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相似文献
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1.
低压MOSFET具有低导通损耗、快开关速度和高输入跨导的优点,目前在一些便携电子设备中应用十分广泛。本文研究了低压P沟VDMOS产品的设计方法,针对40伏P沟VDMOS产品进行了参数设计和结构优化,利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟。产品经流片、测试,技术参数达到了设计要求。  相似文献   

2.
功率MOSFET因其输入阻抗大、开关速率快、工作频率高以及丰富的封装形式、较大的电压及导通电阻选择范围等优势,广泛应用于电源、通信等不同类型的电力电子变换电路。但功率MOSFET并非完美的开关器件,温度敏感的特征决定使用者必须考虑其热效应对器件性能的影响。本文基于功率MOSFET安全工作区分析了关键参数的特点,阐述了寄生电容及热阻特性,研究了温度对相关参数的影响。  相似文献   

3.
本文以多种电源适配为背景,在分析功率MOSFET的特性基础上,设计了一台容量为5kW,输出规格为220V/50Hz交流电的逆变器。本文重点分析了前级高频DC/DC电路和后级DC/AC电路的工作原理。本设计的逆变电源可将48V的直流电流逆变为220V的交流电流。  相似文献   

4.
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种大电流密度、高电压激励的控制器件,是高压高速新型大功率器件,它的耐压能力为600V~1800V、电流容量为100A~400A、关断时间低至0.02μs。所以在PSM广播发射机调制器的功率模块中大量应用了(IGBT)作为电子开关的重要组件。  相似文献   

5.
采用MSP430F149单片机为控制核心,其外围使用ADC采样电路、PI调节电路、MOSFET驱动电路、控制和显示终端、系统供电电路和过压过流保护电路设计便携式智能直流电子负载软硬件系统,实现了恒定电压(CV)、恒定电流(CC)、恒定电阻(CR)和恒定功率(CP)模式,并具有RS232通信和控制功能。上位PC机控制界面通过VB编程实现,可以读取各个运行模式下的数据,并实时显示数据波形。经实际测试,系统输入电压0~30 V,电流0~20 A,最大输入功率100 W,最大负载电阻100Ω,电压电流精度可以控制在0.5%以内,各个模式下运行稳定、响应速度快、操作界面友好,具有一定的实用价值。  相似文献   

6.
袁野  ;张红波 《科技风》2014,(8):36-37
移相全桥DC-DC变换器实现了功率器件的零压导通,大大降低直流变换器中功率器件的开关损耗。但其常用拓扑电路在零压期存在内部环流,增加了电路的损耗,为了解决这一问题,可以在电路中增加饱和电感。文章介绍了电路的基本工作原理,并针对8kW的变换器,设计电路参数并进行仿真验证。  相似文献   

7.
一、ToPswitch简介随着现代科技的高速发展,功率器件的不断完善、更新、PWM技术的发展日趋完善,开关电源以其极高的笥价双获得了广泛的应用,开关电尖折设计通常使用控制电路与功率MOSFET相分立的拓扑电路结构,但这种方案开发周期长,成本高、系统可靠性低。 ToPswitch系列知能开关电源集成芯片解决了上述问题,该芯片AC/DC度接效率提高到90%,在只有三个引脚的单片IC中综合于控制系统驱动电路,功率MOSFET、脉宽调  相似文献   

8.
文章采用模拟电子技术,设计了一种步进电机驱动系统。系统电路主要采用运算放大器、MOSFET、电阻电容等器件,搭建了脉冲循环电路和电流放大驱动电路,可驱动步进电机顺时针方向和逆时针方向旋转。通过理论计算和电路仿真,验证了该系统方案的可行性。  相似文献   

9.
引言:功率元件驱动电路的特性在PWM直流伺服系统中占有很重要的地位,在PWM直流伺服系统中,H桥型主电路有四个功率开关器件(功率MOSFET或IGBT),若每个开关器件都用一单独的驱动电路驱动,则需四个驱动电路,至少要配备三个相互独立的直流电源为其供电,这使得系统硬件结构复杂,可靠性下降。 IR2131J是功率MOSFET和IGBT专用栅极驱动集成电路,独有的HVIC(High  相似文献   

10.
功率半导体器件做为开关使用时,其动态参数对器件的功耗起着决定性的影响。本文通过实验,分析了场效应晶体管MOSFET的Qg参数对器件工作过程中功耗的影响。  相似文献   

11.
相比于同等级的Si MOSFET,SiC MOSFET因具有更高速的开关特性和更小的导通损耗而具有极大地应用优势。但是,SiC MOSFET更小的门极电容和更小的门极耐压范也使得其在应用时提出了更大的挑战。本文在分别对SiC MOSFET的开通关断过程进行分析之后得出其安全可靠驱动的要求,研究适用于SiC MOSFET的驱动保护电路,进行LTspice仿真验证,分析了施加不同外部电容和不同驱动电阻对SiC MOSFET开关特性的影响,同时对保护电路的功能进行了PSpice仿真验证。  相似文献   

