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1.
介绍了一种应用于下一代移动通信系统的高性能宽带射频收发信机的实现.本射频收发信机工作在6～6.3GHz频段,信道带宽达到100MHz,工作在时分双工模式并支持IMT-advanced系统采用的多输入多输出(MIMO)技术.为了获得最佳的性能,采用了经典的超外差结构.详细介绍了系统关键部件如低噪声放大器、功率放大器以及本地振荡器的设计问题.测试结果表明,射频收发信机的最大线性输出功率大于23dBm,低噪声放大器的增益和噪声系数分别为大约24dB和小于1dB.此外,误差矢量幅度(EVM)的测试结果表明实现的射频收发信机的性能远超过LTE-advanced系统的要求.采用最大8×8的MIMO配置,本射频收发信机在现场试验中支持超过1Gbit/s的数据传输率. 相似文献
2.
利用标准的0.18μm6层金属混合信号/射频CMOS工艺设计了一种工作在2.4 GHz频段的全集成E类功率放大器.电路采用两级放大器级联结构,其中驱动级利用谐振技术生成高摆幅开关信号;输出级采用E类结构实现了信号的功率放大.在1.2 V电源电压下,设计的功率放大器最高输出功率为8.8 dBm,功率附加效率(PAE)达到44%.同时,提出了一种E类功率放大器功率控制方法.通过改变进入E类开关晶体管的信号幅度和占空比,在3位数字控制字的控制下,输出功率达到-3～8.8 dBm.所设计的功率放大器可以满足诸如无线传感网络(WSN)和生物遥测等低功率系统的应用. 相似文献
3.
《东南大学学报》2021,(1)
基于硅转接板工艺实现了超宽带混频微系统组件的三维异构集成,该混频组件由混频多功能芯片和倍频多功能芯片级联而成.基于晶圆级金-金键合工艺实现了四层高阻硅基板堆叠封装.每一层均采用硅通孔(TSV)技术,从而实现信号之间的互连.单片集成微波芯片(MMIC)嵌入在硅腔内,硅基滤波器集成在高阻硅衬底上.硅基转接板上的互连线、腔体以及滤波器采用AutoCAD进行设计,并采用HFSS进行三维电磁场仿真.根据测试结果,混频多功能芯片的射频频率为40～44 GHz,中频频率可覆盖Ku频段,尺寸为10 mm×11 mm×1 mm.倍频多功能芯片工作在16～20 GHz频段,对基波信号的抑制优于50 dB,对二次谐波信号的抑制优于40 dB,尺寸为8 mm×8 mm×1 mm.级联后完全组装的混频组件可实现优于-50 dBc的杂散抑制比和优于15 dB的增益. 相似文献
4.
CMOS工艺的低相位噪声LC VCO设计 总被引：3，自引：0，他引：3
本文介绍了用0.18μm 6层金属混合信号/射频 CMOS工艺设计的2个 LC谐振压控振荡器及测试结果, 并给出了优化设计的方法和步骤. 第1个振荡器采用混合信号晶体管设计, 振荡频率为2. 64GHz, 相位噪声为-93. 5dBc/Hz@500kHz. 第2个振荡器使用相同的电路结构, 采用射频晶体管设计, 振荡频率为2. 61GHz, 相位噪声为-95.8dBc/Hz＠500kHz. 在2V电源下, 它们的功耗是8mW, 最大输出功率分别为-7dBm和-5.4dBm. 2个振荡器均使用片上元件实现, 电路的集成简单可靠. 相似文献
5.
为了增加传统二次分谐波混频器的工作带宽,提出了一种适用于W波段的宽带、高中频二次分谐波混频器结构. 该结构采用宽带带通滤波器和低通滤波器替代传统分谐波混频器中的开路枝节和短路枝节,实现混频器的宽带设计. 此外,由于在射频端无需使用侧边平行耦合微带线带通滤波器,所提出的混频器结构在 W 波段可以采用普通微波混合集成电路工艺实现. 测试结果表明,利用所提出结构设计的 W 波段二次分谐波混频器射频工作频带为 80 ～107. 5 GHz,中频工作频率可达18 GHz. 测试结果还表明,在工作频带内,混频器的单边带变频损耗小于 13. 7 dB; 当射频频率为 92. 5 GHz、中频频率为 3 GHz 时,变频损耗最小,约为9 dB. 由此可见,在W波段所提出的混频器结构能实现较大的工作带宽. 相似文献
6.
