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报道了使用水热法和熔盐法的KTP对Nd：GdVO4晶体倍频绿光的对比研究。通过理论计算和实验的方法,得出水热法KTP倍频效率与温度的关系,在实验中,当抽运功率为7．5W时,水热法与熔盐法KTP倍频的Nd：GdV04激光器输出绿光功率分别为1．22W、0．89W,光-光转换效率为16．1％、11．9％。从实验结果中,得到两种生长方式KTP晶体的一些性能差异,为以后的研究提供一些参考。 相似文献
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杨红丽 《延安教育学院学报》2011,25(5):90-92
通过正交实验确定了制备聚硅酸硫酸铁的最佳反应条件：SiO2的最佳含量是2％,Fe／Si（mol）比为0．7,聚硅酸活化时间30min．聚硅酸pH值=2。其絮凝效果可达98．2％。研究表明,聚硅酸硫酸铁对膨润土悬浊液具有较好的处理效果．优于市售PAC。 相似文献
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高慧 《山东教育学院学报》2012,27(2)
通过基于第一性原理的CASTEP计算发现,KDP晶体中Si代P点缺陷的形成能约是12．18eV,比较难在晶体中形成。模拟了此种点缺陷形成前后晶体的电子结构和能态密度,发现Si替代P后,晶体带隙宽度几乎没有变化,说明这种点缺陷不会引起晶体对光的额外吸收。Si替代P点缺陷仅使其周围的晶格及电子结构发生轻微畸变,对晶体整体结构影响不大。 相似文献
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吴丽双 《泉州师范学院学报》1998,16(2):33-35,32
以BBO（β－BaB2O4)晶体作为腔内部频元件,研究带抗共振环对撞脉冲锁模Nd:YAP和Nd：YAG激光器的腔内倍频效应,在两种激光器中分别获得基波脉宽为8ps和10ps,倍频能量转换效率为70．0％和63．6％,理论分析和实验结果相吻合。 相似文献
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UHV／CVD生长SiGe／Si材料分析及应用研究 总被引：1，自引：1，他引：0
以Si2H6和GeH4为生长气源,采用UHV／CVD系统在Si（100）衬底上生长了Sil—xGex合金和Sil—xGex／Si多量子阱结构。采用X射线双晶衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜等仪器设备对样品的组份、界面和表面形貌等晶体质量进行了研究。SiGe合金中Si和Ge摩尔分数的比值随着Si2H6和GeH4流量比的增加按比例线性增加,比例因子为2．57。生长的Si0．88Ge0．12合金样品的界面清晰,表面平整,平均粗糙度仅为0．4nm,位错密度低于104／cm2。六周期Si0．88Ge0．12／Si多量子阱的X射线双晶衍射摇摆曲线中存在多级卫星峰和Pendellosung条纹。这些结果表明SiGe合金和SiGe／Si多量子阱均具有很好的晶体质量。 相似文献
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根据C6 0 晶体中 38°和 98°两种取向排列和分子在晶体中均匀分布的结构稳定性规律 ,利用已报道的C6 0 晶体在有序相两端点温度 85K和 2 6 0K取向分布的实验结果 ,得到了两种分子取向随温度的分布规律 当 38°取向排列的分子概率为分数值 1/ 4和 1/ 3时 ,C6 0 晶体将具有较大的结构稳定性和较小的介电损耗值 ,对应的温度分别为 12 2 6k和 194 3k 介电损耗实验中出现异常的现象可由此解释为 38°取向分子均匀分布的“规则———无规———规则”变化所造成 相似文献
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为定量研究激光晶体截面长度与截面大小对晶体热效应的影响,用有限元方法建立激光晶体热模型,并用ANSYS软件设定相关参数,分析不同长度、不同截面YVO4/Nd：YVO4、GdVO4/Nd：GdVO4复合激光晶体的温度分布情况。分析结果表明,当复合晶体截面大小为3×3mm2时,掺杂晶体长度从3mm增加到6mm,YVO4/Nd∶YVO4和GdVO4/Nd∶GdVO4复合晶体中心最高温度分别下降了2.71℃和2.25℃;当复合晶体中掺杂晶体长度为3mm时,复合晶体截面大小从1×1mm2增加到3×3mm2,YVO4/Nd∶YVO4和GdVO4/Nd∶GdVO4复合晶体中心最高温度分别下降超过13℃和29℃。根据基于ANSYS的有限元方法分析得出,选择截面面积较大、掺杂晶体长度较长的复合晶体能够一定程度上改善激光器温度特性。 相似文献
