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本文就量子阱超晶格的基本物理,量子阱光电子器件对光通信发展的贡献和量子光电子器件对发展计算技术和信息处理技术的贡献等问题进行了较详细的讨论,指出:半导体量子光电子学的内涵既包含了崭新一代光电子器件的诞生,同时也拓展了以信息的传输、运算和处理为代表的新一代信息技术的发展.半导体量子光电子学将与微电子技术并举成为未来信息社会的两大支柱. 相似文献
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半导体超晶格是当代固体物理学的新生长点和重要前沿领域。它是以具有各种人工剪裁能带结构的半导体低维电子系统(二维、一维和零维)为其主要研究对象,涉及半导体物理、材料和器件的综合性研究领域。“半导体超晶格微结构”的研究属国家自然科学基金委员会重大基金项目,它以探索、开发新一代固态电子、光电子器件作为研究工作的着眼点,以生长超薄、陡变和大面积均匀的超晶格、多层异质结等低维量子结构的分子束外延(MBE)和金属有机化合物气相淀积(MOCVD)等超薄层材料生长手段为技术基础,着重开展半导体超晶格低维系统与普通三维固体不同的新物理现象和效应及其潜在的应用前景方面的基础研究,研究和探索新一代超晶格量子器件的新原理、新模式和新结构。本项目的总体设想是要在全国范围内组织起具有国内第一流水平,国际先进水平的,对半导体超晶格量子阱材料、物理和器件进行综合性基础研究的科研实体,经过“七五”和“八五”期间的工作,应当将我国在该领域内的基础研究整体水平推进到国际先进行列,并且在某些专题研究方面应当做出具有特色的,国际领先的研究成果。 相似文献
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半导体超晶格微结构是理想的技术上能很好控制的低维物理系统，是一大类以“能带工程”为设计依据和以分子束外延（ＭＢＥ）技术为基础的新型人工材料，具有重大的光电子和微电子器件应用前景。８０年代以来，作为物理、材料与器件３者的结合点，半导体超晶格微结构一直是半导体科学最活跃的研究前沿领域。黄昆及其合作者自１９８６年开展超晶格电子态和声子模理论研究以来，对光学声子模式和激子态理论的发展做出了关键性的重要贡献，在电子态理论上发展了有自己特色的计算方法。超晶格振动是超晶格物理的基础。准二维量子结构中的光学振动… 相似文献
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采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了具有ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层的单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ． 相似文献
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黄昆先生是世界著名的物理学家和杰出的教育家,晶格动力学的奠基人和权威,“极化激元”概念的最早阐述者。黄昆的名字是与多声子跃迁理论、x光漫散射理论、晶格振动长波唯象方程、半导体超晶格光学声子模型联系在一起的。他致力于凝聚态物理的科学研究和教育,以勤奋、严谨、严于律己和诲人不倦而著称。他长期从事物理教学工作,是我国固体物理和半导体物理学科的一位开创者,培养了一大批中国物理学家和半导体技术专家。黄昆于1919年诞生在北京,祖籍浙江嘉兴。1932年秋至1936年夏,黄昆就读于通州潞河中学,并于1937年通过潞河中学向燕京大学的… 相似文献
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半导体固态照明采用InGaN基量子阱发光二极管(LED),不仅可以节省能源、减少污染,还具有体积小、寿命长等优点.但是LED外量子效率一直较低,文章介绍了LED芯片表面加工的各种微结构.如表面粗糙化结构,二维光子晶体结构,在p-GaN上生长纳米杆等.从而有效提高了LED外量子效率. 相似文献
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据专家预测,大约在2030年,个人桌上电脑的主机将不会再使用芯片与半导体。这是新一代的量子电脑,它应用的是玄妙的量子原理。量子电脑的运算速度可能比目前个人电脑奔腾Ⅲ芯片快10亿倍,可以在一瞬间搜寻整个互联网,可以轻易破解任何安全密码。这绝非科学幻想。由于微芯片上半导体物理特性的局限。传统电脑中央处理器的发展已经接近极限。支持现有电脑的半导体技术,是把电子视为粒子作为它的工作基础的。然而电子和光子一样具有波粒二象性。当它活动空间较小时,例如当集成电路线宽小于0.1微米 相似文献
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王娜 《科技成果管理与研究》2021,16(6):6-7
量子信息科学是由物理科学与信息科学等多个学科交叉融合所形成的一门新兴前沿学科,在经济、社会乃至国防军工事业中发挥着重要的作用,已成为国家科技发展战略的重要组成部分.半导体光电子材料及其相关器件是发展量子信息科技的关键支撑之一,只有解决材料器件基础问题,才能掌握量子信息研究的主动权.宋海智教授长期致力于半导体光电子材料和器件等方面的开发,积累了丰富的量子信息研究经验. 相似文献
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《中国科学院院刊》2001,16(4):269-271
国家科技进步奖二等奖成果1 6 70ｎｍ半导体量子阱激光器批量生产完成单位 :半导体研究所该项目属于信息技术领域中光信息处理和存储系统关键光电子器件———ＧａＩｎＰ/ＩｎＧａＡｌＰ应变量子阱可见光红光波段 (λ =6 2 0ｎｍ— 6 90ｎｍ)激光器中试规模批量生产技术的研究。要求完成全套工艺技术、企业标准和质量控制文件 ;建立一条完整的月产达到 50 0 0支 6 70ｎｍ可见光激光器生产能力生产示范线 ,是由半导体研究所“光电子器件国家工程研究中心”承担 ,在已有的研究成果和技术基础上发展起来的 ,是我国开展数字化信息处理和存储系… 相似文献
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本文提出了一个GaAs/AlxGa1-xAs量子点量子阱的理论模型,并采用二能级模型对其尺寸相关的三阶极化率进行了计算.计算结果表明:对一个GaAs/AlxGa1-xAs盘状量子点量子阱,其三阶极化率的变化规律与量子点的径向尺寸的变化有密切关系. 相似文献
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《科技成果管理与研究》2011,(3):F0003-F0003
黄永箴。中科院半导体所光电子研发中心主任,目前从事微腔激光器和微腔光学滤波器的研制,光学微腔特性和量子点半导体光放大器的研究, 相似文献
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随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级厚度和原子级平整的优质异质结构外延材料。以此为基础,研制成功多种新一代半导体光电子和微电子器件,如:量子阱激光器、高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶晶体管(HBT)等。这些器件不仅大大促进了国防电子工程技术的发展(如雷达、导弹),而且在超高速计算机、卫星通讯和电视接收等方面也有重要应用。超薄层外延材料具有许多新颖的物理特性,已成为凝聚态物理研究前沿领域之一。随着器件尺寸的减小,表面和界面效应越来越突出,并严重影响器件性能。因此,利用现代表面分析技术,从原子尺度上了解超薄层材料生长机理,及器件表面和界面的物理特性,有利于新型材料和器件的发展。三年来,我们在此领域做了许多深入研究,取得了一批具有较高学术价值和应用价值的研究成果。 相似文献