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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
采用微波等离子体CVD法,在其它生长条件和参数不变情况下,研究温度对制备金刚石膜的影响.通过扫描电镜、X射线衍射分析仪和拉曼光谱对样本的形貌和金刚石膜的质量进行了表征.  相似文献   

2.
金刚石薄膜的制备与热丝温度、衬底温度、工作室压强及反应气体浓度有关,氢原子具有抑制石墨生长的作用,衬底的表面处理对金刚石薄膜的生长有很大影响。本文还试图用晶体生长和相变理论解释金刚石薄膜的生长过程。  相似文献   

3.
论述了化学气相沉积(hot filament chemical vapor deposition,HFCVD)法制备金刚石薄膜刀具的原理、开发现状、存在的主要问题,重点介绍了热丝化学气相沉积法制备金刚石薄膜刀具的工艺方法及技术要点。  相似文献   

4.
利用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法,制备硫掺杂n型金刚石薄膜,利用光学发射谱技术对其生长环境进行原位诊断,分析合成机理及生长的最佳条件。结果表明,合成金刚石薄膜的合成反应区中主要粒子为CH、CH+、活性H原子,提高工作气压和硫碳配比浓度有利于提高硫掺杂浓度,在低温条件下合成了高品质的硫掺杂n型金刚石薄膜。  相似文献   

5.
制备金刚石薄膜的方法很多。本文主要介绍了影响燃烧法合成过程的主要因素及其对膜的质量的影响。研究表明,基板温度、氧/乙炔配比、基板至内焰距离等对合成的影响很大。  相似文献   

6.
为了在低温衬底(< 500℃)上制备出高品质纳米金刚石薄膜,使用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法,用甲烷、高纯氢为源气体,P型Si (100)为衬底材料,在低温条件下合成了纳米金刚石薄膜,利用Langmuir探针对合成过程进行了实时原位诊断,研究了电子温度Te和电子密度ne的空间变化规律,探讨薄膜生长机理.对所合成的样品,利用扫描电子显微镜、Raman光谱仪、X射线衍射进行了分析.结果表明,实验所得样品为高品质、结晶完善、表面光滑的纳米金刚石薄膜,SEM形貌表明薄膜中晶粒的粒度为40~90 nm,Raman光谱在1331.5 cm-1处出现了金刚石的(111)特征声子峰.XRD谱在2θ =43.90、75.30处出现了金刚石的(111)、(220)特征衍射峰.实验得出了低温合成纳米金刚石薄膜的最佳工艺条件:①甲烷体积百分比浓度为0.6%;②反应室气压为5 kPa;③气体流量在1100~1300 mL/min范围内成核密度较高,并以(100)、(111)面为主,晶粒的平均粒度小于100 nm;在流量为1300 mL/min时,晶粒的生长表现为一定的定向生长.  相似文献   

7.
布基球使金刚石薄膜更加光滑据美国一个化学家研究小组的看法,如果把布基球用作金刚石薄膜的碳源的话,薄膜的质量会更好,生长得也能更快,如果能把这技术扩大应用到商品生产上,它就能使工具和光学元件的涂层比现在用的性能更好。金刚石除了透明和极坚硬外,它的导热性...  相似文献   

8.
在磷酸电解液中,利用一次阳极氧化工艺成功的制备了具有结构色的多孔氧化铝薄膜。采用交流电沉积方法在氧化铝薄膜的孔洞中沉积金属Co纳米线,得到了高机械强度且具有高饱和度结构色的复合薄膜。控制氧化时间,可以调控复合薄膜结构色的颜色。采用遮挡法,结合多次电沉积工艺,成功的制备出具有彩色图案的复合薄膜。理论分析了薄膜结构色的变化与其微观结构的关系,结果显示,理论分析和实验结果相吻合。  相似文献   

9.
硬质薄膜研究综述   总被引:1,自引:0,他引:1  
论述了硬质薄膜的发展历史,分析了近年来硬质薄膜的发展现状;叙述了合成硬质薄膜的几种方法,并对各种方法的优缺点进行了对比分析。指出类金刚石薄膜、纳米复合硬质薄膜等依然是今后一段时期的研究热点。  相似文献   

10.
金刚石薄膜刀具课程的开发,应该紧紧围绕金刚石薄膜的制备等典型工作任务来进行。从课程地位、课程目标和课程标准等因素入手,将课程内容融入教学情境中,教学效果很好。  相似文献   

11.
研究了化学气相沉积方法在Cu基底和Ni基底上生长的不同层厚的石墨烯薄膜的微观结构、拉曼光谱、透光率和导电性能。研究结果表明Cu基底上生长的单层石墨烯薄膜质量较好,具有良好的光学性能;Ni基底生长的多层石墨烯薄膜为单晶薄膜,呈现优异的电性能。不同生长机理使得两种基底在制备不同层厚的石墨烯薄膜时各有优势。薄膜的晶界和缺陷是影响石墨烯薄膜质量和性能的主要原因。  相似文献   

