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采用直流脉冲磁控溅射方法在非晶硅薄膜上制备AZO背反电极,比较不同制备参数对透过率及效率的影响。采用优化参数,得到效率增加了0.8%的非晶硅薄膜电池。根据实验结果,证明背反电极增反机理不是薄膜干涉增强原理,而是因为界面共振吸收减少,而导致光的吸收增强的机理。 相似文献
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采用SCC-DFTB方法,研究了不同手性参数的单臂硅纳米管在不同拉伸应变作用下的稳定性和带隙变化。结果表明,随着拉伸应力的增加,不同孔径的硅纳米管的形成能都增大,稳定性降低。当拉伸应变大于6%时,表现出较明显的尺寸效应,大孔径的硅纳米管相对不容易被拉伸。当拉伸应变小于4%时,不同孔径的硅纳米管的带隙总体都会增大,然后随着拉伸应变的增加,带隙逐渐变小,当拉伸应变大于9%之后,则变成了金属。拟合得到了不同孔径和应变下硅纳米管的带隙变化分布图,为实验上制备不同的应变和不同的孔径纳米管,进行带隙调控提供一定的理论参考。 相似文献
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