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相似文献
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1.
功率半导体器件做为开关使用时,其动态参数对器件的功耗起着决定性的影响。本文通过实验,分析了场效应晶体管MOSFET的Qg参数对器件工作过程中功耗的影响。  相似文献   

2.
引言:功率元件驱动电路的特性在PWM直流伺服系统中占有很重要的地位,在PWM直流伺服系统中,H桥型主电路有四个功率开关器件(功率MOSFET或IGBT),若每个开关器件都用一单独的驱动电路驱动,则需四个驱动电路,至少要配备三个相互独立的直流电源为其供电,这使得系统硬件结构复杂,可靠性下降。 IR2131J是功率MOSFET和IGBT专用栅极驱动集成电路,独有的HVIC(High  相似文献   

3.
一、ToPswitch简介随着现代科技的高速发展,功率器件的不断完善、更新、PWM技术的发展日趋完善,开关电源以其极高的笥价双获得了广泛的应用,开关电尖折设计通常使用控制电路与功率MOSFET相分立的拓扑电路结构,但这种方案开发周期长,成本高、系统可靠性低。 ToPswitch系列知能开关电源集成芯片解决了上述问题,该芯片AC/DC度接效率提高到90%,在只有三个引脚的单片IC中综合于控制系统驱动电路,功率MOSFET、脉宽调  相似文献   

4.
对于100V以下低压功率MOSFET器件,要实现大电流和低导通电阻,若采用平面结构,芯片面积会很大,不能满足元器件小型化的市场需求。本文针对电压100V、电流180A、导通电阻6.4mΩ的功率MOSFET器件,着重研究了槽栅MOSFET的关键设计和工艺技术,同时利用仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟,产品最终流片、封测结果:技术参数达到了设计要求,并且可以替代国外同类型号产品。  相似文献   

5.
周桂荣  刘庆华 《大众科技》2009,(12):106-107
电磁炉可靠性的好坏直接影响到使用者的人身安危。文章从电磁炉硬件电路设计原理出发,分析了主单元电路功率调节对功率开关器件(IGBT)的影响,对比传统的单端准谐振变换电路设计出一种零电压开关高频变换器,并详细论述了该变换器的整个工作过程,实现了电磁炉低功耗,高效率,可靠性强等优点。  相似文献   

6.
低压MOSFET具有低导通损耗、快开关速度和高输入跨导的优点,目前在一些便携电子设备中应用十分广泛。本文研究了低压P沟VDMOS产品的设计方法,针对40伏P沟VDMOS产品进行了参数设计和结构优化,利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟。产品经流片、测试,技术参数达到了设计要求。  相似文献   

7.
VDMOSFET(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)功率器件不同于传统数模集成电路中器件,除了基本的静态和交流特性以外,UIS(非箝位感性负载开关)雪崩耐量(Eas)也是功率器件重要的衡量指标。非箝位感性负载开关过程所引起的VDMOS器件失效是VDMOS在应用过程中最主要的失效形式。故而,提高非箝位电感开关雪崩耐量的研究具有极为重要的意义。本文通过对工艺及器件结构的优化,使VDMOSFET的UIS雪崩耐量在不增加工艺层次的条件下增加接近70%。  相似文献   

8.
本文中所指的中小功率(10W--10kW)电力电子技术是指以中小功率半导体器件,如MOSFET,IGBT等为主要开关元件构成的高频(50--1000kHz)开关变换器电路及其控制为主要研究对象。已有30多年工业应用的发展历史,多年来引起广大科技工作者的广泛兴趣。  相似文献   

9.
相比于同等级的Si MOSFET,SiC MOSFET因具有更高速的开关特性和更小的导通损耗而具有极大地应用优势。但是,SiC MOSFET更小的门极电容和更小的门极耐压范也使得其在应用时提出了更大的挑战。本文在分别对SiC MOSFET的开通关断过程进行分析之后得出其安全可靠驱动的要求,研究适用于SiC MOSFET的驱动保护电路,进行LTspice仿真验证,分析了施加不同外部电容和不同驱动电阻对SiC MOSFET开关特性的影响,同时对保护电路的功能进行了PSpice仿真验证。  相似文献   

