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1.
真空镀膜技术广泛应用于现代科学技术的很多领域。起初最主要用于光学薄膜。最典型的方法是采用真空蒸发法将成膜材料按设计要求淀积在工件表面从而获得所需的反射、增透、截止、带通、偏振等效果。真空镀膜技术飞速进步,日益完善,真空镀膜技术已从以真空热蒸发法为主要手段的情况发展成包括电子束加热蒸发、溅射、离子镀、激光蒸发以及各类化学气相沉积等许多各领域。以及在制备过程中观察膜生长情况的方法。采用蒸发镀膜,或者采用真空溅射沉积方式,在基底材料的表面形成一层薄膜的设备,间接观察成膜表面薄膜形成过程的方法。模拟技术已作为教学的一部分,仿真应用于实验教学训练。 相似文献
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郑东 《中国现代教育装备》2007,(10):19-20
在扫描电镜非导电或导电性差的样品制备过程中,通常使用等离子溅射镀膜方法对样品表面进行导电处理。本文主要叙述等离子溅射镀膜的原理与方法,并简单介绍了磁控管溅射仪和锇等离子镀膜仪等。 相似文献
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该文用磁控溅射法在蓝宝石衬底上生长了ZnO薄膜,所得薄膜采用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外可见分光光度计（UVS）、光致荧光光谱（PL）对样品的结构、形貌和发光特性进行表征.结果表明掺杂后的ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,磁控溅射镀膜样品的透射边随着退火温度的提高发生蓝移又红移现象,所有样品都有比较好的发光性能;900℃溅射镀膜样品的表面形貌平整度较好,粒子分布均匀. 相似文献
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学生实验真空镀膜机的设计与制作 总被引：2，自引：0，他引：2
随着科学技术的不断发展,薄膜材料在光学、电子技术、原子物理、半导体技术、宇宙技术等领域得到了日益广泛的应用,推动了薄膜制备技术的蓬勃发展,许多新型的镀膜方法与工艺也不断涌现。真空蒸发镀膜始终是一种重要而基本的薄膜制备方法。很多学校把真空镀膜技术进行了推广,要求在校的理、工科学生根据自己所学专业来了解掌握真空镀膜技术。但是现在市场上购买一台普通型真空镀膜机一般需要5万元左右,这样,经费不足,将阻碍了实验的开出。根据这一现实情况,我们设计并制作了一台筒易型真空镀膜机,仪器成本降低为2万元左右。同时,该仪器设… 相似文献
5.
叙述了受梯度功能材料的启发,利用对向靶薄膜溅射仪制备梯度氮化铁薄膜的试验,对解决钢铁的耐腐蚀问题,进行了有益的探索。 相似文献
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《赣南师范学院学报》2022,(3):36-39
采用磁控溅射法,以普通载玻片为基底,制备了不同厚度的金属钛薄膜,在添加光栅掩模版后,制备了钛薄膜光栅。采用控制变量法,重点研究了不同溅射时间(10 min、15 min、20 min、30 min、40 min、50 min)对金属钛薄膜厚度、透过率、电阻率的影响,并测量了所制备的钛薄膜光栅的光栅常数。结果表明,增加溅射时间,在载玻片表面制备的金属钛薄膜的厚度也呈现出增加的趋势。但金属钛薄膜的透过率和电阻率却呈现现相反的趋势,即随着溅射时间的增加而减小;采用分光光度计测量薄膜光栅的光栅常数为0.168 mm. 相似文献
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SiCN薄膜通过反应溅射法制备,并通过红外吸收谱（IR）进行表征。结果表明,薄膜中的N含量受衬底温度、N2流量、溅射功率影响。低的衬底温度会有利于N的进入,衬底温度过高,N含量将显著下降。在恰当的N2流量下才能在薄膜中获得最高的N含量。提高溅射功率可以使得薄膜中N含量升高。 相似文献
8.
《洛阳师范学院学报》2017,(2):33-36
采用射频磁控溅射技术,在常温状态下在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO透明导电薄膜.利用XRD和AFM分别对薄膜的晶体结构和表面微观形貌进行了表征,利用紫外-可见分光光度计和霍尔效应测试仪对薄膜的光电性能进行了测试,并分析讨论了不同溅射气压对Al掺杂ZnO薄膜结构、形貌和光电性能的影响.结果表明,在本实验条件下制备的薄膜均为良好的c轴择优取向;在可见光范围内样品的平均透过率都高于85%;在溅射气压为1.2Pa时,薄膜的结晶度、电阻率和透过率都达到了最佳值. 相似文献
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成桢 《西安文理学院学报》2015,(1):60-62,83
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺镁氧化锌薄膜,利用SEM(扫描电镜)、XRD(X射线衍射)和椭偏仪等设备研究薄膜的表面形貌、成分、结构和厚度.结果表明,溅射功率没有对薄膜的生长方向产生较大影响,当溅射功率在40 W到100 W之间变化时,随着溅射功率的增大薄膜的结晶状况变好,晶粒尺寸变大,薄膜的厚度增加. 相似文献
10.
