采用绝缘体上的半导体技术制备集成的多模干涉型光耦合器和光开关     

余金中  魏红振  严清峰  夏金松  张小峰 《中国科学院大学学报》2003,20(1):1-6

在光学系统中,SOI(绝缘体上的半导体)上制备集成的MMI(多模干涉)型光耦合器已成为一种愈来愈引人注目的无源器件.由于Si和SiO₂之间具有大的折射率差,在SOI波导中可以采用SiO₂薄膜(＜1.0μm)作限制层,这与超大规模集成电路工艺相兼容.描述了采用SOI技术制备集成的MMI型光耦合器和光开关的设计和制造结果.业已证实,2×2 MMI-MZI(多模干涉-麦赫-曾德干涉)型热光开关的开关时间小于20μs.  相似文献   

采用绝缘体上的半导体技术制备集成的多模干涉型光耦合器和光开关     

余金中  魏红振  严清峰  夏金松  张小峰 《中国科学院研究生院学报》2003,20(1):1-6

在光学系统中,SOI(绝缘体上的半导体)上制备集成的MMI(多模干涉)型光耦合器已成为一种愈来愈引人注目的无源器件.由于Si和SiO2 之间具有大的折射率差,在SOI波导中可以采用SiO2 薄膜( <1.0 μm)作限制层,这与超大规模集成电路工艺相兼容.描述了采用SOI技术制备集成的MMI型光耦合器和光开关的设计和制造结果.业已证实,2× 2MMI MZI(多模干涉 麦赫 曾德干涉)型热光开关的开关时间小于 2 0 μs.  相似文献