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1.
采用溶胶凝胶(sol-gel)法,在普通载玻片上成功制备ZnO薄膜,对于不同退火温度样品采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计(UVS)及光致荧光光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行表征.XRD谱表明在300℃、400℃、500℃退火处理的样品都有较好的c轴择优取向,而且随着退火温度的升高择优取向明显改善.透射谱中能观察到明显的ZnO吸收边.用AFM观察到的样品表面形貌表明,退火温度提高使样品表面更加平整,同时粒径变大.PL谱中在380nm附近可观察到明显发光峰. 相似文献
2.
采用磁控溅射方法在Si片沉积了Ti-50．9at％Ni形状记忆合金薄膜,并将薄膜分别在不同温度下进行退火．利用示差扫描量热方法（DSC）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）研究了薄膜退火前后形貌、相变特征及应力随退火温度的变化．实验结果表明：溅射态薄膜为非晶态,其晶化温度范围为430℃-535℃,晶化同时伴随着Ti3Ni4相的析出;退火后的薄膜随着退火温度的升高,Rs、Af、Ms均呈上升趋势．薄膜的残余应力随着退火温度的增加而逐渐减少． 相似文献
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王家鑫 《郧阳师范高等专科学校学报》2009,29(3):47-49
采用射频磁控溅射沉积方法,结合氢气氛退火工艺制备了热红外探测VO2薄膜,通过优化工艺,制备出化学计量比接近理论值、高质量的VO2薄膜．利用X射线光电子能谱（XPS）对薄膜的相结构、组分进行了分析．测试结果显示,V2O5薄膜在退火温度450℃、退火2h条件下,制备得到的薄膜成分主要是VO2相． 相似文献
4.
反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜,并对薄膜进行退火处理,研究溅射功率和退火温度对薄膜结构和光电学性质的影响。用X射线衍射仪、分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征,采用拟合正入射透射谱数据计算薄膜的厚度。结果表明：不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态,透射率在近红外部分达到60%以上,电阻率随溅射功率的增加呈U型变化,在120 W附近,电阻率达到极小值;退火后,薄膜的XRD谱出现Cu4O3、Cu O和Al2O3的混合相,薄膜透射率有所提高,电阻率随退火温度的提高而先增大后减小。 相似文献
5.
采用化学溶液沉积法在Si(001)衬底上制备Ni0.7Zn0.3Fe2O4铁氧体薄膜,XRD谱表明样品具有单相的尖晶石结构;扫描电子显微镜结果表明样品平均颗粒尺寸随着退火温度的上升从10 nm增加到32 nm。NZFO铁氧体薄膜磁性能与退火温度有强烈的依赖关系,薄膜的矫顽力从退火温度为500℃时的25 Oe增加到900℃时的80 Oe,饱和磁化强度也由146emu/cm3增加到283 emu/cm3,这对于现代电子器件微型化有着非常重要的意义。 相似文献
6.
Nano-particles lanthanum-modified lead titanate (PLT) thin films are grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrate by liquid source misted chemical deposition (LSMCD). PLT films are deposited for 4-8 times, and thenannealed at various temperature. XRD and SEM show that the prepared films have good crystallization behavior and perovskite structure. The crystallite is about 60nm. The deposition speed is 3nm/min. This deposition method can exactly control stoichiometry ratios, doping concentration ratio and thickness of PLT thin films. The best annealing process is to bake at 300℃ for 10min and anneal at 600℃ for 1h. 相似文献
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采用射频磁控溅射技术用单晶Si(111)和载玻片制备了SiO2薄膜。对薄膜进行了不同温度的退火处理。利用X射线衍射仪,紫外-可见分光光度计和傅里叶变换红外光谱仪等测试不同退火温度下SiO2薄膜的微结构、透反射曲线和红外吸收谱。研究表明:退火后SiO2薄膜仍为四方结构,薄膜的平均晶粒尺寸随退火温度的升高逐渐增大,晶格常数与标准值相比均稍小。退火温度对薄膜平均反射率影响不明显;薄膜平均透射率随退火温度的升高先增大后减小。 相似文献
8.
以透明导电玻璃(TCO)为衬底,用硝酸锌水溶液作为电解液,采用阴极电沉积法合成了ZnO薄膜.通过改变电解液浓度、温度和沉积电压等实验条件,系统研究了锌氧化物薄膜材料的电化学沉积过程.用扫描电镜、X射线衍射、紫外-可见光谱法等技术对沉积物的形貌、结构及光学性质进行了表征.结果表明,通过控制电解液的浓度和温度及沉积电压等反应条件可以制备出不同形貌的ZnO薄膜.XRD结果表明,所得的ZnO纯度高且呈六方纤锌矿结构;光谱法研究表明,该薄膜在344 nm和552 nm处有两个吸收峰,禁带宽度为3.25 eV. 相似文献
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常亮亮 《商洛师范专科学校学报》2014,(2):40-44,52
以Sr（OOCCH3）2·H2O,Ti（OC4H9）4·Nb（C2H5O）5为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了SrNb0.05Ti0.95O3（SNTO）膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃／60min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SNTO薄膜的最佳退火工艺。SNTO薄膜的介电特性分析：掺杂Nb^5＋能使SrTiO3转化为n-半导体。 相似文献
11.
