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相似文献
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1.
阳极氧化铝(AAO)模板法是一种能够实现低成本制备大面积图案化纳米结构的方法,在生物传感器、海水淡化以及光电器件等领域具有广阔的应用前景。AAO模板具有众多形貌,其中以倒锥形AAO模板制备的纳米锥结构能够有效地消除菲涅尔反射,被广泛应用于大面积图案化薄膜的制备以及改善传统光电器件的性能。本文以倒锥形AAO模板的制备及其应用为主题展开文献综述,介绍了倒锥形AAO模板的制备原理和方法,总结倒锥形AAO模板辅助制备聚合物、金属以及无机非金属图案化纳米结构的具体实验方法。随后,详细介绍倒锥形AAO模板辅助图案化纳米结构在光学减反层、宽谱光吸收体、超疏水表面等领域应用的研究进展。最后,本文总结了倒锥形AAO模板图案化技术所面临的一些问题和挑战,并对未来的发展做出展望。  相似文献   

2.
多孔阳极氧化铝模板(Anodic Aluminum Oxide,AAO)由于具有制备廉价,成品结构高度有序性、组装方法多样等特点,在纳米材料、功能材料等领域已被广泛地研究和应用。制备AAO的过程中需要在电解液中进行阳极氧化,氧化过程容易出现铝(氧化铝)被击穿的现象。TRIZ理论正是解决各种工程及生产问题的方法,基于TRIZ理论,进行了功能分析,技术矛盾分析,并利用阿奇舒勒矩阵以及标准解,最终找到了避免AAO在氧化过程中被击穿的可行方案。  相似文献   

3.
阳极氧化铝模板以其低成本、高通量、柔性和结构可控性等特点已被用于制备纳米结构材料和光子器件等模板。为促进规则多孔的形成和控制所需的性能,高纯Al片表面的预处理是必需的。为此本文研究了高纯Al片的抛光条件,将面积相近的阳极Al片与阴极碳板以相互平行的方式垂直放置于高氯酸与乙醇的体积比为1∶7抛光液中。在电解抛光过程中,当外加电压增至9 V以上时,Al片表面开始形成阳极膜,Al片面积越大该阳极膜所受重力势能作用越显著,致使在完成形成均匀阳极膜拐点处对应的电流密度值随Al片面积的增加而增加,且同一Al片面积具有较佳拐点值,以获得理想的表面光洁度。  相似文献   

4.
本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在6英寸111晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长厚度11μm、电阻率1.6Ω·cm的N/N+型硅外延片,作为100V肖特基二极管的衬底材料;实验中,利用SRP、FTIR、CV等测试方法,对材料的电学参数、几何参数以及过渡区形貌进行了测试分析,通过对比不同过渡区结构对肖特基器件I-V特性的影响,总结出外延过渡区与肖特基二极管I-V特性的对应关系,作为材料制备的理论支撑。  相似文献   

5.
采用磁控溅射技术在玻璃基底上制备出了ZnO/Cu/ZnO、ZnO/Cu、ZnO单层三种透明导电薄膜,利用几种表征手段分析了Cu层位置对ZnO薄膜的结构形貌、光电性能的影响。结果表明,Cu层的加入会降低薄膜的透射率和提高导电性,其中ZnO/Cu/ZnO结构的透射率略高,ZnO/Cu结构的电阻率最低。  相似文献   

6.
本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用桶式外延炉,在4英寸100晶向,2×10-2Ω·cm重掺Sb衬底上,生长厚度50μm、电阻率1000Ω·cm的N/N+型硅外延片,作为高灵敏度光电探测器的衬底材料;实验中,利用SRP、FTIR等测试方法,对材料的电学参数、几何参数以及过渡区形貌进行了测试分析,通过纯化原料、增强吹扫、洁净腔体等手段提高了材料的电阻率,优化了过渡区形貌,从而改善了器件的反向漏电特性。  相似文献   

