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1.
采用脱合金法制备了纳米多孔PtHo合金,用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜对其晶体结构和微结构进行表征,并研究了材料对乙醇氧化的电催化性能.经脱合金后制备得到的纳米多孔PtHo合金具有双连续的三维纳米多孔结构,孔径约5 nm.纳米多孔PtHo催化剂在酸性条件下对乙醇电催化氧化的质量活性达到了 1.5 A·mg-1,远高于商业Pt/C(0.30 A·mg-1).此外,其稳定性也优于商业Pt/C.纳米多孔PtHo合金以其优异的电催化性能有望在直接醇类燃料电池上应用. 相似文献
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王锋 《泉州师范学院学报》2003,21(2):28-32
通过X射线衍射和磁电阻测量，对快淬法制备的铸态和退火处理的Co15-xFexCu85(X＝0，3，6，9，12，15)系列样品颗粒合金进行了结构和输走性质的研究．发现了造成Co—Fe—Cu合金输运性质变化的Co、CoFe相分离过程，这结果与Co—Fe—Cu合金相图相一致．在快淬CoFeCu样品中磁电阻效应小于CoCu样品．条带是多晶体，颗粒尺寸为几百纳米． 相似文献
3.
采用LB技术组装了一种三维有序的由十八胺修饰的纳米金颗粒多层结构.这是一种新的组装纳米颗粒三维有序聚集体的方法.为了扩大这种方法的适用范围,在组装过程中,将有机小分子1-苯基-5-巯基四氮唑引进结构,形成了新的纳米金颗粒多层聚集体.这两种多层膜经透射电子显微镜和小角X射线衍射测量证明构成多层膜的单层膜上的纳米金颗粒是有序的,并且颗粒在层与层之间的排列也是有序的. 相似文献
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焦华 《渭南师范学院学报》2012,(6):64-67
通过Fe与C4H4O6Na2溶液在140---220℃水热反应12h,可控合成了α-Fe2O3纳米材料．通过控制C4H4O6Na2的加入量可控合成了纳米球、纳米棒和纳米带等纳米结构单元．采用x射线衍射仪和扫描电镜对产物进行表征．结果表明,在140--220℃反应得到的产物纯净,没有任何杂质峰,均为菱方相结构． 相似文献
8.
概述了纳米碳化硅半导体材料,如采用各种成膜技术在硅衬底上制备的纳米碳化硅(nc-SiC:H)膜,镶嵌在各种介质如(α-SiC:H、SiO2或ZSM-5中的纳米晶碳化硅的光致发光特性及其最近研究进展 相似文献
9.
用高温液相还原有机金属化合物的方法合成了粒径可控(3-10nm)、具有较均匀的粒径分布的四氧化三铁纳米颗粒。由于较窄的颗粒尺寸分布,在适合的溶媒蒸发速度下,得到了四氧化三铁纳米颗粒的单层自组装结构。同时对该颗粒进行了磁学性质方面的研究,结果表明合成的四氧化三铁纳米颗粒在室温下具有超顺磁性质,在低温下为铁磁性。同时x光电子能谱分析结果证实了铁离子的价态以及验证了包裹在纳米颗粒表面的表面活性剂的存在。 相似文献
10.
目的:合成二氧化硅包覆的银纳米三角片。方法:纯化之后的银纳米三角片分散在不同浓度的原硅酸四乙酯(TEOS)乙醇溶液中,直接使用NaOH溶液调节体系的pH值促使TEOS水解缩合,形成不同厚度的二氧化硅壳层。结果:通过调节体系的pH值以及TEOS乙醇溶液的浓度,可得到均匀的、不同厚度的包覆在银纳米三角片表面的二氧化硅壳层(10±1nm、18±1nm)。结论:用NaOH溶液调节体系的pH值促使TEOS水解缩合,能有效地避免银纳米三角片的聚集和刻蚀,并且可在银纳米三角片表面形成均匀的二氧化硅壳层,硅壳的厚度取决于溶液中TEOS的浓度,TEOS浓度越大,二氧化硅壳层越厚。 相似文献
11.