10.
<正>point SiGe SOIp-MOSFET具有一些明显的优势,比如高频率、高速度、低功耗、高集成性、高可靠性和抗辐射以及优良的噪声性等等。因此能在集成电路中占据统治地位。二氧化硅埋层较低的热导率以及SiGe材料的低稳定性使器件内部的自加热效应减弱或者消除,这成为器件温度特性的关键影响因素。本文针对应变SiGe SOIp-MOSFET的温度特性分析,从三中不同的环节MOSFET器件内部进行对比分析,得到如下结果:高温下应变SiGe沟道SiGe SOIPMOSFET的自加热效应减弱,高温下器件  相似文献   

11.
设计了一种基于LM3S615微控制器的开环变频调速系统。论述了变频调速系统软硬件的设计方案,对整个系统的主回路、驱动电路、保护电路、控制电路及软件系统进行了系统的阐述。主电路部分给出了整流、滤波、逆变器、开关管驱动电路等外围器件的参数计算。控制电路以LM3S615实现SPWM信号的输出。设计时基于对系统安全性的考虑,加入了系统的保护电路。该交流小功率变频器不仅具有功耗低、成本低的特点,而且具有结构简单、运行可靠等优点。  相似文献   

12.
廖锦涛 《科技广场》2009,(9):191-193
本文通过开关器件功率量化比较分析Z源逆变器在不同的直通状态控制下与传统逆变器的电气应力。比较结果显示在升压因子[1 2.1]范围内,Z源逆变器的开关器件总功率最低,尤其是在低功率因数与大直通占空比下,这个范围将得到延伸。本文为在光伏发电系统设计中选择合适的拓扑结构,提供了参考与理论依据。  相似文献   

13.
对双极性spwm逆变技术和多电平变换技术进行比较研究,构建这两种逆变技术的拓扑结构,并采用相应控制策略对它们进行研究,最后用matlab软件仿真分析。从仿真结果可以得出结论,多电平逆变技术可以大大降低逆变器输出交流信号的谐波,降低开关器件频率,减少开关器件功率损耗。  相似文献   

14.
绝缘栅双极晶体管(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor,?IGBT)作为新一代功率半导体器件的典型代表,具有开关可控、驱动功率小、能够自限流等特点,是柔性直流输电装备的核心元器件,在"双高"电力系统建设和我国能源战略转型中扮演重要角色.与焊接型IGBT器件相比,压接型IGBT器件具有低热阻...  相似文献   

15.
功率开关模块作为PSM发射机调制器的核心器件,它将主整电压化整为零,使得PSM发射机调制级既实现晶体管化又属于丁类放大,效率高,稳定可靠。本文主要介绍功率开关模块的工作原理和故障分析,供同行参考。  相似文献   

16.
本文首先概述了电力电子技术对UPS发展的重要性,并对UPS中的功率器件及控制技术进行了详尽的论述。剖析了UPS中整流器、斩波器、逆变器和静态开关的技术特点和发展方向。阐述了自适应电流控制技术的优越性及在逆变器中的实际应用。同时对UPS变流器产生的谐波问题提出了较好的解决方法。  相似文献   

17.
研究了硅基AIGaN-MOS功率器件的热阻和压降这二个电热参数,提出了参数的测试原理和方法,给出了一种测试设备的电原理图。成果来自于安徽省省级重点科技攻关项目"硅基AlGaN/GaN-HEMTs功率新器件研发"。  相似文献   

18.
以FPGA芯片为控制核心结合相关的外围器件完成了激光器功率控制系统的设计。通过FPGA控制数字电位器DS1867实现了对激光器电源内部电阻的控制,改变激光器发射功率等级的目的。同时系统还实现了检测激光器所在环境的温度,及高温报警、定时控制等功能。  相似文献   

19.
本文阐述了Polyswitch自复过流保护开关的结构组成、工作原理、随温度变化的规律及其开关动作速度和恢复时间的特性。列举了该器件的实际应用领域的实例。  相似文献   

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<正>pointSOI技术和应变硅技术的广泛应用和融合大大提升了新型应变硅器件的发展,通过对新型应变器件结构及物理模型的深入分析和研究,有效改善了传统MOSFET器件因结构尺寸小的限制。同时,沟道掺杂工程在晶体器件中的广泛引入,使得新型应变SOIMOSFET器件得到了飞速的发展,在未来的社会发展中有着广泛的应用前景。  相似文献   

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