Sol-gel法制备BZT铁电薄膜,用X射线衍射仪(BSX3200)和扫描电子显微镜研究了BZT的结构和表面形貌,用差热-热失重(TG-DTA)析谱分析BZT粉体的退火工艺.测定了薄膜的电性能:薄膜不加偏压下的介电常数大约为620左右,介电损耗和调谐量分别为0.0335和48.63%. 相似文献
12.
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高立华 《洛阳师范学院学报》2012,31(5):34-36,45
在工作气压为1.9 Pa的氩氧气混合气氛中,改变氩氧的流量比和基片温度,采用射频反应磁控溅射法在不锈钢基片上制备了二氧化硅薄膜试样,并对薄膜的微观表面形貌和薄膜的亲水性进行表征.结果表明,在氩氧分压比为64和基片温度为90℃时制备的SiO2薄膜亲水性能最佳. 相似文献
14.
MBE growth of ZnSxSe1-x thin films on ITO coated glass substrates were carried out using ZnS and Se sources with the substrate temperature ranging from 270℃ to 330℃. The XRD θ/2θ spectra resulted from these films indicated that the as-grown polycrystalline ZnSxSe1-x thin films had a preferred orientation along the (111) planes. The evaluated crystal sizes as deduced from the FWHM of the XRD layer peaks showed strong growth temperature dependence, with the optimized temperature being about 290℃. Both AFM and TEM measurements of these thin films also indicated a similar growth temperature dependence. High quality ZnSxSe1-x thin film grown at the optimized temperature had the smoothest surface with lowest RMS value of 1.2 nm and TEM cross-sectional micrograph showing a well defined columnar structure. 相似文献
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1 Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ Ｉｎ 1988,Ｙｏｓｈｉｚａｗａａｎｄｃｏ ｗｏｒｋｅｒｓ[1] ｒｅｐｏｒｔｅｄｆｏｒｔｈｅｆｉｒｓｔｔｉｍｅｏｎａｎｅｗｇｏｏｄｓｏｆｔｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｏｙｃａｌｌｅｄＦｉｎｅｍｅｔ.Ｉｔｃｏｎｓｉｓｔｅｄｏｆｕｌｔｒａｆｉｎｅｇｒａｉｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅｐｒｅ ｐａｒｅｄｂｙｔｈｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎｏｆＦｅ Ｓｉ ＢａｍｏｒｐｈｏｕｓａｌｌｏｙｗｉｔｈａｄｄｉｔｉｏｎｓｏｆＣｕａｎｄＮｂ[1～ 3] .Ｔｈｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｆｔｈｉｓｐａｒｔｉｃｕｌａｒｓｔ… 相似文献
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采用等离子体增强化学气相沉积技术制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜,然后经过不同温度的热退火处理,获得硼掺杂纳米硅薄膜．结果表明,退火温度为700℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,在1000℃时,薄膜的晶化率达到77％,晶粒大小为3．9nm．退火温度低于600℃时,光学带隙随着退火温度的升高而变窄,高于600℃... 相似文献
17.
利用反应磁控溅射法在S i基地生长Zn1-xFexO(x=0.04,0.06,0.08,0.10,0.12)薄膜.X射线衍射结果表明所有样品都具有纤锌矿结构,且C轴择优取向.X射线光电子能谱显示薄膜中的Fe离子为 2价态.磁力显微镜结果表明薄膜具有明显的磁畴花样.磁性测量表明所有在真空下退火的样品都具有室温铁磁性而空气下退火样品具有顺磁性.薄膜中的铁磁性与氧空位有关. 相似文献
18.
为了制备多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速热退火（RTA）技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火后的薄膜利用X射线衍射仪（XRD）和Raman测试仪分析其晶体结构,研究了退火温度、退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响. 相似文献
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以Sr(OOCCH3)2·H2O,Ti(OC4H9)4为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了STO薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60 min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SrTiO3薄膜的最佳退火工艺。STO薄膜的介电特性分析:在100 kHz下,室温时,STO薄膜的介电常数为475而介电损耗为0.050。 相似文献
20.
Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) precursor films were deposited on Mo/glass by electrodeposition, and then annealed in Se vapor. The annealing temperature ranged from 450 °C to 580 °C, and two heating rates were selected. The results showed that the crystalline quality of the CIGS films and formation of the Cu-Se compound could be strongly influenced by the selenization temperature and heating rate. Raman spectroscopy and X-ray diffraction (XRD) analysis showed that when the selenization temperature was increased from 450 °C to 550 °C, the amount of binary CuSe phase decreased and the amount of Cu2Se increased. After annealing at 580 °C, a minimum amount of Cu2?xSe compounds was obtained and the degree of CIGS film crystallinity was higher than in other samples. The relationship between the properties of the film and the heating rate was studied. XRD and Raman spectra showed a decrease in the Cu2?xSe phase with increasing heating rate. Scanning electron microscopy (SEM) and XRD showed a remarkable increase in the grain size of CIGS during rapid heating. 相似文献