排序方式: 共有2条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
在光学系统中,SOI(绝缘体上的半导体)上制备集成的MMI(多模干涉)型光耦合器已成为一种愈来愈引人注目的无源器件.由于Si和SiO2之间具有大的折射率差,在SOI波导中可以采用SiO2薄膜(<1.0μm)作限制层,这与超大规模集成电路工艺相兼容.描述了采用SOI技术制备集成的MMI型光耦合器和光开关的设计和制造结果.业已证实,2×2 MMI-MZI(多模干涉-麦赫-曾德干涉)型热光开关的开关时间小于20μs. 相似文献
2.
在光学系统中,SOI(绝缘体上的半导体)上制备集成的MMI(多模干涉)型光耦合器已成为一种愈来愈引人注目的无源器件.由于Si和SiO2 之间具有大的折射率差,在SOI波导中可以采用SiO2 薄膜( <1.0 μm)作限制层,这与超大规模集成电路工艺相兼容.描述了采用SOI技术制备集成的MMI型光耦合器和光开关的设计和制造结果.业已证实,2× 2MMI MZI(多模干涉 麦赫 曾德干涉)型热光开关的开关时间小于 2 0 μs. 相似文献
1