共查询到20条相似文献,搜索用时 343 毫秒
1.
2.
采用溶胶-凝胶法(sol—gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了BaZr0.75O3,(简称BZT)薄膜。对其先体溶液进行了差热与热失重曲线(TG—DTA)分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺。X射线衍射分析表明,650℃时已经基本形成了钙钛矿结构,结合原子力显微图确定薄膜的热处理温度为750℃。 相似文献
3.
采用双干涉吸收膜系结构设计在不锈钢基片(SS)和铜基底表面制备了MoSi2-/MoSi0-Al2O3(高体积分数金属填充因子层(HMVF))//MoSi2-Al2O3(低体积分数金属填充因子层(HMVF))/Al2O3选择性吸收多层膜,通过摸索不同的基底、各层厚度匹配,不同体积分数对选择吸收的影响及制备工艺优化获得最佳的太阳能吸收率为0.94,红外发射率为0.08。该膜层经500℃真空退火后吸收率和发射率没有明显变化,表明陔涂层在该温度下热稳定性良好。 相似文献
4.
采用PLD方法制备了5at.%Co掺杂的ZnO0.95 Co0.05O薄膜,以及Co,Al共掺杂的样品,并对其进行了电学及磁学性质测量,发现ZnO:Co薄膜具有室温铁磁性,同时有着优异的透光特性及良好的导电性,有着集成磁光电特性与一体的潜质。Co,Al共掺杂的样品饱和磁矩有较为明显的增强,说明样品的铁磁性可能来源于载流子浓度的增加。 相似文献
5.
6.
7.
本文研究一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本论文研究的太阳能电池具体结构是:Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征InxGa1-xN/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN/PI柔性衬底;其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极,然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜、P型nc-Si:H薄膜、GZO基透明导电薄膜,最后制备金属Al电极。由于本征层InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜具有可调禁带宽度,对该结构的太阳能电池起着巨大的作用,很大程度上提高了该结构太阳能电池的效率。 相似文献
8.
9.
李宝军 《内蒙古科技与经济》1997,(1)
对于在额仁陶勒盖银矿中发现的X矿物本文用电子探针获得其化学成分(重量%):Pbo(27.20),AS2O5(14.69),FeO(28.41),CaO(0.07),P2O5(0.17),ZnO(0.18),Sb2O3(0.23),CuO(0.25),K2O(0.56),SO3(13.61),Al2O3(0.67),SiO2(0.06),合计(86.10)。X衍射主要谱线1.499(12),1.979(16),2.243(16),2.267(39),2.308(8),2.374(8),2.541(21),2837(82),2.972(26),3.078(100),3.536(17),3.671(38),5697(27),5.972(75)。这些结果证明了它是砷菱铅矾,在我国属首次发现。 相似文献
10.
11.
12.
13.
为了进一步提高CaAl2O4:Eu^2+,Nd^3+荧光粉的发光性能,通过掺杂制备了发光性能更好的(Ca1-xSrx)Al2O4:Eu^2+,Nd^3+、(Ca1-wxZrx)Al2O4:Eu^2+,Nd^3+和CaA12O4:Eu^2+,Nd^3+,Ce^3+荧光粉。 相似文献
14.
15.
概述准一维纳米结构材料包括纳米管、纳米线和纳米棒通过多种方法已经被成功制备出来,其独特的物理化学特性,在微电子器件方面有很好的应用前景,现在已经成为物理化学研究者争相研究的热点。ZnO是重要的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽禁带半导体氧化物,其禁带宽度为3.37eV,激子结合能(60meV),具有较高的化学稳定性,适宜用作室温或更高温度下的可见和紫外光发射材料。因此,合成准一维ZnO纳米结构及其性质研究迅速受到了科学工作者的广泛关注。基于气-固(VS)和气-液-固(VLS)生长机制,各种形貌的准一维ZnO纳米结构已经被国际上著名的纳米小组报道过,包括纳米带,纳米线阵列,单根纳米线器件,单晶纳米环,超品格纳米弹簧,纳米盘,微米棒等等。 相似文献
16.
通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响。在低于700 oC的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定。而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系。 相似文献
17.
19.
ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有许多优异的光电特性。但一般制备出的ZnO薄膜材料均呈N型导电,要实现ZnO在光电器件领域的广泛应用,必须获得性能良好p型ZnO。然而,由于受主元素在ZnO中较低的固溶度、较深的受主能级、施主缺陷的自补偿等因素,很难制备出性能优异的p-ZnO。本文对P型ZnO薄膜的研究现状做一简要综述。 相似文献