7.
模板技术是制备介观尺度下具有多重结构材料的简单有效方法。本工作围绕纳米微球及其组装结构,一维纳米纤维及其组装结构而开展。其中重点关于核-壳结构凝胶微球的制备,并以此为模板制备包覆复合微球和中空微球,实现复合微球的形貌和特征尺寸的控制。通过化学改性对单分散聚苯乙烯胶体微粒进行处理,制备了具有核-壳结构的单分散凝胶粒子。以核-壳结构凝胶粒子为模板,制备了二氧化钛包覆聚苯乙烯核壳结构的复合粒子及其中空的二氧化钛粒子。发现在无机前体的溶胶凝胶过程中,电场能诱导复合粒子表面形成贯穿的多孔结构。同样思路,制备了二氧化硅、导电聚苯胺及其复合的核-壳结构和相应的中空微球。对聚苯乙烯胶体晶进行化学改性,制备了核-壳结构的胶体晶凝胶。以此为模板,与第二种具有响应特性凝胶进行复合,得到了敏感特性的胶体晶凝胶。并研究了此复合凝胶的形态及外场响应特性。以多孔氧化铝膜为模板,制备一维结构及其阵列体系。通过调节孔的润湿性,调节一维结构的形态(纤维或中空结构)并可调节双组分核-壳结构纤维的内外相相反转。  相似文献   

8.
滑亚慧 《今日科苑》2009,(18):160-160
薄膜材料的表面形貌直接影响到它的电阻率、介电常数等物理性能,描述薄膜材料的表面形貌对了解其可能产生的物理性能具有重要意义。由于分形盒维数能够综合反映出晶体大小,晶体的不规则程度、晶体排列的致密性等表面形貌结构特征,因而本文的研究拟运用计算机图像分析技术,从分形的角度综合描述薄膜材料表面形貌,并将其分形维数的大小和其电阻率的大小关联起来。本文的研究将有助于阐明晶体排列等结构与物理性能的关系,有助于指导材料制备。  相似文献   

9.
利用二次紫外曝光及热处理的方法,制备了硅酸盐玻璃基银纳米结构掺杂复合材料。利用扫描电镜、紫外-可见分光光度计等测试手段研究了制备过程中样品的颜色、样品形貌和透射光谱等变化情况。实验结果表明,经处理后样品由透明无色变为透明黄色,可见光波段透过率达到90%,在420 nm处出现银粒子体共振吸收特征峰,内部有大量分布均匀、直径约为300 nm的银纳米颗粒生成。所制备的玻璃基银掺杂复合材料为新型光子学器件的研究和制备提供了有利的方法和手段。  相似文献   

10.
主要分析了铝-硅合金在干摩擦和润滑状态下的摩擦磨损机理,综述了Al-Si合金摩擦磨损的研究状况,总结了合金元素,半固态搅拌铸造、表面熔化处理、形成Al基复合材料等对摩擦磨损的影响。  相似文献   

11.
SnO2是一种重要的宽能级n型半导体金属氧化物,是一种重要的功能材料。制成的SnO2纳米棒可以在传感器方面发挥很大用途,在透明导电薄膜、太阳能电池电极、光催化剂等方面发挥重要作用。实验采用多孔硅为模板,使用直流磁控溅射的方法,向多孔硅的孔柱内溅射Sn,使孔柱内生长了一定厚度的Sn膜。然后进行氧化工艺,生成SnO2。再进行刻蚀工艺,将多孔硅表面的SnO2膜腐蚀掉,再腐蚀一段多孔硅模板,露出一段SnO2柱,在模板上生长出SnO2纳米棒。  相似文献   

12.
本文研究一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本论文研究的太阳能电池具体结构是:Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征InxGa1-xN/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN/PI柔性衬底;其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极,然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜、P型nc-Si:H薄膜、GZO基透明导电薄膜,最后制备金属Al电极。由于本征层InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜具有可调禁带宽度,对该结构的太阳能电池起着巨大的作用,很大程度上提高了该结构太阳能电池的效率。  相似文献   

13.
《中国科学院院刊》2005,20(5):385-388
制备出仿壁虎脚底结构的纳米管膜化学研究所有机固体院重点实验室江雷课题组利用一种简单的模板覆盖法制备了超疏水性阵列聚苯乙烯(PS)纳米管膜。研究表明,水滴在这种膜表面具有很大的粘附力,即使翻转或倒置表面水滴也不会滚落。该研究结果是受到壁虎脚底大量纳米结构刚毛产生高粘附力的启发而得到的。研究人员还首次利用高敏感性的微电力学天平测量水滴与膜之间的粘附力。这种具有高粘附力的阵列PS纳米管膜在结构与性能上都类似于壁虎的脚底,它可以在微量水滴从超疏水表面到普通亲水表面的传输上起到“机械手”的作用。相关研究结果发表…  相似文献   

14.
本文以二氧化硅球为模板,以十六烷基三甲基溴化铵和间二苯酚为碳源。经高温煅烧,去模板制备纳米空心碳球。使用扫描电子显微镜和透射电子显微镜表征其形貌,利用电化学工作站测试其电化学性能。  相似文献   

