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1.
用射频溅射法制备了FeZrBNb软磁合金薄膜,研究了不同退火方式对薄膜磁特性和巨磁阻抗效应的影响。结果表明,退火能改善薄膜的软磁性能,使其矫顽力由0．5kA·m^-1降到了0．09kA·m^-1,横向和纵向有效磁导率都有所提高。退火也能明显提高薄膜样品的巨磁阻抗效应,加磁场退火的薄膜样品在13MHz下纵向和横向最大巨磁阻抗比分别为2．6％和1．7％。 相似文献
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加磁场退火对铁基薄膜巨磁阻抗效应的影响 总被引：2，自引：0，他引：2
用射频溅射法制备了(Fe88zr7B5)0.97CU0.03软磁合金薄膜,研究了不同磁场退火方式对(Fe88Zr7B5)0.97 Cu0.03薄膜软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应的影响。结果表明,纵向和横向磁场退火方式都能有效地提高薄膜样品的巨磁阻抗效应,在13 MHz频率下纵向最大GMI比分别为18％和17％;纵向磁场退火能有效消除薄膜样品的磁各向异性,优化薄膜样品的软磁性能;横向磁场退火则能有效感应横向磁各向异性并提高巨磁阻抗效应的磁场响应灵敏度。 相似文献
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用射频溅射法制备了FeZrBNb合金薄膜,研究薄膜厚度对巨磁阻抗效应的影响。结果表明,适当增大薄膜的厚度可以降低薄膜样品的临界频率,提高阻抗比。频率为13MHz时,厚度为10．8μm的薄膜样品的最大纵向阻抗比达到了5．9％,高于3．5μm的薄膜样品（最大纵向阻抗比为1．9％）;而临界频率为400kHz,远低于薄膜厚度为3．5μm的样品（临界频率为1．3MHz）。 相似文献
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研究了Cu掺杂对FeZrB非晶软磁合金薄膜的巨磁阻抗(GMI)效应的影响。研究发现，未掺Cu元素的Fe88Zr7B5非晶软磁合金薄膜和掺了4at％过量Cu的(Fe88Zr7B5)0．96Cu0.04非晶合金薄膜均无明显的GMI效应．掺了3at％适量cu的(Fe88Zr7B5)0．97Cu0.03非晶合金薄膜则具有显著的GMI效应，在13MHz的频率下，最大纵向巨磁阻抗比为17％，最大横向巨磁阻抗比11％． 相似文献
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本文分析了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9晶丝在内径为1.75mm、0.4mm、0.1mm线圈纵向驱动和环向驱动下的巨磁阻抗效应,发现在环向驱动下,当驱动频率为1.925×107Hz时,磁致阻抗变化最大值为:(Z(H)-Z(Hmax))/Z(Hmax)×100%=14.24135%。在纵向驱动下铁基纳米晶丝的巨磁阻抗效应与驱动线圈的内径有关,内径越小,阻抗效应越大,用内径为1.75mm线圈驱动时,(Z(H)-Z(Hmax))/Z(Hmax)×100%=18.54342%;用内径为0.4mm线圈驱动时,(Z(H)-Z(Hmax))/Z(Hmax)×100%=104.91793%;用内径为0.1mm线圈驱动时,(Z(H)-Z(Hmax))/Z(Hmax)×100%=140.56741%。实验结果表明,纵向驱动比环向驱动磁阻抗变化效果明显。 相似文献
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采用电弧熔炼和高温退火的方法制备了Ni_(42)Co_8Mn_(39)Sb_(11)铁磁形状记忆合金.用X射线衍射表征样品的晶体结构,用综合物性测试系统对材料的马氏体相变以及马氏体相变附近的磁热效应、磁电阻效应和磁致应变效应进行了表征.结果表明,样品在220 K左右发生了从弱磁马氏体到铁磁奥氏体的相变,随磁场增加,马氏体转变温度向低温偏移.在马氏体相变附近,样品不仅具有较大的磁热效应,还具有磁电阻效应和磁致应变效应,这些效应都是由磁场驱动马氏体相变导致的.这些结果说明Ni-Co-Mn-Sb合金在磁制冷、磁传感、磁驱动领域有着潜在的应用. 相似文献
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根据带绝缘层的复合结构层状、丝状磁性材料的巨磁阻抗效应的实验研究结果,提出了带绝缘层的多层复合薄膜结构模型,采用将静态、动态两种磁化过程分开考虑的方法,同时考虑畴壁振动和磁畴转动两种磁化机制的影响,推导出当电流只通过高电导率的导电层时该模型的阻抗表达式,所得公式体现了"三明治"模型的特点,并弥补了它的不足.同时,通过有无外加直流磁场时阻抗表达式的异同,对袁望治等人的实验结果作了理论上的正确解释. 相似文献
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快淬Co/Cu系列金属条带的巨磁电阻效应 总被引：1，自引：1，他引：1
系统研究了用快淬制备的铸态和退火处理后的颗粒合金膜CoxCu10 0 -x(5≤X≤ 30 )的结构及磁电阻性能 .利用分析电镜 (AEM )观察到球状Co颗粒以不同尺寸分布于多晶体条带中 .利用X射线衍射 (X -ray)观察了造成Co/Cu金属条带电子输运性质变化的富Co相颗粒相分离过程 .样品的MR幅度与同成分用溅射和快淬法制备的样品一致 ,而且获得最佳MR幅度的退火条件也一致 .快淬样品在 30 0K ,外场 12kOe下 ,最佳退火温度 75 0K下保温 10分钟 ,获得MR幅度达 4 .5 % . 相似文献
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1 Introduction The giant magneto-i mpedance ( GMI) effect is alarge change of AC i mpedance of soft magnetic con-ductor upon application of an external magnetic field .It has drawn much research attention because of itsprospective applications in high sensitive magnetic sen-sors. GMI materials can be of the forms of homoge-neous wires[1-3], ribbons[2 ,4 ,5], fil ms[3], inhomoge-neous forms of microtubes[6 ,7]and sandwich structuredfil ms[8-10]. Thin fil ms are more preferable for sensorappl… 相似文献
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Co_60.15Fe_4.35Si_12,5B_15非晶合金在低频脉冲磁场作用下纳米晶化的巨磁阻抗效应研究 总被引：1，自引：0，他引：1
