可调谐半导体激光器调谐机理及进展     

徐斌  邱怡申  徐惠真 《闽江学院学报》2006,27(5):47-49

可调谐半导体激光器是新一代密集波分复用系统以及全光网络中光子交换的关键光电子器件．从调谐机理的角度出发,对各种典型的可调谐半导体激光器进行了研究,重点分析了激光器谐振腔结构的不同,导致的调谐方法和手段的差异．同时,分析总结了国外可调谐半导体激光器的研究进展．  相似文献   

用斜坡电压比较法制作高精度交流稳压电源     

刘世安 《绵阳师范学院学报》1995,(Z1)

本文详细介绍了过零线性斜坡电压的形成,取样电压与斜坡电压的比较,脉冲串触发信号的产生,双向可控硅的触发,高稳定性,高精度交流稳压的工作原理。  相似文献   

Semiconductor quantum computation     

Xin Zhang  Hai-Ou Li  Gang Cao  Ming Xiao  Guang-Can Guo  Guo-Ping Guo 《国家科学评论(英文版)》2019,6(1):32

Semiconductors, a significant type of material in the information era, are becoming more and more powerful in the field of quantum information. In recent decades, semiconductor quantum computation was investigated thoroughly across the world and developed with a dramatically fast speed. The research varied from initialization, control and readout of qubits, to the architecture of fault-tolerant quantum computing. Here, we first introduce the basic ideas for quantum computing, and then discuss the developments of single- and two-qubit gate control in semiconductors. Up to now, the qubit initialization, control and readout can be realized with relatively high fidelity and a programmable two-qubit quantum processor has even been demonstrated. However, to further improve the qubit quality and scale it up, there are still some challenges to resolve such as the improvement of the readout method, material development and scalable designs. We discuss these issues and introduce the forefronts of progress. Finally, considering the positive trend of the research on semiconductor quantum devices and recent theoretical work on the applications of quantum computation, we anticipate that semiconductor quantum computation may develop fast and will have a huge impact on our lives in the near future.  相似文献   

外部注入八字形腔实现带宽增强的随机信号输出     

闫西岳  杨玲珍 《河南职业技术师范学院学报》2011,(2):83-87

利用分布反馈式半导体激光器（DFBSL）注入八字形光纤环实现了带宽增加的光随机信号输出.在实验中,DFBSL工作在阈值附近,由于其自发辐射而产生的随机信号经放大后注入到八字形光纤环.实验结果表明：经八字形光纤环输出地随机信号带宽增加,并且当八字形环左环无光隔离器时输出信号的随机性要优于有隔离器时的情况.  相似文献   

半导体器件教学方法的探讨     

靳宏  王莉  陈虹 《中国现代教育装备》2011,(3):112-114

模拟电子电路的核心元件是半导体器件,因此对半导体器件原理及特性的掌握至关重要。学生入门便是接触半导体器件知识,通常感觉生僻难懂、学习吃力,对以后器件的应用更是无法得心应手。主要介绍笔者对这部分内容的教学心得,在教学过程中结合各种教学方法,让学生便于理解与识记。  相似文献   

（La,A）（Zn,Mn）SbO（A=Ca，Sr，Ba）稀磁半导体的制备与研究     

韩伟  杨淑敏  李海涛  岂云开  顾建军 《承德师专学报》2015,(2)

通过LaZnSbO在La3+的位置用A=Ca2+, Sr2+, Ba2+进行变价替换引入P型载流子,使用Mn2+替换Zn2+引入自旋,可使ZrCuSiAs结构单相(La,A)(Zn,Mn)SbO (A=Ca, Sr, Ba)同时兼具半导体和铁磁性能,居里温度可达到40 K。居里温度以下呈现类似玻璃磁性的磁性特征,(La0.95Ca0.05)(Zn0.9Mn0.1)SbO的翻转时间(τ*)和动态临界指数(zγ)分别为：τ*=2.64×10-7s, zγ=1.91。  相似文献   

复合溶剂热法可控合成ZnO半导体纳米材料     

刘小娣  陈书阳  闫家伟  李圣民 《南阳师范学院学报》2010,9(9):31-34

以无水甲醇-水为复合溶剂,以Zn（NO3）2.6H2O和NaOH为原料,采用复合溶剂热法制备出具有特殊形貌的ZnO半导体纳米材料（四脚针状、棒状和片状）,利用X-射线粉末衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对产物的晶体结构和形貌进行表征.结果表明,通过简单地改变反应物比例和溶剂,可成功地实现ZnO纳米材料晶型和形貌的控制合成.研究了反应物比例和溶剂对ZnO形貌的影响,并对不同形貌ZnO纳米材料的形成机理进行了探讨.  相似文献   

The Finite Element Solutions to the Semiconductor Equations     

管平  王文胜 《东南大学学报》1999,(1)

本文研究具有混合边界条件半导体方程的近似解，给出了两种近似格式：Ｇａｌｅｒｋｉｎ离散格式和混合变量离散格式，同时还给出了误差分析  相似文献   

半导体器件在实际应用中的可靠性要求     

钱静 《河北软件职业技术学院学报》2006,8(1):78-80

本文通过具体事例,分析说明了半导体器件在使用中可能造成损坏或失效的原因及具体应用时应注意的问题.  相似文献   

单层VCl₃和VBr₃中相互作用导致的量子反常霍尔绝缘体到莫特绝缘体相变     

徐永峰  胜献雷  郑庆荣 《中国科学院大学学报》2020,37(6):736-743

基于第一性原理计算,发现在不考虑3d电子间关联作用的情况下,二维单层材料VCl₃和VBr₃是面内铁磁半导体,并且具有量子反常霍尔效应。VCl₃能隙约为3.4 meV,VBr₃没有全局的能隙。有趣的是,VCl₃的陈数为3,有3个手性边缘态;VBr₃的陈数为1,对应1个手性边缘态。当考虑关联作用U后,它们会变为Mott绝缘体。对于VCl₃,相变点发生在U=0.45 eV;对于VBr₃,相变点发生在U=0.35 eV。  相似文献