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1.
文章介绍了使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计C波段的低噪声放大器的过程,该LNA达到了预定的技术指标,性能良好。该LNA工作在4.7～6.7GHz范围内,噪声系数≤1dB,带内增益达到26dB,带内增益平坦度△G≤1dB。 相似文献
2.
文章首先分析了低噪声放大器电路噪声系数,稳定性以及功率增益,然后设计了一个1.8GHz～2.2GHz的两级低噪声放大器（LNA）。版图联合仿真结果表明,该放大器的噪声系数小于0.7dB,功率增益大于20dB,输入驻波比小于1.5,输出驻波比小于2。根据一般工艺要求与版图联合仿真,做出实际电路板。 相似文献
3.
基于SMIC 0.18um CMOS工艺设计了一种高速、高精度、高线性度的采样保持电路。采用全差分带增益自举电路的高增益、高带宽运放,以及改进的带衬底电压调整的栅压自举开关,有效增加输入信号带宽并减小采样保持电路的非线性。对设计的电路进行仿真,在输入信号幅值为2VP-P,频率为47.66MHz,采样频率为100MSPS时,采样保持电路建立时间为3.606ns,建立精度达0.004%,有效位数为17.2bit,无杂散动态范围达108.5dB。 相似文献
4.
研究设计了全差分、高增益的CMOS运算放大器,本文采用折叠共源共栅结构、连续时间方式共模反馈以及宽摆幅偏置电路。基于CSMC0．61xmCMOS工艺,采用HSPICE软件对电路进行仿真。对各性能参数的仿真结果表明,该电路在输入2．5V电压的情况下,此电路的开环直流增益为80dB,相位裕度800,单位增益带宽74．5MHz,具有较高的增益。 相似文献
5.
采用E-PHEMT晶体管(ATF54143)设计了一个S波段的低噪声放大器。依据放大器的各项指标对电路进行了设计、优化,最后通过S参数及谐波仿真分析得到了放大器的各项性能参数。结果表明设计的低噪声放大器完全符合性能指标,其功率增益可达15dB,噪声系数在0.7dB以下,带内平坦度小于0.5dB,输入/输出驻波比小于1.5dB,1dB压缩点输出功率大于16dBm。 相似文献
6.
X波段宽带低噪声放大器设计 总被引：1，自引：0，他引：1
介绍与实现了一种X波段宽带低噪声放大器（LNA）。该放大器选用NEC公司的低噪声放大管NE3210S01（HJFET）,采用微带分支线匹配结构和两级级联的方式。利用ADS软件进行设计、优化和仿真。最后研制的放大器在10-13GHz范围内增益为（21.5±1）dB,噪声系数小于2 dB,驻波比小于1.8。 相似文献
7.
本文介绍了一种超宽带低噪声放大器的仿真设计,采用负反馈技术提高了工作带宽并增强了放大器的稳定性。通过ADS软件的仿真优化提高了设计效率,并进行了原理图-版图协同仿真验证。实验测试该超宽带低噪声放大器在0.1GHz～1.5GHz的带宽内增益大于30dB,增益起伏小于±1.8dB,噪声系数小于1dB,P1dB大于15dBm。 相似文献
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9.
CMOS工艺进入到深亚微米时代,对电路的静电保护能力提出了极大的挑战,本报告在GGNMOS结构ESD保护电路的基础上,提出了一种浮栅结构的静电保护电路和其栅极反偏电路,分析了0.13μm CMOS工艺下浮栅结构NMOS的I-V特性分析和漏电流特性,结果表明该浮栅结构ESD保护电路抗静电能力强、触发电压低,漏电流小. 相似文献
10.
本文将一种共源共栅运放结构成功地应用于新一代高性能的LDO线性电压变换器的设计中。通过仿真和比较可知,整个LDO线性电压变换器在低频段的电源抑制比为69dB左右,改善了误差放大器开环增益,同时芯片抗电源变化的能力也能满足要求。 相似文献