《赣南师范学院学报》2021,(6):30-34
为了研究溅射电流对磁控溅射沉积钛薄膜光、电学性能的影响,在其它工艺参数相同的情况下改变溅射电流(0.3 A～0.8 A)制备了6组薄膜样品,采用四探针电阻测试仪测量样品的电阻率,用紫外可见分光光度计测量样品的透射率.同时,利用磁控溅射技术成功制取钛薄膜光栅,采用读数显微镜测量光栅常量.研究表明:钛薄膜电阻率随溅射电流的增大而减小,最小电阻率为3.034 3Ω·cm;透射率随溅射电流的增大先减小后增大,最大透射率约为99%(对应溅射电流0.3 A),最小透射率约为0.03%(对应溅射电流0.7 A);测得钛薄膜光栅的光栅常量为(0.170 1±0.000 7)mm. 相似文献
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实验利用飞秒脉冲激光沉积Cu纳米颗粒薄膜,获得不同激光能量时溅射Cu粒子空间分布结果,并结合Matlab、Excel和Origin等软件对这些数据进行处理分析。实验结果表明：Cu纳米颗粒的空间分布遵循Anisimov气体膨胀模型,大部分的粒子主要集中在基片与溅射源中心线附近在小立体角度（θ〈30°）范围扩散。最后,实验选取合适立体溅射角度（θ≈30°）,能量密度约为0．72J／cm2时,在不同曝光时间条件下溅射Cu纳米颗粒薄膜,并采用原子力显微镜（AFM）表征了膜厚变化情形,综合分析了纳米颗粒薄膜空间沉积成膜的过程和规律,为后继数值模拟分析提供了实验验证依据。 相似文献
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采用直流反应溅射方法在N型Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜.薄膜的晶体结构采用X射线衍射技术来表征,测量结果表明制备的样品是沿c轴高度取向的六方纤锌矿结构的多晶薄膜.扫描电子显微镜测量显示薄膜的表面粗糙度较低,且ZnO与Si衬底的边界线清晰,结构致密.此外,利用室温光致发光谱研究了薄膜的光学性能,ZnO薄膜的室温光致发光谱(PL)只有位于377nm处的一个很强的紫外峰,这与材料内的激子复合有关.此外对薄膜进行了拉曼散射的研究,拉曼频移的计算结果表明溅射生长的薄膜中存在张应力(0.25Gpa). 相似文献
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研究了倾斜溅射制备的(Fe_(65)Co_(35))_(92.2)Dy_(7.8)薄膜的静磁性能与磁化反转机制.制备得到的薄膜为非晶薄膜,表现出良好软磁性能与单轴各向异性.其易轴方向矫顽力随溅射角度增加而增加.在39°溅射的薄膜中获得最大的单轴各向异性场为898.1 Oe.接近难轴方向的磁化反转由一致旋转占主导,而接近易轴方向时由畴壁反钉扎机制占主导.基于LLG方程的计算表明,通过调控倾斜溅射角度,薄膜的铁磁共振频率可由5.3 GHz调制到10.9 GHz,展示了在微波器件中的应用前景. 相似文献
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阐述了采用nAERO辅助气溶胶薄膜沉积技术制备TCO镀膜玻璃时,在TCO玻璃生产线上出现的玻璃连续炸裂的问题,通过分析和多次对加热炉温度曲线、气浮台高度、镀膜腔室尾气排放量、加热炉与镀膜腔室间隙等工艺及设备调整,对可能存在的原因逐一排查,最终确定炸裂的主要因素,并加以改进,使离线式TCO镀膜玻璃炸裂问题得到了最终解决。 相似文献
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反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜,并对薄膜进行退火处理,研究溅射功率和退火温度对薄膜结构和光电学性质的影响。用X射线衍射仪、分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征,采用拟合正入射透射谱数据计算薄膜的厚度。结果表明：不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态,透射率在近红外部分达到60%以上,电阻率随溅射功率的增加呈U型变化,在120 W附近,电阻率达到极小值;退火后,薄膜的XRD谱出现Cu4O3、Cu O和Al2O3的混合相,薄膜透射率有所提高,电阻率随退火温度的提高而先增大后减小。 相似文献
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近年来,随着新材料的开发,尤其是薄膜材料的发展和应用,带动磁控溅射沉积技术的飞速发展,在科学研究领域和工业生产中有着不可替代的重要作用。本文主要介绍了磁控溅射沉积技术的工艺过程及其发展情况,各种主要磁控溅射镀膜技术的特点,并介绍磁控溅射技术在各个领域的主要应用。 相似文献
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采用射频磁控溅射法制备了锐钛矿相TiO2薄膜,在基片温度、溅射功率、溅射时间以及靶材与基片间的距离等因素不变的情况下,研究不同氩氧分压比对薄膜亲水性能的影响。通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射光谱(XRD)表征了薄膜的微观表面形貌和晶相组成,采用静态接触角(SCA)评估薄膜的亲水性。实验结果表明不同氩氧比制备的锐钛矿相TiO2薄膜,紫外光照12 h后,接触角降到10o左右,而氩氧比小于等于5:5的接触角都低至5o左右,达到了超亲水性。氩氧分压比为4:6时,样品薄膜的光致亲水性最佳且光照后亲水性的保持较长。 相似文献
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采用离子溅射法制备金薄膜,研究了不同厚度金薄膜的光学及电学性能.结果表明:金薄膜透光性随着厚度的增加显著减小,电阻率随着厚度的增加而减小,在薄膜厚度为20 nm时,电阻率小,透光性较高,适合作透明电极. 相似文献
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采用磁控溅射方法在Al2O3（0001）和Si（100）衬底上制备掺碳氧化锌薄膜,溅射薄膜时衬底温度为550°C.实验结果显示,制备的掺碳氧化锌薄膜样品在Al2O3（0001）单晶衬底上结晶质量更好.在室温下,所制备的薄膜皆出现铁磁性,且在Si（100）衬底上制备的样品具有更大的饱和磁化值.实验结果表明氧空位缺陷对掺碳氧化锌薄膜的铁磁性起源有很重要的影响. 相似文献