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相似文献
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1.
利用常压MOCVD法在Si及Al2O3衬底上制备了TiO2薄膜.研究了沉积温度和退火温度对TiO2薄膜结构和形貌的影响,以及TiO2薄膜的光学性质.研究发现,沉积温度为600℃时,制备的TiO2薄膜结构为锐钛矿相,薄膜质量较高.TiO2薄膜在1 090℃高温退火后,薄膜结构完全转变为金红相.TiO2薄膜在可见区域有着高达90%以上透射率,在紫外区域有着强烈的吸收.  相似文献   

2.
题如图,在一个玻璃筒两端套上弹性薄膜,竖直浸没在水中,以下说法正确的是( ) (A)两端的薄膜都向内凹. (B)上端的薄膜向外凸,下端的薄膜向内凹. (C)上端的薄膜向内凹,下端的薄膜向外凸.(D)两端的薄膜都向外凸.我们考虑这个问题的时候,如果只分析薄  相似文献   

3.
利用磁控溅射法在玻璃基片上制备Zn095Ca005O薄膜,用X射线衍射(XRD)研究薄膜的结构特性,用LS920荧光光谱仪测量了样品薄膜的PL谱,探讨了衬底温度对薄膜结晶质量和光学性质的影响。研究发现,衬底温度对薄膜的质量影响较小,450℃时制备的薄膜结晶质量最好;不同衬底温度对发光峰强度有影响;薄膜在可见光区显示出较高的透过性,在350-400nm范围内薄膜透过率骤然下降,在该范围内存在吸收边。  相似文献   

4.
利用磁控溅射法在玻璃基片上制备Zn0.95Ca0.05O薄膜,用X射线衍射(XRD)研究薄膜的结构特性,用LS920荧光光谱仪测量了样品薄膜的PL谱,探讨了衬底温度对薄膜结晶质量和光学性质的影响。研究发现,衬底温度对薄膜的质量影响较小,450℃时制备的薄膜结晶质量最好;不同衬底温度对发光峰强度有影响;薄膜在可见光区显示出较高的透过性,在350-400 nm范围内薄膜透过率骤然下降,在该范围内存在吸收边。  相似文献   

5.
采用直流磁控溅射方法在硅油基底上沉积出具有自由支撑边界条件的金属银薄膜系统,研究了银薄膜在大气环境中的表面形貌演化规律及其物理机理。实验发现银薄膜在真空状态下基本稳定,但在大气环境中发生强烈的收缩效应,使得薄膜开裂,其表面覆盖率不断降低。分析表明这一动态演化过程基本满足指数衰减规律,并可用薄膜内应力的不断释放加以解释。随着银薄膜的不断收缩,薄膜表面可呈现出异常丰富的褶皱形貌:在薄膜边界附近呈现基本垂直于边界的直线状条纹结构;而在薄膜中间区域,将形成二次起皱的扭曲状花样和无序网格状褶皱形貌。从单轴应力和双轴应力理论的角度出发,对各类奇特的褶皱形貌进行了细致的分析和讨论。  相似文献   

6.
采用脉冲激光沉积方法,以烧结的Fe3O4为靶材,在STO(100)基底上制备了Fe3O4(100)薄膜。XRD和AFM显示薄膜为纯相外延单晶薄膜、表面较平整。对薄膜的磁电阻进行测量,薄膜为负磁电阻,且在Verwey转变温度(约120K)时磁电阻最大。霍尔效应测量得到薄膜中栽流子浓度随着温度的降低而减小,In(n)与I/T基本呈线性关系,符合半导体热激活模型,迁移率随着温度的降低而减小,说明在薄膜内存在大量电离杂质中心。薄膜磁滞回线中较高的饱和磁化场。说明薄膜中APBs密度较低。  相似文献   