12.
对氨水溶液体系中种子层法制备ZnO纳米棒的生长机理进行研究。采用溶胶-凝胶法制备出具有002择优取向的ZnO种子层薄膜,利用XRD研究旋涂速度和热处理温度对薄膜取向性的影响;采用密闭高压的氨水溶液体系制备出具有高比表面的ZnO纳米棒,利用SEM对Zn O的微观形貌进行表征,并说明了氨水体系下ZnO纳米棒薄膜的生长机理。测试果表明,4000r/min及300℃的热处理温度制备的ZnO种子层薄膜具有显著的002择优取向,有利于后续ZnO纳米棒沿002方向择优生长。氨水体系下,所获得的ZnO纳米棒长径比大于50,且顶部呈六角锥形,棒与棒之间的空隙较大,有利于敏感气体和量子点的吸附。  相似文献   

13.
采用单靶与双靶磁控共溅射技术,在非晶态石英玻璃基底上分别沉积生长了MoS_2薄膜及MoS_2/C复合薄膜.利用X射线衍射、拉曼光谱检测技术对MoS_2薄膜和MoS_2/C复合薄膜材料的结构进行表征,探讨了退火处理前后薄膜结构的变化.结果表明,通过脉冲和射频双靶共溅射制备的MoS_2/C复合薄膜,碳原子对二硫化钼的空隙进行了填充,经过400℃真空退火20分钟,获得了结晶度较好的MoS_2/C复合薄膜材料.  相似文献   

14.
类金刚石薄膜因其优异的物理化学性能而具有广泛的应用,本文结合于锗在红外光学应用所具有不足,采用化学气相沉积方法,在锗基底表面制备类金刚石膜作为红外增透膜。对制备的样品进行傅立叶红外光谱和红外透射光谱进行测试,测试结果袁明,类金刚石膜是锗基底的理想的红外增透膜。  相似文献   

15.
采用的两步法——先溅射成膜,后退火处理的工艺成功制备了ZnO:Tb复合薄膜,结合XRD、XPS、SEM等手段研究退火温度对薄膜结构和形貌的影响.发现退火温度950%,退火时间10小时为ZnO:Tb薄膜的最佳工艺参数——薄膜表面形成新奇T—A—ZnO结构以及不同直径和长度的螺纹状纳米棒.  相似文献   

16.
CVD金刚石厚膜及焊接刀具的连接技术   总被引:3,自引:0,他引:3  
分析了适合金刚石的焊接方法,介绍了CVD金刚石厚膜刀具的性能、应用和连接技术的研究现状,提出了金刚石实用化方面还需解决的主要焊接问题。  相似文献   

17.
金刚石特殊的晶体结构决定其在很多方面具有优异的性质,金刚石膜的截面特性在一定程度上反映了整个沉积过程中金刚石膜生长的一些规律。文章通过研究金刚石膜截面特点来分析金刚石膜生长的规律,进而总结出制备高品质金刚石膜的方法。  相似文献   

18.
激光诱导聚合物表面周期性微结构的快速制备研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用波长355nm的紫外偏振激光,通过步进扫描法在聚酰亚胺(BDTA—MMAD)薄膜表面制备了激光诱导周期性表面微结构(LIPSS),采用原子力显微镜(AFM)分析了LIPSS图形质量及几何尺寸,考察了X、Y方向扫描速度和扫描步长等参数对LIPSS制备的影响,发现随着X方向扫描速度和Y方向扫描步长的增大,由于薄膜表面受到激光辐射累积能量降低,LIPSS图形质量明显下降。但是,在提高Y方向扫描步长的同时提高激光辐射能量,仍能在较快速度下制得规则的LIPSS结构。根据实验结果提出了实现LIPSS快速制备的优化条件,并探讨了LIPSS的形成机理。  相似文献   

19.
以苄基溴和4-二甲氨基吡啶为原料,在超声下合成了溴化苄基-4-二甲氨基吡啶季盐,采用元素分析、红外光谱、紫外-可见光谱和电子喷雾质谱等方法对其进行了组成分析和结构表征;采用静电纺丝法制备了聚丙烯腈(PAN)纤维为载体的复合抗菌薄膜材料,利用平板法测定了所制备的复合抗菌薄膜材料对金葡萄球菌和大肠杆菌的抗菌性能。该实验项目综合性强,操作简便,条件温和,涵盖多个知识点,有利于激发学生实验兴趣,有利于培养学生的综合素质和创新能力。可以作为制药工程等本科专业的综合实验项目。  相似文献   

20.
磁控溅射法制备氧化镓薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
随着半导体光电技术的日益发展,宽禁带透明导电氧化物薄膜已经成为半导体材料研究的热点之一。氧化镓薄膜具有结构简单、成本低廉、响应快、便于制造的优点,而且还有很高的化学稳定性。它作为一种新型的气体传感器材料近年来日益受到重视。本文研究了通过磁控溅射法制备氧化镓薄膜时,不同的热处理温度对氧化镓薄膜结晶质量的影响。并利用X射线衍射仪,紫外可见透射光谱,对氧化镓薄膜的结构性能及表面形貌进行了测试和分析。  相似文献   

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