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相似文献
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1.
根据高压大电流VDMOS的特点,利用工艺模拟软件对工艺流程进行模拟。通过将已知工艺参数与工艺模拟软件相结合,对击穿电压、阈值电压、导通电阻及开关时间进行计算。根据仿真结果计算在相同耐压条件下,不同形状的元胞在不同的元胞尺寸下对应的芯片面积变化情况。  相似文献   

2.
现如今我国的工业自动化程度也在不断的提高,VDMOS器件的重要性也不断的显现出来。针对我国当前的VDMOS发展现状,相关的学者也进行了深入的研究,已经比较成熟。VDMOS器件主要是由两种类型的器件组成的,即增强型VDMOS器件和耗尽型VDMOS器件,而本文的主要目的就是研究耗尽型VDMOS器件的制造方法和具体的应用情况。  相似文献   

3.
分析了电离总剂量加固的基本理论,提出了先进行P阱注入,高温退火形成要求的P阱结深,再进行高质量Si O2-Si3N4双层栅介质的生长工艺,来提高VDMOS器件的抗辐射能力,加固后器件的总剂量由原来的5k Rad(Si)增加到100k Rad(Si)。试验结果表明这种加固技术可以提高器件的电离总剂量强度。  相似文献   

4.
谷洪亮 《科技风》2014,(18):109-109
制作了加入ZnS:Mn的PVK有机电致发光器件,通过比较未加磁场与磁场作用下掺杂ZnS:Mn的PVK有机发电致光器件的电流密度-电压关系曲线、亮度-电压关系曲线等特性,研究了有机电致发光器件性能提高的机理。  相似文献   

5.
VDMOSFET(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)功率器件不同于传统数模集成电路中器件,除了基本的静态和交流特性以外,UIS(非箝位感性负载开关)雪崩耐量(Eas)也是功率器件重要的衡量指标。非箝位感性负载开关过程所引起的VDMOS器件失效是VDMOS在应用过程中最主要的失效形式。故而,提高非箝位电感开关雪崩耐量的研究具有极为重要的意义。本文通过对工艺及器件结构的优化,使VDMOSFET的UIS雪崩耐量在不增加工艺层次的条件下增加接近70%。  相似文献   

6.
在喷射电沉积装置上,采用直流和方波脉冲两种电流波形,在不同的电流密度下制备纳米晶镍镀层。详细研究了电流波形、电流密度对镀层晶粒生长、微观结构和硬度的影响。结果表明:随着电流密度的增加,在两种电流波形下沉积的镀层的微观结构,展示出完全不同的变化趋势。镀层硬度随电流密度的变化趋势,主要由晶粒尺寸随电流密度的变化决定,总体上,硬度值随晶粒尺寸的减小而增大。在相同的晶粒尺寸范围,脉冲镀层的硬度值要高于直流镀层。  相似文献   

7.
梅婷  万世正 《科技风》2012,(13):17-18
本文基于密度泛函理论的平面波超软赝势法计算了 Eu、N 单掺杂和共掺杂锐钛矿相TiO2的电子结构和光学性质.结果表明,Eu 单掺杂 TiO2体系,可以减少光生电子-空穴对的复合速率;N 单掺杂 TiO2增强了其对可见光的响应;而 Eu/N 共掺杂引起晶格畸变,导致禁带宽度变窄,光吸收带边红移到可见光区,提高 TiO2的光催化效率以促进其更好的利用太阳能.  相似文献   

8.
有机电致发光器件(OLED)在高电流密度下效率降低是OLED产业化进程中的瓶颈问题,将超薄LiF层插入到以C545T掺杂Alq3为发光层的OLED器件中的发光层与电子传输层之间,在较高电流密度下,随着电流密度的增加,其外量子效率始终没有降低,直至达600mA/cm2时,最大值为4.79%。是同等条件下参考器件的外量子效率的7倍。器件的性能得到显著提升。  相似文献   

9.
<正>pointSOI技术和应变硅技术的广泛应用和融合大大提升了新型应变硅器件的发展,通过对新型应变器件结构及物理模型的深入分析和研究,有效改善了传统MOSFET器件因结构尺寸小的限制。同时,沟道掺杂工程在晶体器件中的广泛引入,使得新型应变SOIMOSFET器件得到了飞速的发展,在未来的社会发展中有着广泛的应用前景。  相似文献   

10.
低压MOSFET具有低导通损耗、快开关速度和高输入跨导的优点,目前在一些便携电子设备中应用十分广泛。本文研究了低压P沟VDMOS产品的设计方法,针对40伏P沟VDMOS产品进行了参数设计和结构优化,利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟。产品经流片、测试,技术参数达到了设计要求。  相似文献   

11.
《科技风》2021,(12)
随着微电子领域朝着微型化的不断前进,产品封装密度越来越高,微焊点的尺寸和间距也日益减小,电迁移现象更加频繁的出现。本文针对一种Cu-Sn-Cu结构互连微凸点,基于ANSYS软件,研究了不同Sn层高度以及结构对称性变化对凸点内部电流密度分布的影响,得到了电流密度在不同结构下的分布规律,为实际电迁移实验研究提供了理论参考。  相似文献   