7.
利用直流磁控溅射方法在玻璃基片上沉积了金属钽薄膜,研究了边界效应对薄膜屈曲结构的影响.结果表明:制备态的钽薄膜包含较大的残余压应力,促使薄膜与基片脱层而形成屈曲结构;屈曲结构在薄膜边界处成核生长,并逐渐扩展到薄膜内部区域;在薄膜边界处,屈曲结构呈垂直边界的平行直线状条纹结构,随着距离的增加,屈曲结构逐渐分叉形成无规网格结构或电话线结构.利用薄膜的单轴应力和等双轴应力模型,对屈曲结构边界处的形貌特征进行了深入分析.  相似文献   

8.
采用电弧离子镀在高速钢表面沉积TiN和TiAlN薄膜,并比较两种薄膜的机械性能。为模拟实际生产情况,利用对外开展技术服务的机会,沉积薄膜同时在真空腔室内放置近1000支冲棒。基材高速钢经镀2.0μm TiN和1.8μm TiAlN薄膜后硬度分别提高至2 661HK、3 570HK左右。由于Al原子的固溶强化作用,镀TiAlN薄膜硬度提高比TiN薄膜更为显著。TiAlN薄膜与基材的结合力明显低于TiN薄膜,适用于受力较小的工作条件,这可能是由于薄膜塑性较差及内应力较大共同影响所致。  相似文献   

9.
文章采用磁控溅射的方法在n型硅基底上制备了CoN和SiN薄膜,再用薄膜测厚仪和四探针测试仪(EPP)测出样品的厚度及方块电阻,得到制备CoN和SiN薄膜的优化条件,然后由CoN和SiN薄膜制备出CoSiN薄膜。  相似文献   

10.
文章采用磁控溅射的方法在n型硅基底上制备了CoN和SiN薄膜,再用薄膜测厚仪和四探针测试仪(EPP)测出样品的厚度及方块电阻,得到制备CoN和SiN薄膜的优化条件,然后由CoN和SiN薄膜制备出CoSiN薄膜.  相似文献   

11.
利用四探针测试法分析了导电聚苯胺(PANI-CSA)薄膜的电导率及其屏蔽特性,发现随着薄膜的厚度从4~40μm变化,导电聚苯胺薄膜的室温电导率在12~25S/cm范围内变化.并测试和分析了导电聚苯胺薄膜的屏蔽特性与薄膜厚度的关系,得到了导电聚合物PANI-CSA薄膜的电磁屏蔽效能在一定厚度范围内与理论值是一致的结论.  相似文献   

12.
反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜,并对薄膜进行退火处理,研究溅射功率和退火温度对薄膜结构和光电学性质的影响。用X射线衍射仪、分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征,采用拟合正入射透射谱数据计算薄膜的厚度。结果表明:不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态,透射率在近红外部分达到60%以上,电阻率随溅射功率的增加呈U型变化,在120 W附近,电阻率达到极小值;退火后,薄膜的XRD谱出现Cu4O3、Cu O和Al2O3的混合相,薄膜透射率有所提高,电阻率随退火温度的提高而先增大后减小。  相似文献   

13.
利用磁控溅射技术在玻璃基片上分别沉积ZnOx薄膜、TiO2-y薄膜和TiO2-y/ZnOx双层透明薄膜,改变薄膜沉积过程中的氩气(Ar)和氧气((O2)的比例,获得具有不同氧含量的ZnOx薄膜和TiO2-y薄膜.采用椭偏仪测定所有样品的折射率,仔细研究薄膜中氧含量对折射率的影响.分别选择具有较大的折射率TiO2-y薄膜和具有较小的折射率ZnOx薄膜的生长条件,制备TiO2-y/ZnOx双层薄膜,获得光密媒质/光疏媒质双层结构,并观察到He-Ne激光从ZnOx薄膜入射到TiO2-y/ZnOx界面上发生的全反射现象.研究成果适用于大学生物理实验中的研究型实验或大学创新实验.  相似文献   