对T 型衰减器的插入损耗和衰减性能进行了理论分析, 在此基础上设计了一个用于跳时超宽带(TH-UWB)通信的载波频率为4 GHz 的通断键控(OOK)调制器. 该调制器的核心是一个T 型RF CMOS 衰减器, 其电路拓扑结构包括3个主要部分: 振荡频率为4 GHz 的振荡器、由射频CMOS 晶体管构成的T 型衰减器和带有L 型结构的输出阻抗匹配网络. 该调制器由一个脉位调制(PPM)信号控制, 使已调信号的包络随控制信号的幅度而变化, 以实现调制功能. 除此之外, 输出匹配网络将调制器的输出阻抗匹配到50Ω负载. 调制器采用0.18 μm 射频CMOS 工艺进行设计并仿真, 其芯片经过测试, 在1.8 V 电源和50Ω负载下有65 mV 的输出幅度, 输出端回波损耗(S11)小于-10 dB, 功耗为12.3 mW, 芯片尺寸为0.7 mm×0.8 mm. 相似文献
7.
肖湘萍 《贵州教育学院学报》2008,19(3):14-16
概述了微波毫米波结构高电子迁移率晶体管的结构特性,在相同条件下,PHMET器件的功率特性和线性性能均要好于MESFET器件。利用GaAsPHEMT集成电路的设计和工艺技术,研制开发移动通信用的GaAsMMIC大功率高线性单刀双掷开关集成电路,产品具有承受功率大,线性度高的特点,在1GHz,插损为0．7dB,隔离度大于26dB,在2GHz,插损为0．8dB,隔离度大于22dB,并且具有较高的功率处理能力,其P-0．1≥10W。产品由GaAs圆片标准PHEMT工艺线加工,成本低,并且采用低费塑料封装,产品各项性能指标均达到了国外同类产品水平。 相似文献
8.
梁飞 《渭南师范学院学报》2013,28(9)
采用废弃塑料作为碳源,正硅酸乙酯作为硅源,硝酸铁为催化剂,通过溶胶—凝胶和碳热还原法制备碳化硅纳米颗粒.采用XRD、TEM和VNA对所制备碳化硅纳米颗粒的结构、形貌和吸波性能进行了分析研究.结果表明,所得碳化硅纳米颗粒直径约为10～60 nm,当碳化硅纳米材料厚度为3mm时,在8～13 GHz的反射衰减小于-5 dB,最大值为-8.91dB. 相似文献
9.
10.
设计了一种多分支平面印刷天线,采用微带线馈电方式,其中微带线设计成T形,与辐射单元匹配.辐射单元由3个L形的金属面结构构成,其分别工作在2.4 GHz、3.5 GHz和5.4 GHz,可应用于无线局域网（WLAN）和全球微波互联接（WiMAX）系统.通过电磁仿真软件HFSS对这种天线进行设计,在WLAN应用频段上10 dB阻抗带宽分别为1 GHz （4.9～5.9 GHz）和310 MHz （2.24～2.55 GHz）;在WiMAX应用频段上10 dB阻抗带宽380 MHz （3.3～3.68 GHz）.实测结果表明,这种天线具有良好的远场辐射特性,其增益在2.5～4.7 dBi之间. 相似文献
11.
综合口径雷达的宽频带双极化口径耦合微带阵 总被引：1，自引：0，他引：1
An 8×1-element wideband dual-polarized slot-coupled microstrip antenna array with high isolation and low cross-polarization in X-band is presented. The array antenna offers an impedance bandwidth (VSWR≤2) of 23% and 21% for dual polarization ports, respectively. The measured isolation between two polarization ports is better than 35 dB and the measured cross-polarization level below -25 dB in the main beam over the operation frequency band of 9.35 GHz to 9.75 GHz. This array is well suitable for X-band SAR (synthetic aperture radar) antenna application. 相似文献
12.
