共查询到20条相似文献，搜索用时 46 毫秒
1.
ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,其中关于Mn掺杂ZnO的磁性研究有很多报道。文章对不同方法及条件制备的Mn掺杂以及Mn与其它元素共掺杂ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了整理和归纳。总结发现,铁磁性可能源于样品的内禀性、晶格中Zn替代、缺陷、裁流子调制等。 相似文献
2.
陈学梅 《安徽教育学院学报》2010,28(6)
由于稀磁半导体(DMS)潜在的应用前景,近年来许多研究小组开始了对过渡金属(TM)掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究。综述了TM掺杂ZnO的磁性起源的三种理论解释,并且调研了几种不同的TM掺杂对ZnO薄膜结构和性能的影响,特别是对磁学性质的影响。 相似文献
3.
稀磁半导体（DMS）材料同时利用了电子的电荷和自旋属性,具有优异的磁、磁光、磁电等性能,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景.ZnO基稀磁半导体材料的研究主要集中在：（1）优化生长参数,获得高质量的薄膜;（2）选择不同的掺杂元素与掺杂量,通过单掺杂或共掺杂技术,提高材料的居里温度,奠定其应用的基础. 相似文献
4.
ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,其中关于Co掺杂ZnO的磁性研究有很多报道。本文对不同方法及条件制备的Co掺杂ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了归纳总结,分析发现铁磁性可能源于载流子调制、晶格中的氧空位、杂质相、交换作用等。 相似文献
5.
为了研究稀磁半导体Co/TiO2薄膜的微观结构和磁性,进一步探讨制备工艺和测量方法对稀磁半导体薄膜材料的影响。通过高真空对靶直流磁控溅射装置和原位退火工艺制备了Co/TiO2薄膜样品,然后利用扫描探针显微镜、振动样品磁强计和X射线衍射仪对所制得的薄膜样品的磁性和微结构进行了研究,发现磁性金属Co的掺杂量对Co/TiO2薄膜的结构及磁性有重要影响。结果表明:样品的表面粗糙度和颗粒尺寸随磁性金属含量升高而增大;随着Co百分含量的升高,形成的薄膜样品Co/TiO2和Co金属混合结构会减小矫顽力;对于Co含量较低样品其磁滞回线的斜率在低温测量时得到的结果明显小于室温环境的结果,归因于受到了顺磁相的影响。由X射线衍射结果可知此时样品为锐钛矿结构。 相似文献
6.
7.
稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷属性和自旋属性,这使其成为了一个研究的热点。但是,针对它们的室温铁磁性的起源仍然存在较大的争议。文章通过介绍正电子湮没技术及其在表征材料缺陷中的独特应用,讨论了正电子湮没技术在研究氧化物稀磁性半导体室温铁磁性起源中的独特优势。 相似文献
8.
《常熟理工学院学报》2016,(4)
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算对C_2N纳米带的磁性和电子特性进行了研究.对宽度最小的zigzag类型的纳米带,考虑了边缘原子的无H饱和(ZCNNR)、部分H饱和(ZCNNR-H)和完全饱和(ZCNNR-2H)3种情况.通过对其磁性和电子特性的分析发现,ZCNNR和ZCNNR-H的单胞磁矩分别为12μ_B和4μ_B,并表现出自旋半导体的特性,而ZCNNR-2H表现出非磁的半导体性质.进一步通过对自旋电荷密度的分析发现,其磁性和电子特性与边缘的N原子的H饱和密切相关. 相似文献
9.
研究了双磁垒量子结构中,磁场强度和偏压大小对电子自旋极化输运的影响。结果表明:零偏压下,电子在反平行等强磁垒结构中输运不会产生自旋极化;电子传输的阈值能量随磁场强度或偏置电压的增大而增大;在一定的磁场强度和偏压大小下,比较由半导体InAs和GaAs两类材料构成的量子结构中电子输运自旋极化度,发现它们的电子输运自旋极化度都随入射能量的增大而呈振荡衰减趋势,朗德有效因子高的InAs材料比GaAs的自旋极化度高出一个数量级。 相似文献
10.
磁调节二维电子的输运 总被引：2，自引：0，他引：2
研究了电子通过一般的真实磁调节纳米结构的隧穿性质,其中磁调节纳米结构由被磁化的细长磁条沉积在典型的GaAs/GaAlAs 半导体异质结表面上形成的。电子隧穿这种磁纳米结构展示了有趣的波矢滤波特色,而且,其共振隧穿性质强烈地依赖于磁条被磁化的方位。这些结果暗示了调节系统中磁条的磁化方向可以剪裁这类磁纳米结构中电子的隧穿性质。 相似文献
11.
