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利用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)作为实验反应源,改变不同的沉积温度,在自支持金刚石衬底上沉积制备了高择优取向的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)等测试方式,研究了沉积温度的变化对GaN薄膜的结晶性和表面形貌的影响。 相似文献
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采用磁控溅射（Sputtering）方法在Si（100）上成功生长了Al2O3薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长。通过ZnO薄膜的表征。表明,ZnO薄膜能在Al2O3过渡层上沿c轴准外延生长,采用适当的Al2O3过渡层后,其电学性质也有大幅提高。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法（sol—gel）法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了BaZr0.75O3,（简称BZT）薄膜。对其先体溶液进行了差热与热失重曲线（TG—DTA）分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺。X射线衍射分析表明,650℃时已经基本形成了钙钛矿结构,结合原子力显微图确定薄膜的热处理温度为750℃。 相似文献
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采用双干涉吸收膜系结构设计在不锈钢基片（SS）和铜基底表面制备了MoSi2-/MoSi0-Al2O3（高体积分数金属填充因子层（HMVF））//MoSi2-Al2O3（低体积分数金属填充因子层（HMVF））/Al2O3选择性吸收多层膜,通过摸索不同的基底、各层厚度匹配,不同体积分数对选择吸收的影响及制备工艺优化获得最佳的太阳能吸收率为0.94,红外发射率为0.08。该膜层经500℃真空退火后吸收率和发射率没有明显变化,表明陔涂层在该温度下热稳定性良好。 相似文献
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采用反应磁控溅射法在镁锂合金衬底上沉积了CrN薄膜。并通过XRD、SEM、M263A电化学系统等技术分析了薄膜的组成、表面形貌,并着重研究氮化铬CrN薄膜在0.35%的NaCl溶液中对镁锂合金的防护性。结果表明：说明沉积的CrN薄膜提供了合金的抗腐性。 相似文献
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近年来发展起来的蓝宝石图形化衬底(PSS)技术,不仅能减少生长在蓝宝石衬底上GaN外延材料的位错密度,延长LED使用寿命,还能提高LED芯片的出光效率,从而提高LED发光效率。本文着重介绍了蓝宝石图形化衬底的两种主流制备工艺及其优缺点,并比较了两种不同图形尺寸制备蓝宝石图形衬底的特点及对LED的光输出功率的改善,并展望了图形化衬底技术未来的发展方向。 相似文献
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利用溶胶-凝胶法制备出不同Mn掺杂浓度、不同退火温度的Mn掺杂TiO2粉末样品。研究了Mn掺杂浓度和退火温度对Mn掺杂TiO2粉末样品光催化性质的影响。发现Ti0.998Mn0.002O2样品光催化活性顺序为:500℃>400℃>600℃>700℃。并且随着掺杂浓度增加,对罗丹明光催化活性下降。掺杂浓度为0.2%的样品光催化活性最好。 相似文献
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碘滴定法是通过定钙钛矿氧化物中Mn的平均价态,计算出氧化物中氧含量的一种方法.通过比较样品中氧含量的结果,得出在N2气氛下,在退火温度小于900℃范围内,LaMnn7Fe0.3O3 δ样品的氧含量,随着退火温度的升高而降低. 相似文献
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采用单辊熔体急冷法制备了非晶Fe39.4-xCo40Si9B9Nb2.6Cux合金薄带,在不同温度退火后得到双相纳米晶合金。研究了纳米晶合金的静态磁性随退火温度的变化,结果表明490℃退火后可以得到最优的静态性能;研究了Cu含量对合金性能的影响,结果表明随Cu含量的增加,纳米晶合金晶粒尺寸得到有效细化,使得其静态磁性更加优良。 相似文献
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用多弧离子镀在镍基高温合金K417G上制备了NiCoCrAlY涂层,对涂层进行了1050℃真空退火4小时、粉末包覆渗铝、1100℃下预氧化1小时等后续预处理：研究了涂层在1000℃下的高温氧化行为结果表明：真空退火处理使涂层组织更致密,涂层形成β＋α＋γ／γ′多相平衡组织,轻微降低了涂层退化倾向; 相似文献