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用电流DLTS方法测量了N型Si中S形成的E_1—E_5 5个深能级。除E_1,E_2能级对应过去报争的S双施主外,E_3=E_c-0.31ev,E_4=E_c-0.16ev,E_5=E_c-0.15ev,可能是S对或S团形成的深能级。E_3,E_4能级的电子俘获截面约为10~(-16)cm~2,并与温度关系不大。 相似文献
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在此文中我们推广了以前的工作,并计算了 GaP 中和替代缺陷对有关的深能级的流体静压力系数。我们把缺陷对的压力效应和 GaP 中代位点缺陷的压力效应作了比较,发现缺陷对的压力系数大致上小于同一能级 Ga 代位 A_1态点缺陷的压力系数,但大于同一能级 P 代位 A_1态点缺陷的压力系数。 相似文献
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