共查询到20条相似文献，搜索用时 86 毫秒
1.
2.
3.
以硝酸锌(Zn(NO3)2.6H2O)和氢氧化钠(Na OH)为主要原料,通过溶剂热法制备纳米片状、管状氧化锌(Zn O)晶体,利用X射线衍射仪(XRD)对产物晶体进行表征,用扫描电子显微镜(SEM)观察粉体表面形貌和粒径。结果表明,在150℃时结晶性最优,可以合成出粒径约200 nm,厚度约10 nm的片状Zn O才随着反应时间的延长,片状的Zn O有逐渐转变为管状的趋势。通过添加十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和调节氨水与乙醇的比例,发现片状Zn O发生明显卷曲,实验结果为管状Zn O纳米晶的制备乃至未来的应用提供重要的基础条件。 相似文献
4.
5.
制备了结构为ITO/NPB(40 nm)/DPVBi(d)/CBP:Ir(piq)3(15 nm,6%)/Bphen(40 nm)/Mg:Ag(200 nm)的有机电致发光器件。通过改变DPVBi蓝光层的厚度,研究了厚度对器件电致发光性能的影响。结果表明,蓝色荧光层厚度为5 nm时,器件性能较大;继续增大蓝光层厚度,器件性能降低。 相似文献
6.
ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有许多优异的光电特性。但一般制备出的ZnO薄膜材料均呈N型导电,要实现ZnO在光电器件领域的广泛应用,必须获得性能良好p型ZnO。然而,由于受主元素在ZnO中较低的固溶度、较深的受主能级、施主缺陷的自补偿等因素,很难制备出性能优异的p-ZnO。本文对P型ZnO薄膜的研究现状做一简要综述。 相似文献
7.
《黑龙江科技信息》2017,(25)
以硝酸锌、六次甲基四胺、聚乙烯基亚胺为原料,通过控制水热工艺,在柔性PET衬底上制备了具有有序阵列结构的氧化锌纳米棒,通过电子束蒸发镀膜方式在ZnO纳米棒周围包覆了Mn_3O_4薄膜,并结合微纳加工工艺,制备了基于Mn_3O_4@ZnO阵列复合电极材料的柔性透明超级电容器件。通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X光电子能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)等技术手段研究了复合材料的结构和形貌。并采用循环伏安法、电化学阻抗谱和循环充放电法研究了器件的电化学性能。结果表明,电子束蒸发工艺得到的Mn_3O_4薄膜具有优异稳定的电化学特性,三维ZnO纳米棒阵列可以作为透明电容器件的集电极,提供了较大比表面积,有利于提高器件的比电容,在2 m V/s时,器件的比电容可达9.2 m F/cm2,并且器件具有优异的抗弯折性能及稳定性,可以满足柔性储能器件的要求。 相似文献
8.
金属氧化物纳米点薄膜的模板法合成 总被引：6，自引：0，他引：6
报道了一种简便的金属氧化物纳米点薄膜的合成方法.首先制备了具有有序纳米凹坑阵列的多孔阳极氧化铝模板,然后在模板表面真空蒸镀金属薄膜,对所制备的金属薄膜进行氧化处理,得到了具有有序纳米点阵列的金属氧化物纳米点薄膜.纳米点的直径约为 1 0 0nm,高度约为 45nm,以六边形有序排列,密度约为 2× 1 0 1 3个/m2 . 相似文献
9.
10.
11.
通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响。在低于700 oC的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定。而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系。 相似文献
12.
13.
中温固体氧化物燃料电池(SOFCs)的工作温度应低子800℃.本文重点对ZrO2基、CeO2基、Bi2O3基和ABO3型电解质材料的最新进展和发展趋势作了综述.以8%氧化钇稳定氧化锆(8YSZ)作为电解质的SOFCs,工作温度在1000℃左右.经较低价的碱土和稀土离子(SP2+,Ca2+,Sc3+和Y3+)掺杂稳定ZrO2,在800℃,氧化钪掺杂氧化锆(Zr0.9Sc0.1O1.95,scandia doped zirconi-a,SSz)的电导率(0.1S/cm)比Zr0.9Sc0.1O1.95的(0.03S/cm)高得多.薄膜化是改进氧化锆基电解质的电导性能的另一个途径.厚度小于10μm的YSZ基SOFCs,在800℃时功率密度最大可达2W/cm2.研究新的稳定的双掺杂电解质材料将会是CeO2基材料研究的重点.Y2O3和Sm2O3共掺杂(Y0.1Sm0.1Ce0.8O1.9YSCO)在800℃时电导率可达到0.0549S/cm,电导活化能为0.77eV.sr和Mg共掺杂LaGaO3(LsGM)阳离子导体已成为中低温SOFCs的重要候选电解质材料.钙钛矿型氧化物是除了Bi2O3以外氧离子电导率最高的陶瓷材料.寻求新的、优良的中温SOFCs电解质材料仍是目前推动中温SOFCs实用化的关键因素之一,薄膜化技术是研究的另一个重点. 相似文献
14.
15.
用溶胶-凝胶和化学气相沉积相结合的方法制备出了Ag掺杂Zn O纳米管阵列。XRD分析表明具有单一六方纤锌矿结构。根据扫描电镜和透射电镜对其形貌的表征结果,表明Ag掺杂Zn O纳米管阵列为V-L-S生长机制。荧光光谱分析,本实验样品为O缺陷越多的材料,在纳米光电器件中将有很好的应用前景。 相似文献
16.
本文采用直流反应磁控溅射法低温下在Mg-Li合金表面沉积Ti/TiN复合薄膜,薄膜厚度约为1.6μm,靶材是纯度为99.99%的钛靶。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、M263A电化学系统等技术分析了薄膜的相结构、表面形貌、及在0.35wt%NaCl中的抗腐蚀性能。结果表明:复合薄膜的腐蚀电位较合金基体正移82.6mV,腐蚀电流降了一个数量级,析氢速率也明显减小,说明Ti/TiN复合薄膜提高了镁锂合金的抗腐蚀性。 相似文献
17.
采用PLD方法制备了5at.%Co掺杂的ZnO0.95 Co0.05O薄膜,以及Co,Al共掺杂的样品,并对其进行了电学及磁学性质测量,发现ZnO:Co薄膜具有室温铁磁性,同时有着优异的透光特性及良好的导电性,有着集成磁光电特性与一体的潜质。Co,Al共掺杂的样品饱和磁矩有较为明显的增强,说明样品的铁磁性可能来源于载流子浓度的增加。 相似文献
18.
以4,4′——二氨基二苯醚(ODA)、氧化石墨烯(GO)和均苯四甲酸二酐(PMDA)为原料原位聚合制备聚酰亚胺/氧化石墨烯(PI/GO)纳米复合薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)证实氧化石墨烯的加入使得复合材料的结构更加致密。通过拉伸性能测试发现由于GO在PI基体中有良好的分散性,所以在拉伸过程中应力能够有效的转移,从而提高复合材料薄膜的力学性能。 相似文献
19.
本文采用磁控溅射法制备Ti、NdFeB薄膜,并研究分析了工艺参数对Ti薄膜及NdFeB磁性薄膜厚度的影响,这些工艺参数是溅射类型、溅射时间、基靶距。 相似文献