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相似文献
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1.
本文介绍了以高纯硅为靶材,利用直流磁控溅射法在P型硅(111)衬底上生长硅纳米晶体薄膜,并在600摄氏度温度下退火处理。应用扫描电镜观察发现制备的硅纳米晶体粒度均匀,薄膜粗糙度小。X射线衍射仪分析发现硅纳米晶体具有(201)晶面取向生长的特点。与块体材料相比,硅纳米晶体不仅具有良好的电学性能,还具有良好的光学性能,其吸收谱包含本征、激子和自由载流子等丰富的吸收峰。  相似文献   

2.
采用Nd:YAG纳秒脉冲激光.在不同能量下对沉积在石英衬底上的非晶硅薄膜进行辐照.光学显微镜,透射电镜、微区喇曼光谱分析表明,在能量50-60mJ/cm2辐照下,可制备出具有周期性排列的条纹结构,能量过大会使薄膜受损,激光辐照后薄膜组织的有序度提高.  相似文献   

3.
采用热阴极PCVD法,在CH4/H2的混合反应气源中通入不同气体(氩气、氮气)在P型(100)硅衬底上,合成了纳米金刚石膜。结果表明:Ar-90%时,金刚石薄膜表面晶粒尺寸达到纳米量级,在表面出现二次形核现象;N2-1%时,金刚石薄膜表面晶粒细化,晶界和缺陷增多,出现纳米级"菜花状"结构,氮气对金刚石晶粒有一定刻蚀作用出现凹陷生长现象。  相似文献   

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