15.
一、引言许多半导体器件表面都采用氮化硅作钝化膜。迄今,已经发展了许多种氮化硅的生长方法,如氮离子注入法、合金法、PECVD、LPCVD等。由于PECVD生长氮化硅设备及工艺简单,生长温度低,所以目前已被广泛采用。本文主要利用ADES400电子能谱仪,通过Auger电子能谱、深度剖析等手段,对国产平板型Si_4-NH_3混合气体PECVD生长设备生长的氮化硅膜的特性作一详细分析,从而揭示杂质及硅氮组成比对氮化硅膜性能的影响。二、实验条件和设备氮化硅薄膜淀积在〈111〉晶向的P/P~+硅外延片上,P型外延层的电阻率约为1Ω·cm。淀积设备为国产DD-P250型氮化硅淀积台。淀积过程中保持射频功率和频率稳定(50W,  相似文献   

16.
红光器件是通信领域各种光纤跳线、尾纤以及光纤线路维护等的重要捡测工具。而目前,红光光源的制备材料均为三五族材料的化合物半导体,如掺磷砷化镓等。为了降低成本研究制备出硅基红光光源是非常好的选择。本文中介绍了应用常规的等离子体增强化学气相淀积技术制备基于碳化硅的Fabry—Pemt结构全固态一维平面微腔。在488nm的激光激发下得到线宽为11nm,品质因子为59,峰位在646nm的发光谱线。与有源层的发光相比强度增强了2倍。为实现硅基光源在通信领域的应用奠定了基础。  相似文献   

17.
专家档案:成步文,研究员,博士生导师,中国科学院半导体研究所光电子研发中心副主任。目前主要从事Si基半导体异质结构材料的外延生长及相关光电子器件和光电集成技术的研究。在硅基异质结构材料外延设备、材料生长动力学、硅基光电子学器件等方面取得了重要研究成果。  相似文献   

18.
超疏水性纳米界面材料的制备与研究   总被引:8,自引:0,他引:8  
制备并研究了几种超疏水性纳米界面材料,具体包括(1)以多孔氧化铝为模板,通过一种新的模板挤压法制备了聚丙烯腈纳米纤维,该纤维表面在没有任何低表面能物质修饰时即具有超疏水性,与水的接触角可高达173.8°.(2)利用亲水性聚合物聚乙烯醇制备了具有超疏水性的表面,打破了传统上只有利用疏水材料才能得到超疏水性表面的局限性,扩大了制备材料的应用范围.研究表明,这种特殊的现象是由于聚乙烯醇分子在纳米结构表面发生重排,使得疏水基团向外,分子间氢键向内,从而导致整个体系的表面能降低引起的.(3)将聚丙烯腈纳米纤维通过典型的热解过程,得到了具有类石墨结构的纳米结构碳膜,该膜表面在广泛pH值范围内都具有超疏水的特征,在基因传输、无损失液体输送、微流体等方面具有更广阔的应用前景.(4)利用喷涂-干燥技术制备了一种新型的同时具有超疏水及超亲油性的油水分离网膜.研究表明,网膜表面特殊的微米与纳米尺寸相结合的粗糙结构导致这种特殊的性质,该网膜具有很高的油水分离效率,具有极其广阔的应用前景.  相似文献   

19.
采用相转化纺丝/烧结技术制备Al2O3多孔中空纤维膜,并以此为载体,通过晶种法考察不同晶种诱导条件制备TS-1复合中空纤维膜,并采用扫描电子显微镜、气体渗透性能测试装置等设备对所制备的TS-1复合中空纤维膜进行微观结构及渗透性能的表征。结果表明,晶种法制备的TS-1复合中空纤维膜的N2渗透速率较小,并且表面平整无缺陷,因此该方法适合制备性能优良的TS-1复合中空纤维膜。  相似文献   

20.
采用超声-电沉积法,在20#钢上制备Ni-纳米Al2O3复合镀层,通过将试验样片恒温25℃静态全浸泡在pH=3.5,NaCl的质量分数为5%的溶液中浸泡210h的方法。研究脉冲电流密度。脉冲占空比,超声波功率,纳米。Al2O3颗粒度等工艺参数对纳米复合镀层耐蚀性能的影响。利用扫描电镜(SEM)观察复合镀层表面形貌及测量复合镀层的断面厚度?利用理学D/max 2400型X射线衍射仪(XRD)确定镀层中含有第二相纳米Al2O3粒子。  相似文献   

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