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姚恺 《新乡师范高等专科学校学报》2005,(2)
介绍了LnMnO3(Ln=La3+,Pr3+,Nd3+等稀土离子)体系的结构、磁电特性及Ln位掺杂对其物性的影响。未掺杂的稀土锰氧化物多为反铁磁性绝缘体,而Ln位掺杂后的锰氧化物则由于双交换作用和Jahn-Teller畸变效应等,在一定掺杂范围内低温下显示铁磁性和金属导电性,在高温区则表现出非晶固体和掺杂半导体导电性,或因电子与晶格相互作用而呈现绝缘体特征。 相似文献
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用2.0MeV,25μm左右束斑的离子微束,以6×106 ions的剂量对无芒雀麦种胚的茎尖和根尖部位进行定点定量注入实验,结果表明,根尖和茎尖分生组织与主侧根的发育均有关系,但所起的作用各不相同。此结果为进一步研究发育调控机理和信号转导方式提供了基础。 相似文献
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尚连聚 《商丘师范学院学报》2003,19(5):12-16
推导了LD端面泵浦Nd：YVO4激光器的工作物质(Nd：YVO4晶体)内部的温度和热应力的理论表达式，为进一步消除高功率泵浦情况下Nd：YVO4晶体的热效应提供了新的理论依据。 相似文献
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陈擘威 《绵阳师范学院学报》2012,31(8):28-30
运用XRD精修方法,对不同退火温度下制备的氧化锌气凝胶样品的晶体结构进行分析,精修的Rwp值在可信的范围内,分别为10.48%和6.93%。在不同温度下退火的样品晶体结构不一样,随着退火温度升高,晶胞体积变小,从三斜晶系变化到单斜晶系。 相似文献
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报道了用ECR离子源的高电荷态离子^40Ar^10 入射到P型Si表面的实验研究，通过实验测量到的Si原子和Si^2 离子的200nm-1000nm光谱，研究了谱线产生的机理，实验结果表明：低速高电荷态离子与固体表面相互作用中，可有效地激发原子和离子的特征谱线，分析了这一现象和相互作用过程的发光机理。 相似文献
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报道了用ECR离子源的高电荷态离子~(40)Ar~(10 )入射到p型Si表面的实验研究,通过实验测量到的Si原子和Si~(2 )离子的200nm-1000nm光谱,研究了谱线产生的机理。实验结果表明:低速高电荷态离子与固体表面相互作用中,可有效地激发原子和离子的特征谱线,分析了这一现象和相互作用过程的发光机理。 相似文献
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针对二极管激光器端面泵浦Nd:YVO4晶体工作特点,提出矩形各向异性激光晶体热模型.在晶体周边冷却,两通光面绝热情况下,通过求解泊松热传导方程,精确计算出矩形截面Nd:YVO4激光晶体的温度分布,进而求解Nd:YVO4激光晶体端面热膨胀量以及不同泵浦功率下的热焦距.研究结果表明,在泵浦功率为20 W时,激光晶体泵浦面最高升温503.4 K,最大热形变量5.42μm.对激光晶体温度场分布和端面热形变的研究,为解决晶体热效应提供了理论基础. 相似文献
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杨庆生 《襄樊职业技术学院学报》2007,6(3):20-22
研究了银离子注入医用热解碳的抗菌性,计算了不同注入剂量下样品的抗菌率,初步讨论了样品中银离子的抗菌机理。通过实验发现,该样品对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌均有明显的抗菌效果,且注入量接近饱和注入量时,样品具有最佳的抗菌性能。 相似文献