14.
研究了化学气相沉积方法在Cu基底和Ni基底上生长的不同层厚的石墨烯薄膜的微观结构、拉曼光谱、透光率和导电性能。研究结果表明Cu基底上生长的单层石墨烯薄膜质量较好,具有良好的光学性能;Ni基底生长的多层石墨烯薄膜为单晶薄膜,呈现优异的电性能。不同生长机理使得两种基底在制备不同层厚的石墨烯薄膜时各有优势。薄膜的晶界和缺陷是影响石墨烯薄膜质量和性能的主要原因。  相似文献   

15.
以玻璃为衬底,利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了非晶硅(α-Si)薄膜,然后通过准分子激光晶化方式获得结晶硅(nc-Si)薄膜,采用激光显微拉曼光谱仪对非晶硅薄膜、结晶硅薄膜这两类薄膜的拉曼光谱效应和结晶质量等进行了定量分析。结果表明:当激光功率达到某一阈值时,非晶硅样品发生了晶化,即由非晶硅转化成了结晶硅,特征峰发生了46.8 cm-1的位移,薄膜的结晶性质发生根本变化。而结晶硅样品在激光功率变化过程中仅因能量积聚造成了薄膜内应力变化,激光能量消散后内应力恢复原来的状态,特征峰在±5.4 cm~(-1)位移内波动,薄膜的结晶性质并未发生明显变化,表明薄膜处于稳定的晶态结构。  相似文献   

16.
建立了弹道入射的薄膜三维蒙特卡罗形貌仿真模型,模拟了倾斜沉积情况下柱状薄膜的生长形貌,研究了沉积角度对柱状薄膜形貌的影响.通过动力系蒙特卡罗模拟,分析了雕塑薄膜生长过程中的阴影效应,并且验证了在倾斜沉积实验条件下,斜柱状薄膜生长模式的稳定性,这为后续准确控制雕塑薄膜结构并实现量化控制提供重要的理论依据.  相似文献   

17.
利用射频磁控溅射制备AZO薄膜,然后在常温下0.1%的盐酸水溶液中对薄膜进行化学腐蚀,系统研究了腐蚀时间长短对薄膜的表面形貌和光电学性质的影响。结果表明,薄膜表面的粗糙度和方块电阻随腐蚀时间的增加而增大;薄膜的光学透射率和反射率均随腐蚀时间的增加而减小。  相似文献   

18.
(110)取向镍酸镧导电薄膜的制备及性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用化学溶液法在SiO2/Si(100)衬底上制备了LaNiO3导电薄膜,研究不同热解温度、不同薄膜厚度对LNO薄膜结构和导电性的影响,结果发现薄膜均呈现(110)择优取向生长,尤其是650°C退火6层的薄膜(110)相对取向度最大为2.05,750°C退火的薄膜电阻率最小,且电阻率随时间和厚度的增加而变大.  相似文献   

19.
在磷酸电解液中,利用一次阳极氧化工艺成功的制备了具有结构色的多孔氧化铝薄膜。采用交流电沉积方法在氧化铝薄膜的孔洞中沉积金属Co纳米线,得到了高机械强度且具有高饱和度结构色的复合薄膜。控制氧化时间,可以调控复合薄膜结构色的颜色。采用遮挡法,结合多次电沉积工艺,成功的制备出具有彩色图案的复合薄膜。理论分析了薄膜结构色的变化与其微观结构的关系,结果显示,理论分析和实验结果相吻合。  相似文献   

20.
采用螺旋波等离子体辅助溅射沉积法在衬底Al2O3的(0001)面上沉积ZnO薄膜,所生长的薄膜在未退火和退火时表现出不同的平面内取向.未退火时薄膜表现出较好的单筹异质外延生长,而退火后薄膜的Φ扫描图像中出现了12个峰,这表明退火后薄膜出现反相筹,表现为孪晶生长.重点分析了退火对螺旋波等离子体辅助溅射技术外延ZnO薄膜的结构及表面形貌的影响规律,为外延ZnO薄膜质量的提高及该技术应用的探索奠定基础.  相似文献   

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