12.
根据半经典输运模型,考虑了GaAs的非抛物性能带结构和主要的散射机制,采用蒙特卡罗模拟方法计算了亚微米尺寸GaAs MESFET器件的输运性质和电流电压特性,分析了器件中电子密度、电场和迁移率的不均匀分布计算了不同尺寸栅长下的电子漂移速度和漏电流,分析了栅长尺寸对电子漂移速度和漏电流的影响。随着栅长尺寸的增加,栅下沟道的电子漂移速度减小,而且漏电流呈线性递减。  相似文献   

13.
纳米结构/薄膜生长及表面动力学问题研究完成单位:物理研究所主要完成人:薛其坤,王恩哥,贾金锋,刘邦贵随着微/光电子器件性能的多样化程度增加和其尺寸不断减小的发展趋势,具有零维、一维和二维尺度的表面纳米结构/薄膜已成为开拓新一代功能器件的研究前沿。在原子水平上研究生长过程中的表面动力学问题,对于生长初期纳米结构的形成和控制直至应用都是极端重要的。然而,尽管人们在理论和实验方面都进行了长期探索,但仍有很多基本问题没有解决。如,在薄膜外延生长中,常常引入表面活性剂来提高薄膜质量,已建立了20多年的经典扩散…  相似文献   

14.
本文研究了动态冲击下具有不同设计特征的蜂窝结构的能量吸收效率和力学性能。讨论了拓扑形状、细胞角度和细胞高度对结构影响行为的影响。研究确定,在高速冲击条件下,正方形结构和内凹蜂窝结构具有明显的应变率效应,正蜂窝结构未显示明显的应变率效应。由于独特的负泊松比效应,内凹蜂窝结构的能量吸收密度明显大于正蜂窝结构和正方形蜂窝结构。针对内凹蜂窝结构进行细观参数设计,其胞元角度为30°时相比其他胞元角度具有更大的能量吸收密度。当胞元高度从2.58 mm增加到5.05 mm时,结构的峰值应力逐渐降低,达到50%以上,能量吸收密度逐渐降低,达到60.3%以上。在未来高应变冲击环境下优先考虑内凹蜂窝结构,选取满足轻量化前提的最小胞元尺寸,最佳胞元角度为30°。该项研究成果将为高应变冲击环境下抗震结构的设计和选择提供参考。  相似文献   

15.
VDMOS产品在高温反偏试验过程中,经常出现耐压和漏电流失效或不稳定的现象。对Si-Si O2系统中四种基本形式的电荷或能态以及高温反偏主要失效机理进行了分析,同时针对200V塑封VDMOS器件高温漏偏试验过程中漏源漏电IDSS增大且不稳定的现象,通过器件终端结构设计的改进,解决了此问题。终端改进后的产品在150℃、1000小时的高温漏偏试验过程中未发生漏源漏电IDSS增大的问题,试验后常温测试产品漏源漏电IDSS在90n A左右。  相似文献   

16.
本文介绍了用调整器件尺寸提高CMOS电路速度的技术。提高时钟频率,可以通过时钟策略,器件尺寸,选定逻辑风格等取得。本文详细介绍了通过调整器件尺寸的方法优化电路速度,并给出了用SPICE的模拟结果。  相似文献   

17.
通过分析VDMOS产品总剂量和单粒子的失效机理,提出了相应的总剂量和单粒子加固方案,同时对具有抗辐照要求的VDMOS在终端设计和管芯工艺设计中重点需要考虑的问题进行了分析和总结。本文所采用的总剂量和单粒子加固方案已经在N沟200V产品的设计和工艺中应用,试验结果证明方案可行、措施有效。  相似文献   

18.
随着微电子技术的不断进步,集成电路进入超大规模集成电路(VLSI)时代,半导体器件的尺寸则达到了深亚微米量级,并且器件的尺寸还在进一步缩小。在器件缩小的过程中,出现了一些制约因素限制了器件的进一步发展,例如阈值电压减小的限制、杂质随机分布的影响、互连线延迟时间的影响等。只有很好的解决这些问题,电路的集成度才能有进一步发展的空间。  相似文献   

19.
《中国科学院院刊》2011,(4):467-468
中科院化学所光化学院重点实验室的科研人员最近在前期工作的基础上,制备了三重态敏化剂均匀掺杂的有机纳米波导材料,通过激子极化激元传播过程中的双向能量转移,实现了稳定白光耦合输出的光波导器件。该工作证实了有机低维材料的波导过程中存在Frenkel激子与光子的耦合,为实现基于激子极化激元的有机光子学器件奠定了基础。  相似文献   

20.
本文采用高温固相法合成了Ca_(0.95-x)TiO_3:0.05Eu~(3+),xLi~+(x=0, 0.02, 0.05, 0.08)(CTE)系列荧光粉,研究了电荷补偿剂(Li~+)掺杂浓度对其晶体结构与光学性能的影响。XRD研究结果表明,Li~+掺杂浓度对荧光粉的晶体结构影响较小,其主晶相为典型的正交钙钛矿型结构;当Li~+掺杂浓度为x=0.05时,荧光粉的结晶性能最佳。光学性质研究表明,CTE系列荧光粉可被397 nm光波有效激发,发出位于615 nm处的强红光,当Li~+掺杂浓度为x=0.05时,相对发光强度在未掺杂基础上提高了1.5倍,表明适量的电荷补偿剂有助于提高CTE红色荧光粉的发光性能。  相似文献   

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