12.
PowerFlex7000高压变频器为电流源型变频器。系统采用脉宽调制技术(PWM),利用6500V的中压功率器件直接架构6kV的变频器,使用数字信号处理器(DSP)和现场可组态门排列控制器(FPGA)的全数字控制,具有高功率因数、低谐波污染、输入和输出电流波形均接近正弦波。通过高压变频器在现场大功率电动机负载上的应用,对电流源型高压变频器做了比较全面的介绍。  相似文献   

13.
中频镀膜电源已广泛应用于镀膜领域。文中设计了一种以IGBT为功率器件的中频镀膜电源,主电路采用BuckDC-DC变换电路进行电压调整,中频输出电路采用全控型器件构成串联谐振式逆变电路,详细的分析设计了主电路以及控制电路。实验结果证明,中频正弦波电流输出工作在(30±5)kHz,具有功率调节范围宽、自动适应负载变化、高效率的特点。  相似文献   

14.
为解决传统降电压及星三角启动方式在三相异步电机启动时出现的启动力矩不足问题,采用MCS51单片机作为控制单元设计的软启动器,主回路功率器件选用晶闸管,通过算法实现晶闸管导通角的控制,从而解决异步电动机的启动冲击电流大、启动力矩不足问题,并对异步电动机进行状态监测和保护,系统结构简单、响应速度快,使用方便。实验表明:所设计的软启动器可以有效的降低电机启动时对电网的冲击,提高启动转矩,具有较好的实用性。  相似文献   

15.
本文主要介绍以51单片机为主控制的DC-DC智能变换器的设计方法及实现。220V市网交流电经工频变压器、经整流桥(单相桥式整流电路)、经电解电容滤波后变成18V直流电。采用脉冲宽带调制(PWM)软件法,利用AT89C51单片机的定时功能输出PWM信号,产生输出的PWM信号通过控制DC-DC直流变换器中开关的开、关来控制DC-DC模块的输出电压,使电压的转换从18V变为36V,此类开关主器件在开通瞬间器件上存在较高电压,关断瞬间器件中流过的电流非零,工作在这种状态下的开关我们称为"硬开关"。并且要利用模/数转换芯片ADC0808采集输出端电压和电流信号:电压信号通过电阻分压后送入ADC0808,电流信号经电流互感器后再经电阻分压成电压信号后送入ADC0808,两者都转换成数字信号后再送入单片机,再用LDC液晶显示,以达到实时显示输出电压和电流的目的。液晶显示的分类方法很多,按显示方式可分为段式、字符式、点阵式等。除了黑白显示外,液晶显示器还有多灰度、彩色显示等,这里采用芯片LM016L。在设计中还设置了过流保护装置,以保护整个电路中的元器件,避免因电流过大而损坏。  相似文献   

16.
张波  杨国华 《大众科技》2008,(12):133-135
设计符合日趋严格的节能和环保法规的开关电源,需要更高效的器件和有效的方法。应用WEBENCH工具简化高压差、高效率DC—DC变换电源的设计与仿真,有助于减小产品的设计计算与分析时间,提高设计的成效。文章以SIMPLESWITCHER系列的LM25576i芯片为例,介绍软件应用和设计的流程,通过电子仿真观测电路参数,调整器件来优化电路,平衡产品体积和能量效率矛盾。通过图形化结果的热仿真工具,观察环境和散热措施对器件的影响。最后,分析了影响开关电源质量的PCB布局关键因素和提高质量的具体措施。  相似文献   

17.
针对太阳能电池成本高、体积大、安装位置受限、功率不稳定及感应取电电源的电压尖峰会损毁电源内部器件的缺陷,本文设计了一种智能保护型感应取电电源装置。该装置不仅可使用电流互感器非饱和时感应得到电能,还能利用电流互感器铁芯非饱和时感应得到的尖峰电能向后端负载提供电能,降低电阻泄放电路的功耗,提高电源效率,保证电源在电流互感器磁芯进入深度磁饱和后的输出功率。  相似文献   

18.
本文在对比了电压型和电流型PWM整流器的基础上,采用模块化设计思想设计了一种具有工程实用性的三相电压型PWM整流器,包括主电路、驱动电路、检测电路及保护电路的设计,并利用MATLAB进行相关仿真,仿真结果表明本方案达到提高功率因素的目的。  相似文献   

19.
《科技风》2017,(17)
电力电子技术涵盖着大量的功率元件的描述、电路原理以及波形的分析,Saber仿真软件可以进行类型不同的混合系统的仿真。在本文中重点的研究了Saber软件在电源开发关键器件选型中的应用,包括参数设计、仿真建模以及仿真分析的数据过程。  相似文献   

20.
为了扩大自旋阀传感器在开环电流传感器中的测量范围,采用软磁屏蔽方法,设计了一种基于屏蔽结构的自旋阀开环电流传感器。利用有限元仿真软件设计屏蔽结构模型,并对其进行磁性能的仿真和分析,推导理论传感结构,指导实测样品的设计和组装。根据实测结果,所设计的电流传感器可以实现-500~500A范围的大电流检测,其灵敏度为0.85mV/V/A,线性度为3.79%,磁滞为0.60%。  相似文献   

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