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1.
《赣南师范学院学报》2021,(6):30-34
为了研究溅射电流对磁控溅射沉积钛薄膜光、电学性能的影响,在其它工艺参数相同的情况下改变溅射电流(0.3 A～0.8 A)制备了6组薄膜样品,采用四探针电阻测试仪测量样品的电阻率,用紫外可见分光光度计测量样品的透射率.同时,利用磁控溅射技术成功制取钛薄膜光栅,采用读数显微镜测量光栅常量.研究表明:钛薄膜电阻率随溅射电流的增大而减小,最小电阻率为3.034 3Ω·cm;透射率随溅射电流的增大先减小后增大,最大透射率约为99%(对应溅射电流0.3 A),最小透射率约为0.03%(对应溅射电流0.7 A);测得钛薄膜光栅的光栅常量为(0.170 1±0.000 7)mm. 相似文献
2.
采用离子溅射法制备金薄膜,研究了不同厚度金薄膜的光学及电学性能.结果表明:金薄膜透光性随着厚度的增加显著减小,电阻率随着厚度的增加而减小,在薄膜厚度为20 nm时,电阻率小,透光性较高,适合作透明电极. 相似文献
3.
《河南职业技术师范学院学报(职业教育版)》2014,(6)
采用离子溅射法制备金薄膜,研究了不同厚度金薄膜的光学及电学性能.结果表明:金薄膜透光性随着厚度的增加显著减小,电阻率随着厚度的增加而减小,在薄膜厚度为20 nm时,电阻率小,透光性较高,适合作透明电极. 相似文献
4.
《洛阳师范学院学报》2017,(2):33-36
采用射频磁控溅射技术,在常温状态下在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO透明导电薄膜.利用XRD和AFM分别对薄膜的晶体结构和表面微观形貌进行了表征,利用紫外-可见分光光度计和霍尔效应测试仪对薄膜的光电性能进行了测试,并分析讨论了不同溅射气压对Al掺杂ZnO薄膜结构、形貌和光电性能的影响.结果表明,在本实验条件下制备的薄膜均为良好的c轴择优取向;在可见光范围内样品的平均透过率都高于85%;在溅射气压为1.2Pa时,薄膜的结晶度、电阻率和透过率都达到了最佳值. 相似文献
5.
详细介绍了使用椭偏仪测定薄膜的光学常数的原理,采用溶胶一凝胶法在普通载玻片上制备了均匀透明的TiO2薄膜,借助椭偏仪测量了薄膜的光学特性． 相似文献
6.
反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜,并对薄膜进行退火处理,研究溅射功率和退火温度对薄膜结构和光电学性质的影响。用X射线衍射仪、分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征,采用拟合正入射透射谱数据计算薄膜的厚度。结果表明：不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态,透射率在近红外部分达到60%以上,电阻率随溅射功率的增加呈U型变化,在120 W附近,电阻率达到极小值;退火后,薄膜的XRD谱出现Cu4O3、Cu O和Al2O3的混合相,薄膜透射率有所提高,电阻率随退火温度的提高而先增大后减小。 相似文献
7.
成桢 《西安文理学院学报》2015,(1):60-62,83
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺镁氧化锌薄膜,利用SEM(扫描电镜)、XRD(X射线衍射)和椭偏仪等设备研究薄膜的表面形貌、成分、结构和厚度.结果表明,溅射功率没有对薄膜的生长方向产生较大影响,当溅射功率在40 W到100 W之间变化时,随着溅射功率的增大薄膜的结晶状况变好,晶粒尺寸变大,薄膜的厚度增加. 相似文献
8.
9.
利用磁控溅射法在玻璃基片制备TbCo非晶垂直磁化膜,采用样品振动磁强计和磁转矩测量仪测量薄膜的磁性能和磁转矩曲线．结果表明：Cr底层、TbCo磁性层组分、溅射气压、基片偏压、退火温度和TbCo磁性层厚度对薄膜的磁各向异性能都有很大影响．． 相似文献