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设计了一种工作在0~8 GHz频段的热驱动式RF MEMS开关.开关利用热驱动方式实现横向金属直接接触,因此具有较好的射频性能.开关的结构层由厚的电镀镍和氮化硅组成,由于氮化硅的绝缘作用,实现了射频信号与驱动信号的隔离,有助于进一步提高射频性能.分析了在较小变形量的情况下,突起角度与顶点位移量的关系.电镀的金壁作为接触金属降低了接触电阻.开关通过Metal-MUMPs工艺进行成功流片,测试结果显示,开关在8 GHz有小于0.9 dB的插入损耗和大于30 dB的隔离度. 相似文献
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