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1.
介绍了一种应用于DRM/DAB频率综合器的宽带低相位噪声低功耗的CMOS压控振荡器.为了获得宽工作频带和大调谐范围,在LC谐振腔里并联一个开关控制的电容阵列.所设计的压控振荡器应用中芯国际的0.18μm RF CMOS工艺进行了流片实现.包括测试驱动电路和焊盘,整个芯片面积为750μm×560μm.测试结果表明,该压控振荡器的调谐范围为44.6%,振荡频率范围为2.27～3.57GHz.其相位噪声在频偏为1MHz时为-122.22dBc/Hz.在1.8V的电源电压下,其核心的功耗为6.16mW. 相似文献
2.
CMOS工艺的低相位噪声LC VCO设计 总被引：3，自引：0，他引：3
本文介绍了用0.18μm 6层金属混合信号/射频 CMOS工艺设计的2个 LC谐振压控振荡器及测试结果, 并给出了优化设计的方法和步骤. 第1个振荡器采用混合信号晶体管设计, 振荡频率为2. 64GHz, 相位噪声为-93. 5dBc/Hz@500kHz. 第2个振荡器使用相同的电路结构, 采用射频晶体管设计, 振荡频率为2. 61GHz, 相位噪声为-95.8dBc/Hz＠500kHz. 在2V电源下, 它们的功耗是8mW, 最大输出功率分别为-7dBm和-5.4dBm. 2个振荡器均使用片上元件实现, 电路的集成简单可靠. 相似文献
3.
蓝牙射频前端跳频频综的几项关键技术 总被引：1，自引：0，他引：1
提出了应用于蓝牙射频前端的跳频频率综合器的设计方案,并介绍了关键模块压控振荡器与双模预分频器的设计技术,采用混合0.18 μm CMOS工艺进行了流片验证.设计的压控振荡器性能稳定,低功耗低相噪,频率在2.4 GHz时测试相位噪声达-114.32 dBc/Hz@2.4 MHz.对双模分频器进行了设计优化,并采用一种集成"或"逻辑的锁存器结构,降低了功耗,提高了电路速度.测试结果显示电路在1.8 V时稳定工作双模分频器核心功耗仅5.76 mW;均方差抖动在输出周期为118.3 MHz时仅为2 ps,约占输出周期的0.02%. 相似文献
4.
利用截止频率为49GHz 的0.18-μm CMOS工艺,设计实现了11.6-GHz锁相环电路.该电路由模拟乘法鉴相器、单极点低通滤波器及采用可变负电阻负载的三级环形振荡器构成.在片晶圆测试表明,该芯片在输入速率为11.6 GHz、长度为231-1伪随机序列的情况下,恢复时钟的均方根抖动为2.2 ps.锁相环的跟踪范围为250 MHz.环形振荡器在偏离中心频率为10 MHz处的单边带相位噪声为-107 dBc/Hz.在锁定条件下,锁相环在偏离中心频率为10 MHz处的单边带相位噪声为-99dBc/Hz.芯片面积为0.47 mm×0.72 mm,在1.8-V电源供电下,功耗为164 mW. 相似文献
5.
实现了一种基于CMOS工艺的用于DRM与DAB数字广播射频调谐器的具有低相位噪声与低功耗的工作在37.5MHz的差分结构晶体振荡器.在晶体振荡器的核心部分采用了PMOS晶体管来代替传统的NMOS晶体管以降低相位噪声.采用了对称结构的电流镜以提高直流稳定度.采用了由一阶CMOS运算跨导放大器和简单的幅度探测器构成的幅度探测电路以提高输出信号的电流精确度.芯片采用0.18-μmCMOS工艺实现,芯片面积为0.35mm×0.3mm.芯片包含用于驱动50Ω测试的负载接口电路,在1.8V供电电压下,所测得的芯片功耗仅为3.6mW.晶体振荡器的工作输出信号在距离其中心频率37.5MHz频偏1kHz处的相位噪声为-134.7dBc/Hz. 相似文献
6.
王艳华 《天津成人高等学校联合学报》2014,(11):68-72
压控振荡器是频率综合器最为重要的组成部分,振荡器性能的好坏直接决定了频率综合器的性能。本文介绍了压控振荡器研究现状,压控振荡器电路的基本原理。 相似文献
7.
设计并实现了一个应用于ZigBee收发机的全集成整数N频率综合器.频率综合器中采用了稳定环路带宽技术,使频率综合器的环路带宽在压控振荡器（VCO）的整个输出频率范围内恒定不变,从而维持了频率综合器的相位噪声最优值与环路稳定性.频率综合器的同相与正交信号（IQ）由VCO输出端的除2分频器产生.该频率综合器采用0.18μm RF CMOS工艺技术制造,芯片面积约1.7mm2.频率综合器采用在晶圆测试的方式进行了测试.在1.8V电源电压下,频率综合器不包括输出缓冲所消耗的总功率为28.8mW.频率综合器在2.405GHz载波1及3MHz频偏处测得相位噪声分别为-110和-122dBc/Hz.频率综合器在2MHz频偏处测得的参考杂散为-48.2dBc.测得的建立时间约为160μs. 相似文献
8.
孙光石 《华南师范大学学报(社会科学版)》1973,(9)
上学期,我在教学工作中经多次实验,成功地制作了“演示用晶体管低频振荡器”.它可以演示无阻尼低频等幅振荡电流的产生,并定性说明振荡电流的频率跟电感量和电容量之间的关系,使用效果良好.现介绍于后,供同志们参考.一、电路原理与元件选择“晶体管低频振荡器”的电路如图一所示.由 相似文献
9.
本文介绍了作者对晶体管高频加热设备的研究与试验 分析了电子管高频加热设备的缺点和晶体管高频加热设备的优点。并指出后者取代前者是势在必行的趋势。提出了开关型逆变电路作为主回路,并加入连锁保护。在控制回路中,加入了数字锁相环电路。使其带负载时频率稳定。并研制了正负半周对称的压控振荡器,并介绍了其工作原理。 相似文献
10.
探讨压控振荡器的设计参数和工作原理,提出电路的主要设计方向,计算各种性能参数。根据电路低功耗设计要求,将各个功能模块进行改良,确定整体电路。最后分析子模块电路的结构与工作原理,并给出VCO电路的整体仿真结果和分析。实验结果表明,在给定控制电压下,波形发生电路的振荡频率与控制电压成比例。 相似文献