钠作为碱性添加物,30%过氧化氢作为氧源,在常温搅拌下来催化氧化苯甲醛制备苯甲酸。最佳实验条件为:n(苯甲醛)/n(碳酸钠)/n(催化剂),n(过氧化氢)为100:3:0.5:196,反应时间为1h,苯甲酸产率达84.2%。  相似文献   

11.
采用共沉淀法以不同的Mg^2+、Al^3+与Cu^2+摩尔比制备一系列的镁铝铜三元类水滑石(Cu/Mg/Al—HTLc)。并研究了镁铝铜类水滑石的焙烧产(HTLc-500)对阴离子染料茜素黄GG的吸附特征。分别考察了不同镁铝铜摩尔比的HTLc-500、吸附剂投放量、反应温度、染料的初始浓度等因素对HTLc-500吸附阴离子染料茜素黄GG的影响。结果表明,对于合有20mg/L的茜素黄GG模拟废水溶液,镁铝铜摩尔比为8:10:22的类水滑石,投放量为25mg。在25℃下反应360min。去除率可达到99.14%。  相似文献   

12.
运用溶胶-凝胶(sol-gel)法,在SiO2/Si衬底上制备了BiFeO3薄膜.研究表明,退火温度、退火时间分别为500%、1h的条件下,并且运用XRD及表面扫描电镜(SEM)分析,可制备出纯相的BiFeO3薄膜,R3m点群.  相似文献   

13.
5-氟尿嘧啶与Mg2+配位选择性的理论研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
在B3LYP/6-31G(d,p)、B3LYP/6—31IG(d,p)水平上对5-氟尿嘧啶(5-FU)与Mg2+配合物几何结构、稳定性进行研究,计算结果显示5.FU…Mg2+(F1206)配合物稳定性更高,NBO分析表明06、09与F12位点孤对电子杂化方式不同,与Mg2+作用也存在一定差异。  相似文献   

14.
利用磁控溅射的方法在n型硅基底制备了Cu/CoN/Si(100)和Cu/CoSiN/Si(100)薄膜,并对它们进行了不同温度的退火.用原子力显微镜观察了它们的表面形貌.用扫描透射电镜能谱分析法得到了在不同退火温度下铜在上面两种薄膜中浓度与表面距离的分布,然后利用菲克第二定律对Cu/CoN/Si和Cu/CoSiN/Si体系中cu的扩散进行了计算和分析,得出中温条件(300℃-700℃)下Cu在CoN和CoSiN两种薄膜中的扩散系数表达式分别为8.98×10^-13exp(-0.45eV/kT)cHf/s和5.39×10^-11exp(-0.49eV/kT)Cm2/s.  相似文献   

15.
采用包渗法在钼表面原位制备了(Mo,W)Si2-Si3N4复合涂层,考察了其在大气中于500℃和600℃等温循环的氧化性能,利用XRD和SEM等研究了其组织形貌.结果表明:(Mo,W) Si2-Si3N4涂层具有良好的低温抗氧化性,其在空气中500℃和600℃氧化480 h的氧化速率分别为0.0145 g/(m2·h)和0.0191g/ (m2·h),归因于涂层氧化表面形成了致密的SiO2膜.  相似文献   

16.
该文利用第一性原理计算对Mg60Cu30Y10合金进行了模拟研究,分析Mg60Cu30Y10合金的几何特征:双体关联函数、三体关联函数、空间关联系数,并利用Voronoi拼砌方法对Mg60Cu30Y10合金的结构做了分析.计算发现Mg60Cu30Y10合金中Mg原子的环境与晶态Mg2Cu中的环境类似,而Cu-Y、Y-Y之间的关联对于合金的性能起着决定性的作用.  相似文献   

17.
以NH4VO3为原料,(NH4)2S2O8为浸渍液,添加少量稀土Ce^4+,用沉淀-浸渍法制备出新型S2O8^2-/V2O5-CeO2固体超强酸催化剂,以合成乙酸苄酯作为探针反应考察不同条件下制备的超强酸的催化活性。研究发现,当加入CeO2量为催化剂总量的1.0%,焙烧温度为500℃,浸渍液浓度为1.5mol/L,焙烧时间为3h时,催化剂的活性最好。  相似文献   

18.
采用共沉淀法制备Fe3O4微粒,后用四乙氧基硅烷(TEOS)将其表面包覆SiO2,得到Fe3O4/SiO2,分别在Fe3O4粒子和Fe3O4/SiO2粒子上键合葡萄糖和蔗糖,得到四种复合磁性材料:Fe3O4-葡萄糖(F-G)、Fe3O4-蔗糖(F-S)、Fe3O4/SiO2-葡萄糖(F-S-G)、Fe3O4/SiO2-蔗糖(F-S-S)。合成材料用IR进行表征,结果表明,蔗糖和葡萄糖已成功修饰。以甲苯、二甲苯、苯乙烯的混合溶液为目标物,考察四种材料对芳香烃类化合物吸附性能,实验表明,四种材料均有较好的的吸附效果,其中F-S和F-S-G吸附性能尤佳。  相似文献   

19.
从第一性原理出发,采用密度泛函理论(DFF)的杂化密度泛函B3LYP方法,在6—31G(d)全电子基组水平上对Mg6B14笼状结构团簇进行了结构优化和频率分析,同时对团簇的能隙、结合能等电子性质进行了分析,用自然键轨道(NaturalBondOrbital,NBO)方法分析了团簇的电荷布局特性和成键性质。结果表明,电荷从Mg原子上转移到B原子上,主要是位于环上的B原子之间成键。B原子主要是sp杂化形成的π键、大π键,Mg原子主要是S轨道参与成键。  相似文献   

20.
利用密度泛函理论的赝势平面波方法对 Mg2Si 晶体的结构进行了几何优化,在优化的基础上对电子结构、弹性常数与热力学性质进行了第一性原理计算.结果得到 Mg2Si 是一种带隙为 0.2846eV 的间接带隙半导体;其导带主要以 Mg 的 3p、3s 与Si 的 3p 态电子构成;弹性常量 C11= 114.39GPa、C12= 22.45GPa、C44= 42.78GPa;零温度与零压下的德拜温度为 676.4K.运用线性响应方法确定了声子色散关系,得到 Mg2Si 的等容热容、德拜温度、焓、自由能、熵等热力学函数随温度变化的关系.  相似文献   

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