杨晓翠 《通化师范学院学报》2022,(12):24-28
该文基于密度泛函理论(DFT)的 CASTEP 软件包,对掺杂不同浓度 La 的 LiMPO4(M=Fe,Mn)的晶胞结构和 Li+扩散进行研究 . 通过对超胞内的 Fe 和 Mn 进行替换,使 La 的掺杂浓度分别为1/16、1/8 和 1/4. 对比晶格常数发现,伴随 La 浓度的增加晶胞常数 a 增大 . 比较不同浓度掺杂体系带隙的变化和费米面附近的态密度图,发现 Fe 和 Mn 原子价电子数目的不同是导致体系电子结构不同的根本原因 . 通过构建 Li 空位模拟 Li+扩散的始末状态,研究不同浓度 La 掺杂对扩散势垒和扩散系数(扩散速率)的影响,发现 LiFePO4与 LiMnPO4均随着 La 掺杂浓度的增加 Li+扩散速率降低;La 掺杂浓度为 1/16 时 LiFePO4体系中 Li+的扩散速率具有最大值 . 相似文献
12.
采用电弧熔炼的方法制备了Dy（Co1-xMnx）2系列合金,并对其磁性和相变进行了研究.随着Mn含量的增加,晶格常数逐渐增大,同时居里温度逐渐提高.Mn的加入使相变类型从一级相变变为二级相变、使磁熵变大小有所降低.研究结果表明该系列合金在磁制冷领域有潜在应用价值. 相似文献
13.
邓小辉 《衡阳师范学院学报》2012,(6):34-38
采用第一原理密度泛函理论计算研究了铁原子掺杂入六角氮化硼层中的磁行为。发现铁诱发了六角氮化硼层的自旋分裂,铁d电子的占据也明显发生变化。通过密里肯标准布居分析判断,体系表现出来的磁矩主要由铁的3d电子捐献。论文丰富了分子磁铁的研究并指出了一条增强分子体系磁性的方法。 相似文献
14.
研究了Mn掺杂对Er(Co1-xMnx)2合金的晶体结构、相变类型和磁热效应的影响.随着Mn含量的增加,合金的晶体结构不变,但是晶格常数逐渐增加,同时居里温度逐渐升高.当x≤0.06时,样品的磁相变为一级相变,表现出较大的磁熵变;而x=0.08时,样品经历铁磁到顺磁的二级相变,磁热效应大大降低.在一级相变和二级相变的临界点x=0.06,样品具有较大的磁熵变,几乎没有磁滞现象.因此,将相变调控到一级相变和二级相变的临界点是优化磁热效应的一种有效方法. 相似文献
15.
从多铁材料出发,介绍了三角反铁磁多铁材料ACrO2（A=Li,Na,K,Ag或Cu）的最新研究进展．这类多铁材料的磁性和铁电性存在很强的耦合和相互调控效应,铁电性来源于非共线螺旋自旋序,具有丰富的物理内涵,在自旋电子学等领域有着广阔的应用前景．基于密度泛函理论（DFT）的投影扩充波（PAW）方法,在广义梯度近似（GGA）下,对AgCrO2的磁结构和磁电性质进行了研究．共线磁结构计算结果表明,AgCrO2材料具有条纹反铁磁基态．态密度分析显示,Cr^3＋对体系的物理性质起决定性作用．通过非共线磁性结构计算,分别给出了平行于（110）而（11^-0）面内120°自旋构型．AgCrO2与（11^-0）具有很强的层内耦合作用,而层间耦合作用非常微弱,是典型二维三角格子Heisenberg材料． 相似文献
16.
提出了复合磁垒的概念并研究了复合磁垒纳米结构中电子的隧穿输运性质.对照相应的非复合磁垒结构,这种磁纳米结构大大增强了电子的波矢滤波特性.当考虑电子的自旋与非均匀磁场的相互作用,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应. 相似文献
17.
提出了复合磁垒的概念并研究了复合磁垒纳米结构中电子的隧穿输运性质.对照相应的非复合磁垒结构, 这种磁纳米结构大大增强了电子的波矢滤波特性.当考虑电子的自旋与非均匀磁场的相互作用,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应. 相似文献
18.
基于杂化磁调制量子结构,我们从理论上提出了一电子自旋过滤器,并研究了其自旋输运性质.实验上,其可以通过在半导体异质结表面沉积磁化方向不同的铁磁条带形成.通过对真实InAs 材料系统的计算,发现这种系统具有很强的电子自旋极化效应,其自旋极化度在共振时几乎达到100%.因此,该结构可以用于电子自旋过滤器. 相似文献
19.
提出了复合磁垒的概念并研究了复合磁垒纳米结构电子的隧穿输运性质。对照相应的非复合磁垒结构，这种磁纳米结构大大增强了电子的波矢滤波特性。当考虑电子的自旋与非均匀磁场的相互作用，这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。 相似文献
20.
在对锰氧化物的晶体结构、电子结构和电子态及其CMR效应的可能机理进行全面论述的基础上,报道作对La0.67Ca0.33MnO3掺Ga磁电阻的研究,实验结果表明Ca掺杂破坏了DE作用,使电阻率上升而磁胡序转变推移到低温,但值得强调指出的是,Ga掺杂使磁电阻效应显提高,证明Mn位元素替代是提高CMR的一种可能机理。 相似文献