绝缘体上的锗硅（SiGe．On．Insulator,SGOI）材料不仅是高迁移率新型沟道材料应变硅的良好衬底,其本身也是一种极具潜力的高迁移率衬底材料．Ge浓缩是获得高Ge组分、高质量SGOI的最优制备方法之一,传统Ge浓缩工艺在实验中得到改进,在高纯N2气氛中,进行了1000oC的后退火以改善所得SGOI中Ge元素的分布．实验制备了三种后退火条件下的Ge浓缩样品以作对比,并在三种样品上分别外延了20nm厚的顶层Si以进一步确定所得SGOI材料性能．实验结果发现。三种样品表面平整度并无太大差别,而使用了改进后退火工艺的样品具有最好的Ge组分均匀性和最低的缺陷密度．同时,改进后退火工艺的样品上外延所得顶层硅具有最大的应变值,而Si／SiGe界面处Ge的组分是顶层硅应变度的决定性因素之一． 相似文献
12.
UHV／CVD生长SiGe／Si材料分析及应用研究 总被引：1，自引：1，他引：0
以Si2H6和GeH4为生长气源,采用UHV／CVD系统在Si（100）衬底上生长了Sil—xGex合金和Sil—xGex／Si多量子阱结构。采用X射线双晶衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜等仪器设备对样品的组份、界面和表面形貌等晶体质量进行了研究。SiGe合金中Si和Ge摩尔分数的比值随着Si2H6和GeH4流量比的增加按比例线性增加,比例因子为2．57。生长的Si0．88Ge0．12合金样品的界面清晰,表面平整,平均粗糙度仅为0．4nm,位错密度低于104／cm2。六周期Si0．88Ge0．12／Si多量子阱的X射线双晶衍射摇摆曲线中存在多级卫星峰和Pendellosung条纹。这些结果表明SiGe合金和SiGe／Si多量子阱均具有很好的晶体质量。 相似文献
13.
应变Si是一种能在未来保持Si CMOS技术的发展继续遵循摩尔定律的新材料.本文结合SOI技术,利用改进型Ge浓缩技术制备了绝缘体上超薄的弛豫SiGe衬底,并使用超高真空化学气相沉积在较低温度下成功外延了厚度为25nm的应变Si单晶薄膜,扫描电子显微镜和原子力显微镜显示样品表面薄膜完整、平坦;高分辨透射电子显微镜和二次离子质谱表明:样品各层结构清晰、位错密度极低、界面陡直且元素分布均匀;紫外拉曼光谱证实了顶层Si中获得了1%的平面张应变,基于此的MOS器件有望获得比传统体Si大大提升的性能. 相似文献
14.
1 Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ＡＢ5 ｔｙｐｅｈｙｄｒｏｇｅｎｓｔｏｒａｇｅａｌｌｏｙｓｈａｖｅｂｅｅｎｉｎｔｅｎ ｓｉｖｅｌｙｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄｓｉｎｃｅｔｈｅｆｉｒｓｔｕｓｅａｓａｎｅｌｅｃｔｒｏｄｅｒｅｐｏｒｔｅｄｂｙＪｕｓｔｉｉｎ 1973[1] .ＴｈｅｃｏｍｍｅｒｃｉａｌＡＢ5ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓｕｓｅｍｉｓｃｈｍｅｔａｌ,ａｌｏｗｃｏｓｔｍｉｘｔｕｒｅｏｆｒａｒｅｅａｒｔｈｅｌｅｍｅｎｔｓ ,ａｓａｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｆｏｒＬａ ,ｗｈｉｌｅｔｈｅＢ5ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｒｅｍａｉｎｓｐｒｉｍａｒ… 相似文献
15.
AB5-type hydrogen storage alloys are the most promising materials used as the anode in commercial Ni-MH secondary battery. It
is very important for electrode materials to have a wider operation temperature range. The component Al is the dominant element
to control the electrochemical behavior of the AB5-type alloys at elevated temperature. With the increase of the amount of Al the discharge capacity decreases and the retention
of discharge capacity increases with increasing temperature. It is mainly due to the formation of stable and dense surface
oxide film Al2O3, which inhibits the electrode corrosion and the further oxidation underneath the surface films. 相似文献
16.
