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1.
采用磁控溅射技术，通过改变制样工艺条件在SiO2/Si基片上沉积MoS2薄膜，以形成异质薄膜器件，并对其微观结构、形貌特征和NH3探测性能进行表征和分析。研究结果表明，在室温条件下MoS2/SiO2/Si异质薄膜器件表现出了明显的NH3响应性能，并且器件的响应与薄膜厚度和沉积温度存在关联，最高可达230%,远超过单一薄膜。同时，器件的响应速度较快，响应/恢复时间为7.4 s/24.8 s。进一步通过构建界面能带结构图，对器件的气敏机理作了深入阐释。 相似文献
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以半导体材料（Zn·Cd）S：Ag-KI为催化剂，在单色(绿)光照下，成功地模拟了光合作用的光合磷酸化。在绿色光照下的光照度、照光时间、ADP(二磷酸腺苷) 浓度、Pi（磷酸氢二钠）浓度及催化剂量等对ATP（三磷酸腺苷）合成的影响。在合适的条件下，ADP 的浓度为1×10-1mmol/l 时的转化率可达到3.2%——5.8%。 相似文献
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推出一种适合课堂教学演示，采用模拟发光显示的测磁仪器。该仪器既能检测静态磁场的磁感应强度大小和方向，也能成功地观测动态场。文中介绍了测量原理及安装调试和使用方法。 相似文献