This paper presents a novel low-pass filter （LPF） with sharp rejection, wide stopband and compact size, which are realized by the defected ground structure （DGS） and the defected microstrip structure （DMS）. The equivalent circuit model is proposed and the circuit parameters are extracted by the circuit simulation software. The parameters measured are 3 dB cutoff frequency fc of 5.2 GHz, the insertion loss less than 0.5 dB from DC to 4.0 GHz and S21 less than -20 dB within the wide stopband from 6 GHz to 16 GHz. The results of the circuit optimization agree well with those of the full wave simulation and the measured ones, which validate the effectiveness of the equivalent circuit model. The size of the proposed LPF is decreased compared with normal LPF. This LPF can be applied in rectennas to eliminate high order harmonics. 相似文献
13.
研究一种用于近程雷达的毫米波混频器设计,通过环行器来实现本振和信号的输入,环行器的功率分配可根据雷达的作用距离来进行设计,采用鳍线结构来实现混频器的匹配输入。经测试,当工作频率为30GHz时,变频损耗仅为6dB。 相似文献
14.
This paper discusses fabrication and performance of novel circular spiral inductors on silicon. The substrate materials underneath the inductor coil are removed by wet etching process. In the fabrication process, fine polishing of the photoresist is used to simplify the processes and ensure perfect contact between the seed layer and the top of pillars. Dry etching technique is used to remove the seed layer. The results show that Q-factor of the inductor is greatly improved by removing silicon underneath the inductor coil. The spiral inductor with line width of 50 μm has a peak Q-factor of 10 for the inductance of 2.5 nH at frequency of 1 GHz, and the resonance frequency of the inductor is about 8.5 GHz. For the inductor of conductor width 80 μm, the peak Q-factor increases to about 17 for inductance of 1.5 nH in the frequency range of 0.05 -3.00 GHz. 相似文献
15.
具有很高隔离度的双极化缝隙耦合微带天线 总被引：3，自引：0，他引：3
A wideband dual-polarized slot-coupled stacked microstrip antenna with very high isolation and low cross-polarization is presented. To improve isolation between two poiarization ports, the stacked patches are excited by an open-ended and a T-shaped microstrip lines both via two H-shaped slots placed in a ＂T＂ configuration. The measured isolation is better than 40.5 dB over the bandwidth from 8.8 to 9.8 GHz with cross-polarization level less than - 28.5 dB. The measured VSWR ≤ 2 bandwidths reach 20.7 96 and 19.196 at the verrical and horizontal polarization ports, respectively. This antenna is suitable to be used as array elements in spacebome synthetic aperture radars （SAR） and active phased array radars. 相似文献
16.
In order to achieve a modulator with broad bandwidth and perfect impedance match,a novel electro-optical modulator based on GeO2-doped silica waveguides on silicon substrate is designed.The finite element model of the whole electro-optical modulator is established by means of ANSYS.With the finite element method analysis,the performance of the novel modulator is predicted.The simulation reveals that the designed modulator operates with a product of 3 dB optical bandwidth and modulating length of 226.59 GHz-cm,and a characteristic impedance of 51.6 Ω at 1 550 nm wavelength.Moreover,the calculated electrical reflected power of coplanar waveguide electrode is below -20 dB in the frequency ranging from 45 MHz to 65 GHz.Therefore,the designed modulator has wide modulation bandwidth and perfect impedance match. 相似文献
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设计了一种基于缺陷地结构(DGS)滤波器的高效率整流天线,可应用于低功率条件下的无线能量传输系统中。鉴于缝隙耦合微带天线具有较宽的阻带特性和高增益,因而被用于整流天线的接收天线,仿真得到该天线的谐振频率为5.8GHz,增益为8.2d B。整流电路采用DGS直通滤波器,以抑制交流信号传输到负载而被消耗。应用高频仿真软件HFSS对天线和滤波器进行仿真设计,应用ADS射频仿真软件对整流天线系统进行了仿真优化。仿真结果表明,该整流天线在3d Bm输入功率条件下,直流-微波转换效率达到了51.8%。 相似文献