Huang Jing-yun Ye Zhi-zhen Lu Huan-ming Zhao Bing-hui Wang Lei Que Duan-lin 《浙江大学学报(A卷英文版)》2000,1(4):427-430
An ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHV/CVD) system with reflection high energy electron diffraction (RHEED) was
introduced. The Si epilayers and SiGe strained-layers on three-inch Si (100) substrates were grown in this UHV/CVD system.
The substrate temperature during growth was from 550°C to 780°C. The properties of epilayers were characterized by high-resolution
cross-sectional transmission electron microscopy (TEM), double crystal X-ray diffraction (DCXRD), and spreading resistance
(SPR). A B-doped SiGe epilayer with uniform resistivity distribution was grown.
Project supported by NSFC and Science Commission Program of Zhejiang Province of China. 相似文献
17.
以Si衬底上外延Ge薄膜为吸收区,研究了Si基Ge光电探测器的材料生长与器件制作工艺,并对材料晶体质量和器件性能进行表征分析。Ge薄膜是采用低温缓冲层技术在超高真空化学气相沉积系统上生长的。1μm厚Ge薄膜的表面仅出现纳米量级的岛,表面粗糙度只有1.5 nm。Ge薄膜的X射线衍射峰形对称,峰值半高宽低于100 arc sec。Ge薄膜中存在0.14%的张应变。Si基Ge光电探测器在-1 V偏压时暗电流密度为13.7 mA/cm2,在波长1.31μm处的响应度高达0.38 A/W,对应外量子效率为36.0%,响应波长扩展到1.6μm以上。 相似文献
18.
Fe-Cr-Ni heat resistant steels with different contents of Al and Si were cast in intermediate frequency induction furnace with non-oxidation method. With oxidation weight gain method, the oxidation resistance of test alloys was examined at 1 200℃ for 500 h. The effects of Al and Si on oxidation resistance were studied through analyses of X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscope (SEM). It is shown that the composition of oxide scales is a decisive factor for the oxidation resistance of heat resistant steels. The compounded scale composed of Cr2O3, ar-Al2O3, SiO2 and Fe(Ni)Cr2O4, with flat and compact structure, fine and even grains, exhibits complete oxidation resistance at 1 200℃ Its oxidation weight gain rate is only 0.081 g/(m2·h). By the criterion of standard Gibbs formation free energy, a model of nucleation and growth of the compounded scale was established. The formation of the compounded scale was the result of the competition of being oxidated and reduction among Al, Si, and the matrix metal elements of Fe, Cr and Ni. The protection of the compounded scale was analyzed from the perspectives of electrical conductivity and strength properties. 相似文献
19.
陈城钊 《韩山师范学院学报》2012,(3):29-33
基于散射矩阵法对SOI衬底的谐振腔结构进行了理论设计．采用超高真空化学气相沉积系统,在SOI基的Ge虚衬底上制备出高质量的Ge和Ge／SiGe多量子阱材料．室温下样品的光致发光谱表明SOI衬底的谐振腔结构对锗直接带发光起有效的强度增强作用,实验结果与理论预期符合得很好． 相似文献
20.
Low valence vanadium oxide（VO2-x） thin films were prepared on SiO2/Si substrates at room temperature by direct current facing targets reactive magnetron sputtering, and then processed through rapid thermal annealing. The effects of the annealing on the structure and phase transition property of VO2 were discussed. X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray diffraction technique and Fourier transform infrared spectroscopy were employed to study the phase composition and structure of the thin films. The resistance-temperature property was measured. The results show that VO2 thin film is obtained after annealed at 320℃ for 3 h, its phase transition temperature is 56 ℃, and the resistance changes by more than 2 orders. The vanadium oxide thin films are applicable in thermochromic smart windows, and the deposition and annealing process is compatible with micro electromechanical system process. 相似文献