Co60．15Fe4．35Sil2,5B15非晶合金进行低频脉冲磁场处理,当脉冲频率固定,脉冲磁场强度为2500e时观察到较大的GMI效应。研究了脉冲磁场作用产生巨磁阻抗的机理：脉冲磁场作用产生的磁致伸缩能降低了非晶合金的形核势垒,使非晶合金得以纳米晶化,进而提高了材料的软磁性能,获得较大的GMI效应。 相似文献
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采用磁控溅射方法在Si片沉积了Ti-50．9at％Ni形状记忆合金薄膜,并将薄膜分别在不同温度下进行退火．利用示差扫描量热方法（DSC）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）研究了薄膜退火前后形貌、相变特征及应力随退火温度的变化．实验结果表明：溅射态薄膜为非晶态,其晶化温度范围为430℃-535℃,晶化同时伴随着Ti3Ni4相的析出;退火后的薄膜随着退火温度的升高,Rs、Af、Ms均呈上升趋势．薄膜的残余应力随着退火温度的增加而逐渐减少． 相似文献
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反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜,并对薄膜进行退火处理,研究溅射功率和退火温度对薄膜结构和光电学性质的影响。用X射线衍射仪、分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征,采用拟合正入射透射谱数据计算薄膜的厚度。结果表明：不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态,透射率在近红外部分达到60%以上,电阻率随溅射功率的增加呈U型变化,在120 W附近,电阻率达到极小值;退火后,薄膜的XRD谱出现Cu4O3、Cu O和Al2O3的混合相,薄膜透射率有所提高,电阻率随退火温度的提高而先增大后减小。 相似文献
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Amorphous InGaZnO (a-IGZO) film is deposited on the glass substrate by radio-frequency sputtering and the influence of annealing on wet etch of a-IGZO films were investigated.The results show that etch rate of IGZO films decrease with the increase of annealing temperature.Etching taper angle is less than 60 and critical dimension (CD) loss is less than 1 μm in over-etching time of 30 s.The fact implies that IGZO films etching with oxalic acid may be a good wet etching way for the thin-film transistor (TFT) ... 相似文献
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采用溶胶凝胶(sol-gel)法,在普通载玻片上成功制备ZnO薄膜,对于不同退火温度样品采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计(UVS)及光致荧光光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行表征.XRD谱表明在300℃、400℃、500℃退火处理的样品都有较好的c轴择优取向,而且随着退火温度的升高择优取向明显改善.透射谱中能观察到明显的ZnO吸收边.用AFM观察到的样品表面形貌表明,退火温度提高使样品表面更加平整,同时粒径变大.PL谱中在380nm附近可观察到明显发光峰. 相似文献
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Amorphous InGaZnO (a-IGZO) film is deposited on the glass substrate by radio-frequency sputtering and the influence of annealing
on wet etch of a-IGZO films were investigated. The results show that etch rate of IGZO films decrease with the increase of
annealing temperature. Etching taper angle is less than 60° and critical dimension (CD) loss is less than 1 μm in over-etching
time of 30 s. The fact implies that IGZO films etching with oxalic acid may be a good wet etching way for the thin-film transistor
(TFT) array process. 相似文献
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Boron-doped diamond (BDD) film electrodes using Ta as substrates were employed for anodic oxidation of salicylic acid (SA). The effects of operational variables including initial concentration,current density,temperature and pH were examined. The results showed that BDD films deposited on the Ta substrates had high electrocatalytic activity for SA degradation. There was little effect of pH on SA degradation. The current efficiency (CE) was found to be dependent mainly on the initial SA concentration,current density and temperature. Chemical oxygen demand (COD) was reduced from 830 mg/L to 42 mg/L under a current density of 200 A/m2 at 30 °C. 相似文献